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KDS晶振,貼片晶振,DSX840GT晶振,DSX840GK晶振

尺寸：8.0x4.5x1.8mm 頻率:4M~40MHZ, 兩個焊接腳的陶瓷面封裝晶振歸類于我們前面介紹晶振的文章中所說過的壓電石英晶體諧振器。在不同環(huán)境下的多功能產品中具有高可靠性特點，不含鉛汞符合歐盟要求的環(huán)保要求。8045兩腳貼片晶振通過嚴格的頻率分選，為編帶盤裝產品。貼片晶振相較于插件晶振能夠應用于高速自動貼片機焊接，8045封裝石英表貼式晶體諧振器小型設計，是筆記本、數(shù)碼相機、智能手機、USB接口等智能設備優(yōu)先選用的貼片晶振型號。

訂購熱線：0755-27839151

產品相關資料

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KDS-1

KDS晶振,貼片晶振,DSX840GT晶振,DSX840GK晶振,貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產品,因為晶振本身小型化需求的市場領域,小型?薄型是對應陶瓷諧振器（偏差大）和普通的石英晶體諧振器（偏差?。┑闹虚g領域的一種性價比較出色的產品.產品廣泛用于筆記本電腦,無線電話,衛(wèi)星導航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.

日本株式會社大真空KDS晶振集團設立在日本國兵庫縣加古川市平岡町新在家,創(chuàng)業(yè)時間為1959年11月3日,正式注冊成立是在1963年5月8日,當時注冊資金高達321億日元之多,主要從事電子元件以及電子設備生產銷售一體化,包括晶體諧振器,音叉型晶體諧振器,晶體應用產品,晶體振蕩器,晶體濾波器,晶體光學產品,硅晶體時鐘設備,MEMS振蕩器等.

石英晶振真空退火技術：晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產生的應力及輕微表面缺陷.在PLC控制程序中輸入已設計好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設定曲線對晶體組件進行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性.

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KDS-2

KDS晶振規(guī)格	單位	DSX840GT晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	4MHZ~8MHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ～ +85°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標準溫度
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標準), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關的信息, http://www.ljbzc.com
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負載電容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	不同負載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

KDS晶振規(guī)格	單位	汽車級DSX840GT晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	4MHZ~8MHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ～ +150°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +125°C	標準溫度
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標準), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關的信息, http://www.ljbzc.com
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負載電容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	不同負載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

KDS晶振規(guī)格	單位	DSX840GK晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	8MHZ~40MHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ～ +150°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +125°C	標準溫度
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標準), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關的信息, http://www.ljbzc.com
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負載電容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	不同負載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

KDS-3

DSX840GT DSX840GK_ja

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KDS-4

在使用KDS晶振時應該注意一下事項：

1：抗沖擊

抗沖擊是指晶振產品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊.如果產品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.

2：輻射

將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導致產品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射.

3：化學制劑 / pH值環(huán)境

請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產品.

4：粘合劑

請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能.）

5：鹵化合物

請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.

6：靜電

過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作.

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KDS-5

日本株式會社大真空KDS晶振所有的經營組織都將積極應用國際標準以及適用的法律法規(guī).為促進合理有效的公共政策的制訂實施加強戰(zhàn)略聯(lián)系.

消除事故和環(huán)境方面的偶發(fā)事件,減少廢物的產生和排放,有效的使用能源和各種自然資源,對緊急事件做好充分準備,以便及時做出反應.

對我們的貼片晶振,石英晶體,有源晶振,溫補晶振,石英晶體振蕩器等產品進行檢驗,同時告知我們的員工顧客以及公眾,如何安全的使用,如何使用對環(huán)境影響較小,幫助我們的雇員合同方商業(yè)伙伴服務提供上理解他們的行為如何影響著環(huán)境.

公司的各項能源、資源消耗指標和排放指標達到國內領先、國際先進水平.

KDS晶振集團實施創(chuàng)新戰(zhàn)略,提高自主創(chuàng)新能力,確保公司可持續(xù)發(fā)展.實施節(jié)約戰(zhàn)略,提高建設節(jié)約環(huán)保型企業(yè)能力,確保實現(xiàn)節(jié)能環(huán)保規(guī)劃目標.KDS晶振,貼片晶振,DSX840GT晶振,DSX840GK晶振

致力于環(huán)境保護,包括預防污染.在石英晶振晶體產品的規(guī)劃到制造、運行維修等整個過程中,努力提供環(huán)保型的產品和服務.在業(yè)務活動中,努力節(jié)約資源并節(jié)省能源,致力于減少廢棄物和再生資源的回收利用.在積極公開有關環(huán)境的信息的同時,通過支持環(huán)?；顒?/span>,廣泛地為社會作貢獻.致力于保護生物多樣性和可持續(xù)利用.切實運行環(huán)境管理系統(tǒng)PDmCA（Plan-Do-multiple Check-Act）,努力提高環(huán)境性能,不斷改善運用系統(tǒng)

微晶晶振聯(lián)系方式

聯(lián)系人：李玉龍

電話：86-0755-27839151

手機：13828756848

QQ:987260611

郵箱：guanjiedz@163.com

www.ljbzc.com

地址：深圳市寶安區(qū)中心區(qū)商都賽格電子大廈1C48

DSX840GT晶振大體積貼片晶振 KDS兩腳陶瓷封裝貼片晶振

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: 貼片晶振,石英晶體諧振器,GJ-8045-GLASS晶振; 尺寸:8.0x4.5mm 頻率:8M~125MHZ, 冠杰電子貼片石英晶振最適合用于車載電子領域的小型表面貼片石英晶體諧振器.也可對應有高可靠性要求的引擎控制用CPU的時鐘部分簡稱為時鐘晶體振蕩器,在極端嚴酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標準.