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高利奇晶振,有源晶振,GTXO-566晶振,GTXO-576晶振

頻率：10.0 ~ 40.0MHz 尺寸：11.8*9.9mm 有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15 μA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接（無鉛對(duì)應(yīng)）產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要..

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GL-1

高利奇晶振,有源晶振,GTXO-566晶振,GTXO-576晶振，超小型,輕型.低消耗電流,表面貼片型產(chǎn)品.（可對(duì)應(yīng)回流焊）無鉛產(chǎn)品.滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,帶有AFC（頻率控制）功能,Enable/Disable功能,產(chǎn)品本身可根據(jù)使用需要進(jìn)行選擇.

超小型石英貼片晶振晶片的設(shè)計(jì)：石英晶片的長(zhǎng)寬尺寸已要求在±0.00２mm內(nèi)，由于貼片晶振晶片很小導(dǎo)致晶體的各類寄生波(如長(zhǎng)度伸縮振動(dòng)，面切變振動(dòng))與主振動(dòng)(厚度切變振動(dòng))的耦合加強(qiáng)，從而造成如若石英晶振晶片的長(zhǎng)度或?qū)挾瘸叽缭O(shè)計(jì)不正確、使得振動(dòng)強(qiáng)烈耦合導(dǎo)致石英晶振的晶片不能正常工作，從而導(dǎo)致產(chǎn)品在客戶端不能正常使用，晶振的研發(fā)及生產(chǎn)超小型石英晶振完成晶片的設(shè)計(jì)特別是外形尺寸的設(shè)計(jì)是首要需解決的技術(shù)問題，公司在此方面通過理論與實(shí)踐相結(jié)合，模擬出一整套此石英晶振晶片設(shè)計(jì)的計(jì)算機(jī)程序，該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應(yīng)用并取得很好的效果 2GGCS

型號(hào)		GTXO-566(TCXO)
輸出頻率范圍		10.0 ~ 40.0MHz
標(biāo)準(zhǔn)頻率		16.3676MHz/16.367667MHz/16.368MHz/16.369MHz/16.8MHz/26MHz/33.6MHz
電源電壓范圍		3.0V/5.0V
電源電壓（Vcc）		3.0V/+5.0V
消耗電流		+1.5mA max.（f≦26MHz）/+2.0mA max.（26＜f≦52MHz）
待機(jī)時(shí)電流		-
輸出電壓		0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled）
輸出負(fù)載		10kΩ//10pF
頻率穩(wěn)定度	常溫偏差	±1.5×10^-6 max.（After 2 reflows）
	溫度特性	±0.5×10^-6,±2.5×10^-6 max./-30?+85℃ ±0.5×10^-6,±2.5×10^-6 max./-40?+85℃（Option）
	電源電壓特性	±0.2×10^-6 max.（V_CC ±5%）
	負(fù)載變化特性	±0.2×10^-6 max.（10kΩ//10pF±10%）
	長(zhǎng)期變化	±1.0×10^-6 max./year
頻率控制	控制靈敏度	-
	頻率控制極性	-
啟動(dòng)時(shí)間		2.0ms max.

型號(hào)		GTXO-576(TCXO)
輸出頻率范圍		10.0 ~ 22.0MHz
標(biāo)準(zhǔn)頻率		16.3676MHz/16.367667MHz/16.368MHz/16.369MHz/16.8MHz/26MHz/33.6MHz
電源電壓范圍		5V
電源電壓（Vcc）		5V
消耗電流		+1.5mA max.（f≦26MHz）/+2.0mA max.（26＜f≦52MHz）
待機(jī)時(shí)電流		-
輸出電壓		0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled）
輸出負(fù)載		10kΩ//10pF
頻率穩(wěn)定度	常溫偏差	±1.5×10^-6 max.（After 2 reflows）
	溫度特性	±0.5×10^-6,±2.5×10^-6 max./-30?+85℃ ±0.5×10^-6,±2.5×10^-6 max./-40?+85℃（Option）
	電源電壓特性	±0.2×10^-6 max.（V_CC ±5%）
	負(fù)載變化特性	±0.2×10^-6 max.（10kΩ//10pF±10%）
	長(zhǎng)期變化	±1.0×10^-6 max./year
頻率控制	控制靈敏度	-
	頻率控制極性	-
啟動(dòng)時(shí)間		2.0ms max.

GTXO-560

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有源晶振的負(fù)載電容與阻抗

負(fù)載電容與阻抗有源晶振設(shè)置一個(gè)規(guī)定的負(fù)載阻抗值。當(dāng)一個(gè)值除了規(guī)定的一個(gè)設(shè)置為負(fù)載阻抗輸出頻率和輸出電平不會(huì)滿足時(shí)，指定的值這可能會(huì)導(dǎo)致問題例如：失真的輸出波形。特別是設(shè)置電抗，根據(jù)規(guī)范的負(fù)載阻抗。輸出頻率和輸出電平，當(dāng)測(cè)量輸出頻率或輸出水平，晶體振蕩器調(diào)整的輸入阻抗，測(cè)量?jī)x器的負(fù)載阻抗晶體振蕩器。當(dāng)輸入阻抗的測(cè)量?jī)x器，不同的負(fù)載阻抗的晶體振蕩器，測(cè)量輸出頻率或輸出水平高，阻抗阻抗測(cè)量可以忽略。

機(jī)械處理

當(dāng)有源晶振發(fā)生外置撞擊時(shí)，任何石英晶體振蕩器在遭到外部撞擊時(shí)，或者產(chǎn)品不小心跌落時(shí)，強(qiáng)烈的外置撞擊都將會(huì)導(dǎo)致晶振損壞，或者頻率不穩(wěn)定現(xiàn)象。不執(zhí)行任何強(qiáng)烈的沖擊石英晶體振蕩器。

如果一個(gè)強(qiáng)大的沖擊已經(jīng)給振蕩器確保

在使用前檢查其特點(diǎn)。高利奇晶振,有源晶振,GTXO-566晶振,GTXO-576晶振

5HBFZ GL-5

高利奇晶振環(huán)保理念

高利奇石英晶振公司培訓(xùn)我們團(tuán)隊(duì)中的每一個(gè)成員,了解他們自己的工作對(duì)環(huán)境的影響,在可能選擇有或正在努力爭(zhēng)取的供應(yīng)商ISO14001的情況下.此外,我們還積極鼓勵(lì)我們的員工將他們工作生活中所獲得的環(huán)境意識(shí)應(yīng)用到他們自己的私人生活中.我們遵守ISO14001原則,努力實(shí)現(xiàn)完全的法規(guī)遵循.

高利奇石英晶振公司深入貫徹落實(shí)科學(xué)發(fā)展觀,牢固樹立安全發(fā)展理念,強(qiáng)化責(zé)任,狠抓落實(shí),加強(qiáng)防范,堅(jiān)決遏制重特大事故發(fā)生.

要毫不松懈地抓好陶瓷諧振器、壓電石英晶體、貼片晶振,有源晶振、安全環(huán)保工作,堅(jiān)持把“環(huán)保優(yōu)先、安全第一、質(zhì)量至上、以人為本”的理念落實(shí)到生產(chǎn)建設(shè)全過程.

帶動(dòng)各項(xiàng)安全環(huán)保工作規(guī)范化、程序化、科學(xué)化管理,加快實(shí)現(xiàn)安全環(huán)保形勢(shì)持續(xù)好轉(zhuǎn)、根本好轉(zhuǎn)的工作思路.

6LXFS

聯(lián)系人：李玉龍

電話：86-0755-27839151

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高利奇大體積晶體振蕩器溫度補(bǔ)償晶振 GTXO-566晶振

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1XSE024000AW1,DSO321SW智能電網(wǎng)晶振,大真空SMD振蕩器

1XSE024000AW1,DSO321SW智能電網(wǎng)晶振,大真空SMD振蕩器，尺寸3.2*2.5mm,頻率24MHZ，日本KDS晶振，進(jìn)口有源晶振，3225mm有源晶振，水晶振蕩子，時(shí)鐘振蕩器，石英晶體振蕩器，24MHZ有源晶振，SPXO晶體振蕩器，低電壓有源晶振，有源晶體振蕩器，低功耗有源晶振，低抖動(dòng)有源晶振，低相位有源晶振，低相噪有源晶振，高性能有源晶振，高質(zhì)量有源晶振，智能電網(wǎng)專用有源晶振，影像設(shè)備有源晶振，車載應(yīng)用有源晶振，多媒體裝置有源晶振，具有優(yōu)異的耐壓性能。

有源晶振產(chǎn)品非常適合用于WiLAN, WiMAX，智能電網(wǎng)，PLC、影像相關(guān)、車載多媒體裝置等領(lǐng)域。1XSE024000AW1,DSO321SW智能電網(wǎng)晶振,大真空SMD振蕩器.