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STATEK晶振,SMD晶振,CX1VSM晶振,CX1HSM晶振

頻率:10KHZ-600KHZ 尺寸:8.0*3.56mm,二腳SMD陶瓷面貼片晶振,表面陶瓷封裝,其實是屬于壓電石英晶振,是高可靠的環(huán)保性能,嚴格的頻率分選,編帶盤裝,可應用于高速自動貼片機焊接,產(chǎn)品本身設計合理,成本和性能良好
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1XQJXStatek-1

  STATEK晶振,SMD晶振,CX1VSM晶振,CX1HSM晶振,貼片晶振本身體積小,薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因為晶振本身小型化需求的市場領域,小型?薄型是對應陶瓷諧振器(偏差大)和普通的石英晶體諧振器(偏差?。┑闹虚g領域的一種性價比較出色的產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛用于筆記本電腦,無線電話,衛(wèi)星導航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.

  石英晶振真空退火技術:晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設計好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設定曲線對晶體組件進行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性。2GGCSStatek-2

Statek晶振規(guī)格

單位

CX1VSM/CX1HSM貼片晶振頻率范圍

石英晶振基本條件

標準頻率

f_nom

10KHZ~600KHZ

標準頻率

儲存溫度

T_stg

-40°C +125°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C +85°C

標準溫度

激勵功率

DL

200μW Max.

推薦:1μW 100μW

頻率公差

f_— l

±50 × 10-6 (標準),
(±15 × 10-6 
±50 × 10-6 可用)

+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明,請聯(lián)系我們以便獲取相關的信息, http://www.ljbzc.com

頻率溫度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C +70°C

超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.

負載電容

CL

10PF,20PF

不同負載電容要求,請聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

頻率老化

f_age

±5 × 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

3CCStatek-3

CX-14ZYSXStatek-4

  如果由頻率計數(shù)器測量的頻率比目標頻率高,要增加石英晶振的電容(CL,或Cd以及C 8)的值,以降低頻率到目標頻率,反之亦然。請檢查波形幅度是否改善或沒有經(jīng)過我們調整頻率。如果它的改善,這表示該電路的原始設計不是調諧到最佳共振點為晶體的情況。該晶振應正常后,諧振點的調整。如果波形幅度甚至沒有提高的頻率非常接近目標頻率,我們可以通過以下三種方法改進:
方法1:降低產(chǎn)品線路外部電容(CdCG)的值,并通過石英晶體諧振器具有較低負載電容(CL)。
方法2:采用小電阻(RR)的晶體。
方法3:使用鎘和CG的不等價的設計。

  我們可以增加鎘(XOUT)的負載電容和降低CG(辛)的負載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。我們建議您使用上面的方法來節(jié)省成本,保證安全。請用頻率計數(shù)器來測量所述晶體,以確保經(jīng)調整頻率仍然滿足原說明書后的波形的振幅進行了改進。如果頻率不符合規(guī)格,請采用晶體合適的CL值為根據(jù)您的目標頻率。請采用晶振具有較低的CL如果頻率比目標頻率,反之亦然高得多系統(tǒng)不能正常工作,由于輸出頻率會偏差很大,STATEK晶振,SMD晶振,CX1VSM晶振,CX1HSM晶振5HBFZStatek-5

Statek晶振環(huán)保理念

  STATEK晶振公司的目標是保證石英晶振,貼片晶振,石英振蕩器,有源晶振產(chǎn)品繼續(xù)滿足客戶要求的同時對環(huán)境的影響降到最小,在生產(chǎn)過程中不斷節(jié)約能源和資源,努力實現(xiàn)環(huán)境管理體系與環(huán)境行為持續(xù)改進.

  STATEK晶振承諾保護環(huán)境,重視員工、客戶和公眾的健康和安全.我們從事任何活動,都要以注重安全和環(huán)保方式,并考慮到生態(tài)系統(tǒng)的復雜性和相關性.

  建立目標指標、監(jiān)測程序,利用最好的管理手段,應用節(jié)約成本的技術,持續(xù)改進我們的環(huán)境表現(xiàn).我們承諾采取積極的、預防性的戰(zhàn)略管理來對自然環(huán)境和地方社區(qū)的影響最小化.

  STATEK晶振環(huán)保環(huán)境與發(fā)展對策:實行可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略.采取有效措施,防治工業(yè)污染.提高能源利用效率,改善能源結構.運用經(jīng)濟手段保護環(huán)境.大力推進科技進步,加強環(huán)境科學研究,積極發(fā)展環(huán)境保護產(chǎn)業(yè).健全環(huán)境法規(guī),強化環(huán)境管理.加強環(huán)境教育,不斷提高環(huán)境意識.6LXFSStatek-6

聯(lián)系人:李玉龍

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