鴻星晶振,貼片晶振,D7SV晶振
鴻星晶振,貼片晶振,D7SV晶振,鴻星晶振有限公司于1979年成立,1991年開始在中國大陸拓展生產基地,至今擁有四處生產基地、九處營銷及FAE據點及十個營銷代表處。我們用完整的晶振產品全心全意的為客戶工作,因此我們鴻星晶振投資建立一個有能力的團隊和基礎設施,為我們所做的每一個產品。
鴻星電子石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。其它切型還有 CT、DT、GT、NT 等。超小型石英貼片晶振,我們用完整的晶振產品全心全意的為客戶工作,因此我們鴻星晶振投資建立一個有能力的團隊和基礎設施,為我們所做的每一個產品。公司建立平臺有機的學習鼓勵跨職能團隊的工作保持更好的環(huán)境和溫補晶振,石英晶體振蕩器技術改進。
鴻星晶振規(guī)格 |
單位 |
D7SV貼片晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
1.75MHZ~200.0MHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-55°C ~ +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-30°C ~ +85°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±10ppm,±15ppm,±30ppm |
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±10ppm,±15ppm,±30ppm/-30°C ~ +70°C |
超出標準的規(guī)格請聯系我們. |
負載電容 |
CL |
6pF,8pF,10PF,12PF,20PF |
超出標準說明,請聯系我們. |
串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±2× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸IC的表面.鴻星晶振,石英晶振,E3SB晶振
使用環(huán)境(溫度和濕度)
請在規(guī)定的溫度范圍內使用石英晶振.這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度.在高濕環(huán)境下,會由于凝露引起故障.請避免凝露的產生.
激勵功率
在晶振上施加過多驅動力,會導致產品特性受到損害或破壞.電路設計必須能夠維持適當的激勵功率 (請參閱“激勵功率”章節(jié)內容).
負極電阻
除非石英晶體振蕩器回路中分配足夠多的負極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱“關于振蕩”章節(jié)內容).鴻星晶振,貼片晶振,D7SV晶振
負載電容
有源晶振振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差.試圖通過強力調整,可能只會導致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節(jié)內容).
并指引環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)與各書面、辦法書之對應關系,包含在環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)內之流程順序及交互作用的描述。本公司環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)之適用范圍包含公司所有的活動、HCX-3SB晶振及服務。鴻星晶振,貼片晶振,D7SV晶振
鴻星晶振集團充分認識加強環(huán)境保護工作的重要性和緊迫性,把環(huán)境保護擺在更加重要的戰(zhàn)略位置,以對國家、對民族、對子孫后代高度負責的精神,切實做好環(huán)境保護工作,推動經濟社會全面協(xié)調可持續(xù)發(fā)展。
并不斷透過教育訓練灌輸員工環(huán)境/安衛(wèi)觀念及意識,藉由改善公司制程以達到E3SB晶振生產過程中的污染預防、工業(yè)減廢、安全與衛(wèi)生、符合法規(guī)要求使企業(yè)永續(xù)發(fā)展減少環(huán)境/安衛(wèi)負擔,并滿足客戶需求,獲得客戶的信賴而努力。
實施公司內部環(huán)境培訓和訓練,推進防污染和環(huán)?;顒印x櫺?a target="_blank">石英貼片晶體諧振器遵守國內外法律,遵守與客戶和地區(qū)的約定事項,與日常業(yè)務相融合,努力開展繼續(xù)改善環(huán)境的工作。金屬殼四腳貼片晶體諧振器,進口無源石英水晶振動子,E3SB晶振
聯系人:李玉龍
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