微晶晶振,微晶32.768K晶振,DS26晶振
微晶晶振,微晶32.768K晶振,DS26晶振,微晶晶振已經(jīng)發(fā)展成為一家在微型音叉式石英晶體(32kHz ~ 250MHz)、實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊、晶振和OCXO晶體振蕩器,有源晶振等多個(gè)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)供貨商,為世界一流的終端產(chǎn)品制造商提供從設(shè)計(jì)到量產(chǎn)的全方位支持,石英晶振的切型,采用高速線切割技術(shù):1.優(yōu)化及嚴(yán)格規(guī)范線切割機(jī)各項(xiàng)設(shè)備參數(shù);2.通過試驗(yàn)精選所使用的各類線切割料,如:磨料,線切割線,槽輪等;3.確認(rèn)最優(yōu)的石英晶振切割工藝參數(shù).
瑞士微晶減少污染物排放,對不可再生的資源進(jìn)行有效利用.減少廢物的產(chǎn)生,對其排放的責(zé)任進(jìn)行有效管理,有效地使用能源.通過設(shè)計(jì)工藝程序?qū)T工進(jìn)行培訓(xùn)保護(hù)環(huán)境以及人們的健康和安全.
微晶晶振規(guī)格 |
單位 |
微晶晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
7pF ~ ∞ |
超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
耐焊性:
將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間.同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請?jiān)俅芜M(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.
(1)柱面式產(chǎn)品和DIP產(chǎn)品
晶振產(chǎn)品類型 |
晶振焊接條件 |
插件晶振型,是指石英晶振采用引腳直插模式的情況下 |
手工焊接+300°C或低于3秒鐘 |
SMD型貼片晶振,是指石英晶振采用SMT高速焊接,或者回流焊接情況下,有些型號晶振高溫可達(dá)260°,有些只可達(dá)230° |
+260°C或低于@最大值 10 s |
(2)SMD產(chǎn)品回流焊接條件圖
用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個(gè)別判斷.請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息.
微晶晶振使用環(huán)境(溫度和濕度)
請?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用石英晶振.這個(gè)溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度.在高濕環(huán)境下,會由于凝露引起故障.請避免凝露的產(chǎn)生.
微晶晶振激勵功率
在晶振上施加過多驅(qū)動力,會導(dǎo)致產(chǎn)品特性受到損害或破壞.電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募罟β?/span> (請參閱“激勵功率”章節(jié)內(nèi)容).
微晶晶振負(fù)極電阻
除非石英晶體振蕩器回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時(shí)間可能會增加(請參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容).
微晶晶振負(fù)載電容
有源晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負(fù)載電容(請參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容).
微晶晶振推進(jìn)晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 壓電石英晶體、有源晶體等元器件的環(huán)保型業(yè)務(wù),充分發(fā)揮綜合實(shí)力,推進(jìn)環(huán)保型業(yè)務(wù),為減輕社會的環(huán)境負(fù)荷做出貢獻(xiàn).
微晶晶振建立環(huán)境管理系統(tǒng),充分運(yùn)用環(huán)境管理系統(tǒng),設(shè)定環(huán)境目的和目標(biāo),定期修正,不斷改善,努力預(yù)防環(huán)境污染.
微晶晶振按照IS014001標(biāo)準(zhǔn)的要求,建立環(huán)境管理體系,并在環(huán)境目標(biāo)和方案設(shè)定之后追求持續(xù)的環(huán)境改善.
微晶石英晶體諧振器建立和遵守其嚴(yán)格的基于活動所在地法律法規(guī)的環(huán)境、安全和健康標(biāo)準(zhǔn).將不斷地?cái)U(kuò)展循環(huán)利用、能源和廢棄物管理項(xiàng)目.
微晶晶振保持就健康安全環(huán)境問題與臨近攝取進(jìn)行對話.通過在環(huán)境控制方面實(shí)施優(yōu)秀的管理實(shí)踐,以保護(hù)環(huán)境和與強(qiáng)生公司全球運(yùn)作相關(guān)的自然資源.向員工灌輸環(huán)境價(jià)值觀,在所有的石英晶振,晶體振蕩器,石英晶體諧振器等產(chǎn)品和生產(chǎn)過程中應(yīng)用最佳環(huán)境實(shí)用技術(shù),為全球可持續(xù)發(fā)展做出貢獻(xiàn).
聯(lián)系人:李玉龍
電話:86-0755-27839151
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- 低抖動晶振,1XXB16368MAA,TCXO溫補(bǔ)晶振,進(jìn)口有源貼片,DSB221SDN 2520溫補(bǔ)晶振被廣泛應(yīng)用到一些比較高端的數(shù)碼通訊產(chǎn)品領(lǐng)域,GPS全球定位系統(tǒng),智能手機(jī),WiMAX和蜂窩和無線通信等產(chǎn)品,符合RoHS/無鉛。DSB221SDN系列晶振就是一款尺寸為2.5*2.0mm的溫補(bǔ)晶振,1XXB16368MAA支持低電壓,低相位噪聲,單體結(jié)構(gòu),用于手機(jī)、GPS/GNSS、工業(yè)用無線通信設(shè)備等。低抖動晶振,進(jìn)口有源貼片,2520貼片晶振,TCXO溫補(bǔ)晶振,日本大真空晶振,進(jìn)口KDS振蕩器,石英晶體振蕩器,數(shù)碼電子晶振,智能手機(jī)晶振。
- Frequency晶振,壓控溫補(bǔ)晶振,石英振蕩器,FTTC03-EFTV-50.000MHz晶振
- Frequency晶振,壓控溫補(bǔ)晶振,石英振蕩器,FTTC03-EFTV-50.000MHz晶振,石英貼片晶振,弗萊特有源晶體振蕩器,VC-TCXO石英晶振,低相噪有源晶振,編碼為:FTTC03-EFTV-50.000MHz,頻率:50 MHz,頻率穩(wěn)定性:±8ppm,電源電壓為:3.3V,工作溫度范圍:-55℃至+125℃,,體積晶振尺寸:7.0x5.0mm,六腳貼片晶振,高溫度晶體,VC-TXCO晶振,壓控溫度補(bǔ)償石英晶體振蕩器,該晶振產(chǎn)品具有良好的起振特性,具備超好的封閉特性,即使在極端嚴(yán)酷的環(huán)境也能穩(wěn)定持續(xù)的為產(chǎn)品工作,主要應(yīng)用與車載電子,智能家居等產(chǎn)品。
晶振廠家
- 陶瓷諧振器
- 陶瓷濾波器
- 石英晶振
- 32.768KHz
- 貼片晶振
- 聲表面濾波器
- 5070貼片晶振
- 6035貼片晶振
- 5032貼片晶振
- 3225貼片晶振
- 2520貼片晶振
- 2016貼片晶振
- 1612貼片晶振
- 1210貼片晶振
- 8045貼片晶振
進(jìn)口晶振
- KDS晶振
- 愛普生晶振
- 精工晶振
- 西鐵城晶振
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- 美國SiTime晶振
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臺產(chǎn)晶振
有源晶振
霧化片
32.768K晶振
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