Raltron晶振,石英晶振,D-5晶振
Raltron晶振,石英晶振,D-5晶振,Raltron晶振在產(chǎn)品的全過(guò)程中努力節(jié)能降耗,實(shí)現(xiàn)資源消耗最小化.對(duì)石英晶振,貼片晶振,有源晶振,壓控振蕩器,普通晶體振蕩器(SPXO)、壓控晶體振蕩器(VCXO)產(chǎn)生環(huán)境影響的活動(dòng)做出及時(shí)反應(yīng),并對(duì)可能產(chǎn)生環(huán)境負(fù)面影響的活動(dòng)做出預(yù)防.,在價(jià)格、質(zhì)量、應(yīng)用程序工程和客戶支持方面滿足和超越客戶期望.
為了滿足快速增長(zhǎng)的無(wú)線應(yīng)用市場(chǎng)的需求,Raltron晶振將自己打造成為一個(gè)完整的解決方案供應(yīng)商,在它的石英晶體,石英水晶和晶體振蕩器,無(wú)源晶振中添加了鋸片和LTCC過(guò)濾器.該公司還為同一市場(chǎng)開(kāi)發(fā)了一整套天線產(chǎn)品.
石英晶振的切割設(shè)計(jì):用不同角度對(duì)晶振的石英晶棒進(jìn)行切割,可獲得不同特性的石英晶片,通常我們把晶振的石英晶片對(duì)晶棒坐標(biāo)軸某種方位(角度)的切割稱為石英晶片的切型。不同切型的石英晶片,因其彈性性質(zhì),壓電性質(zhì),溫度性質(zhì)不同,其電特性也各異,石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。其它切型還有 CT、DT、GT、NT 等。超小型石英貼片晶振晶片的設(shè)計(jì):石英晶片的長(zhǎng)寬尺寸已要求在±0.002mm內(nèi),由于貼片晶振晶片很小導(dǎo)致晶體的各類寄生波(如長(zhǎng)度伸縮振動(dòng),面切變振動(dòng))與主振動(dòng)(厚度切變振動(dòng))的耦合加強(qiáng),從而造成如若石英晶振晶片的長(zhǎng)度或?qū)挾瘸叽缭O(shè)計(jì)不正確、使得振動(dòng)強(qiáng)烈耦合導(dǎo)致石英晶振的晶片不能正常工作,從而導(dǎo)致產(chǎn)品在客戶端不能正常使用,晶振的研發(fā)及生產(chǎn)超小型石英晶振完成晶片的設(shè)計(jì)特別是外形尺寸的設(shè)計(jì)是首要需解決的技術(shù)問(wèn)題,公司在此方面通過(guò)理論與實(shí)踐相結(jié)合,模擬出一整套此石英晶振晶片設(shè)計(jì)的計(jì)算機(jī)程序,該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應(yīng)用并取得很好的效果.
Raltron晶振規(guī)格 |
單位 |
Raltron晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
12.5~25KHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
|
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +125°C |
裸存 |
|
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
|
激勵(lì)功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明,請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息, http://www.ljbzc.com |
|
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
|
負(fù)載電容 |
CL |
7pF ~ ∞ |
不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
|
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
|
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
安裝時(shí)的注意事項(xiàng)導(dǎo)腳型晶振• 構(gòu)造圓柱型晶振 (VT, VTC) 用玻璃密封.
• 修改插件晶振彎曲導(dǎo)腳的方法(1) 要修改彎曲的導(dǎo)腳時(shí),以及要取出晶振等情況下不能強(qiáng)制拔出導(dǎo)腳,如果強(qiáng)制地拔出導(dǎo)腳,會(huì)引起玻璃的破裂,而導(dǎo)致殼內(nèi)真空濃度的下降,有可能促使晶振特性的惡化以及晶振芯片的破損(參閱圖 3).(2) 要修改彎曲的導(dǎo)腳時(shí),要壓住外殼基側(cè)的導(dǎo)腳,且從上下方壓住彎曲的部位,再進(jìn)行修改.Raltron晶振,石英晶振,D-5晶振
彎曲導(dǎo)腳的方法(1) 將導(dǎo)腳彎曲之后并進(jìn)行焊接時(shí),導(dǎo)腳上要留下離外殼0.5mm的直線部位.如果不留出導(dǎo)腳的直線部位而將導(dǎo)腳彎曲,有可能導(dǎo)致玻璃的破碎 在導(dǎo)腳焊接完畢之后再將導(dǎo)腳彎曲時(shí),務(wù)必請(qǐng)留出大于外殼直徑長(zhǎng)度的空閑部分.
如果直接在外殼部位焊接,會(huì)導(dǎo)致殼內(nèi)真空濃度的下降,使晶振特性惡化以及晶振芯片的破損.應(yīng)注意將晶振平放時(shí),不要使之與導(dǎo)腳相碰撞,請(qǐng)放長(zhǎng)從外殼部位到線路板為止的導(dǎo)腳長(zhǎng)度 (L) ,并使之大于外殼的直徑長(zhǎng)度(D).
焊接方法焊接部位僅局限于導(dǎo)腳離開(kāi)玻璃纖部位 1.0mm 以上的部位,并且請(qǐng)不要對(duì)外殼進(jìn)行焊接.另外,如果利用高溫或長(zhǎng)時(shí)間對(duì)導(dǎo)腳部位進(jìn)行加熱,會(huì)導(dǎo)致晶振特性的惡化以及晶振的破損.因此,請(qǐng)注意對(duì)導(dǎo)腳部位的加熱溫度要控制在 300°C 以下,且加熱時(shí)間要控制在5秒以內(nèi) (外殼的部位的加熱溫度要控制在150°C以下).
為防止事故的發(fā)生和制造清潔的生產(chǎn)環(huán)境,開(kāi)發(fā)生產(chǎn)過(guò)程的安全技術(shù),明確緊急狀態(tài)反應(yīng)的職責(zé).
Raltron無(wú)源晶振堅(jiān)持運(yùn)用,不斷完善, (TCXO)溫補(bǔ)晶體振蕩器,石英晶振,貼片晶振生產(chǎn)設(shè)備,持續(xù)改進(jìn),更要針對(duì)新情況、新問(wèn)題,不斷學(xué)習(xí)先進(jìn),總結(jié)經(jīng)驗(yàn),結(jié)合實(shí)際,及時(shí)改進(jìn)舊方法,勇于擯棄落后方法.
要積極開(kāi)展安全經(jīng)驗(yàn)分享活動(dòng),讓每一個(gè)單位、每一個(gè)人的經(jīng)驗(yàn)和教訓(xùn)變成大家的經(jīng)驗(yàn),成為企業(yè)的財(cái)富.
Raltron晶振按照IS014001標(biāo)準(zhǔn)的要求,建立環(huán)境管理體系,并在環(huán)境目標(biāo)和方案設(shè)定之后追求持續(xù)的環(huán)境改善.
建立和遵守其嚴(yán)格的基于活動(dòng)所在地法律法規(guī)的環(huán)境、安全和健康標(biāo)準(zhǔn).將不斷地?cái)U(kuò)展循環(huán)利用、能源和廢棄物管理項(xiàng)目.Raltron晶振,石英晶振,D-5晶振
Raltron晶振集團(tuán)對(duì)員工進(jìn)行環(huán)境保護(hù)知識(shí)培訓(xùn),提高其環(huán)境意識(shí),建立環(huán)境職責(zé),自覺(jué)改進(jìn)、預(yù)防對(duì)環(huán)境的負(fù)面影響.
Raltron晶振在產(chǎn)品的全過(guò)程中努力節(jié)能降耗,實(shí)現(xiàn)資源消耗最小化.對(duì)石英晶振,貼片晶振,有源晶振,壓控振蕩器,普通晶體振蕩器(SPXO)、壓控晶體振蕩器(VCXO),貼片石英晶振產(chǎn)生環(huán)境影響的活動(dòng)做出及時(shí)反應(yīng),并對(duì)可能產(chǎn)生環(huán)境負(fù)面影響的活動(dòng)做出預(yù)防.
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