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高利奇晶振,32.768K晶振,GFO-3301晶振

頻率：32.768KHZ 尺寸：3.2*2.5mm 有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開(kāi)時(shí)的消費(fèi)電流是15 μA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接（無(wú)鉛對(duì)應(yīng)）產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要..

訂購(gòu)熱線：0755-27839151

1XQJX

GL-1

高利奇晶振,32.768K晶振,GFO-3301晶振，貼片式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無(wú)鉛

石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù)：是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng)，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內(nèi)。

2GGCS

項(xiàng)目	符號(hào)	規(guī)格說(shuō)明	條件
輸出頻率范圍	f₀	32.768KHZ	請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓	V_CC	3.3 V	請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃ to +85℃	請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料http://www.ljbzc.com
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無(wú)負(fù)載條件、最大工作頻率
待機(jī)電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負(fù)載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CC Max.	ST 終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 終端
上升/下降時(shí)間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動(dòng)時(shí)間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

3CC

GL-3

GFO-3301

4ZYSX GL-4

有源晶振的負(fù)載電容與阻抗

負(fù)載電容與阻抗有源晶振設(shè)置一個(gè)規(guī)定的負(fù)載阻抗值。當(dāng)一個(gè)值除了規(guī)定的一個(gè)設(shè)置為負(fù)載阻抗輸出頻率和輸出電平不會(huì)滿足時(shí)，指定的值這可能會(huì)導(dǎo)致問(wèn)題例如：失真的輸出波形。特別是設(shè)置電抗，根據(jù)規(guī)范的負(fù)載阻抗。輸出頻率和輸出電平，當(dāng)測(cè)量輸出頻率或輸出水平，晶體振蕩器調(diào)整的輸入阻抗，測(cè)量?jī)x器的負(fù)載阻抗晶體振蕩器。當(dāng)輸入阻抗的測(cè)量?jī)x器，不同的負(fù)載阻抗的晶體振蕩器，測(cè)量輸出頻率或輸出水平高，阻抗阻抗測(cè)量可以忽略。

機(jī)械處理

當(dāng)有源晶振發(fā)生外置撞擊時(shí)，任何石英晶體振蕩器在遭到外部撞擊時(shí)，或者產(chǎn)品不小心跌落時(shí)，強(qiáng)烈的外置撞擊都將會(huì)導(dǎo)致晶振損壞，或者頻率不穩(wěn)定現(xiàn)象。不執(zhí)行任何強(qiáng)烈的沖擊石英晶體振蕩器。

如果一個(gè)強(qiáng)大的沖擊已經(jīng)給振蕩器確保

在使用前檢查其特點(diǎn)。

5HBFZ

高利奇溫補(bǔ)晶振環(huán)保理念

高利奇石英晶振公司進(jìn)一步解放思想,學(xué)習(xí)先進(jìn),總結(jié)實(shí)踐,針對(duì)新形勢(shì)、新情況,抓好理念創(chuàng)新,促進(jìn)安全環(huán)保工作更加科學(xué)、更加有效.

高利奇石英晶振公司堅(jiān)持運(yùn)用,不斷完善,持續(xù)改進(jìn)壓電石英晶體元器件、晶振,石英晶振,壓電石英晶體、有源晶體生產(chǎn)技術(shù),更要針對(duì)新情況、新問(wèn)題,不斷學(xué)習(xí)先進(jìn),總結(jié)經(jīng)驗(yàn),結(jié)合實(shí)際,及時(shí)改進(jìn)舊方法,勇于擯棄落后方法.

高利奇石英晶振公司要積極開(kāi)展安全經(jīng)驗(yàn)分享活動(dòng),讓每一個(gè)單位、每一個(gè)人的經(jīng)驗(yàn)和教訓(xùn)變成大家的經(jīng)驗(yàn),成為企業(yè)的財(cái)富.高利奇晶振,32.768K晶振,GFO-3301晶振

6LXFS

GL-6

聯(lián)系人：李玉龍

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手機(jī)：13828756848

QQ:987260611

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高利奇晶體振蕩器 3225晶振 GFO-3301晶振

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1XSE024000AW1,DSO321SW智能電網(wǎng)晶振,大真空SMD振蕩器

1XSE024000AW1,DSO321SW智能電網(wǎng)晶振,大真空SMD振蕩器，尺寸3.2*2.5mm,頻率24MHZ，日本KDS晶振，進(jìn)口有源晶振，3225mm有源晶振，水晶振蕩子，時(shí)鐘振蕩器，石英晶體振蕩器，24MHZ有源晶振，SPXO晶體振蕩器，低電壓有源晶振，有源晶體振蕩器，低功耗有源晶振，低抖動(dòng)有源晶振，低相位有源晶振，低相噪有源晶振，高性能有源晶振，高質(zhì)量有源晶振，智能電網(wǎng)專(zhuān)用有源晶振，影像設(shè)備有源晶振，車(chē)載應(yīng)用有源晶振，多媒體裝置有源晶振，具有優(yōu)異的耐壓性能。

有源晶振產(chǎn)品非常適合用于WiLAN, WiMAX，智能電網(wǎng)，PLC、影像相關(guān)、車(chē)載多媒體裝置等領(lǐng)域。1XSE024000AW1,DSO321SW智能電網(wǎng)晶振,大真空SMD振蕩器.

: 鴻星晶振,有源晶振,D3SX晶振,石英晶振; 具有最適合于移動(dòng)通信設(shè)備用途的高穩(wěn)定的頻率溫度特性.為對(duì)應(yīng)低電源電壓的產(chǎn)品.(可對(duì)應(yīng)DC +1.8 V±0.1 V to +3.2 V±0.1 V )高度：最高1.0 mm,體積：0.007 cm3,重量：0.024g,超小型,輕型.低消耗電流,表面貼片型產(chǎn)品.(可對(duì)應(yīng)回流焊) 無(wú)鉛產(chǎn)品.滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求.