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高利奇晶振,溫補(bǔ)晶振,GTXO-C14晶振,GTXO-S14晶振

頻率:1.0~100MHZ 尺寸:20.8*13.2mm 有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15 μA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接(無鉛對(duì)應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要..
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1XQJXGL-1

  高利奇晶振,溫補(bǔ)晶振,GTXO-C14晶振,GTXO-S14晶振,貼片式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-ExpressSDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.

  貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(zhǎng)短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理,有一項(xiàng)不完善都會(huì)使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定

2GGCSGL-2

型號(hào)

GTXO- C14(TCXO)

輸出頻率范圍

1?100MHz

標(biāo)準(zhǔn)頻率

16.3676MHz/16.367667MHz/16.368MHz/16.369MHz/16.8MHz/26MHz/33.6MHz

電源電壓范圍

3.0?+5.0V

電源電壓(Vcc

+3.0V/+5.0V

消耗電流

+1.5mA max.f26MHz/+2.0mA max.26f52MHz

待機(jī)時(shí)電流

-

輸出電壓

0.8Vp-p min.f52MHz)(削峰正弦波/DC-coupled

輸出負(fù)載

10kΩ//10pF

頻率穩(wěn)定度

常溫偏差

±1.5×10-6 max.After 2 reflows

溫度特性

±0.5×10-6,±2.5×10-6 max./-30?+85
±0.5×10-6,±2.5×10-6 max./-40
?+85Option

電源電壓特性

±0.2×10-6 max.VCC ±5%

負(fù)載變化特性

±0.2×10-6 max.10kΩ//10pF±10%

長(zhǎng)期變化

±1.0×10-6 max./year

頻率控制

控制靈敏度

-

頻率控制極性

-

啟動(dòng)時(shí)間

2.0ms max.

型號(hào)

GTXO- S14(TCXO)

輸出頻率范圍

6.4?54MHz

標(biāo)準(zhǔn)頻率

16.3676MHz/16.367667MHz/16.368MHz/16.369MHz/16.8MHz/26MHz/33.6MHz

電源電壓范圍

3.3V?+5.0V

電源電壓(Vcc

3.3V/+5.0V

消耗電流

+1.5mA max.f26MHz/+2.0mA max.26f52MHz

待機(jī)時(shí)電流

-

輸出電壓

0.8Vp-p min.f52MHz)(削峰正弦波/DC-coupled

輸出負(fù)載

10kΩ//10pF

頻率穩(wěn)定度

常溫偏差

±1.5×10-6 max.After 2 reflows

溫度特性

±0.5×10-6,±2.5×10-6 max./-30?+85
±0.5×10-6,±2.5×10-6 max./-40
?+85Option

電源電壓特性

±0.2×10-6 max.VCC ±5%

負(fù)載變化特性

±0.2×10-6 max.10kΩ//10pF±10%

長(zhǎng)期變化

±1.0×10-6 max./year

頻率控制

控制靈敏度

-

頻率控制極性

-

啟動(dòng)時(shí)間

2.0ms max.

3CCGL-3

gtxo14 20.8-13.2 TCXO

4ZYSXGL-4

所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)

1:抗沖擊

抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用。因?yàn)闊o論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響。

2:輻射

將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長(zhǎng)時(shí)間的照射。

3:化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境

請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。

4:粘合劑

請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)

5:鹵化合物

請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。

6:靜電

過高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。高利奇晶振,溫補(bǔ)晶振,GTXO-C14晶振,GTXO-S14晶振

5HBFZ

GL-5高利奇晶振環(huán)保理念

  高利奇石英晶振公司通過BSI質(zhì)量保證,獲得了ISO 9001:2015的認(rèn)證.BSI是世界領(lǐng)先的認(rèn)證機(jī)構(gòu)之一.自我們于1996年在ISO 9002 - 1994的原始認(rèn)證以來,每一項(xiàng)評(píng)估都顯示出一份清潔的健康法案,沒有不一致的情況.

  作為世界領(lǐng)先的SMD晶振,貼片晶振, 石英晶體諧振器,石英晶體供應(yīng)商,高利奇晶振公司敏銳地意識(shí)到我們的責(zé)任,確保我們的產(chǎn)品不受有害物質(zhì)和高度關(guān)注的物質(zhì)的影響,而且所有的部件材料都是由無沖突地區(qū)負(fù)責(zé)的.

  高利奇石英晶振公司認(rèn)真對(duì)待環(huán)境,管理環(huán)境管理系統(tǒng),并將其重新編碼到ISO14001.我們的環(huán)境政策,作為我們不斷改進(jìn)的動(dòng)力的一部分,我們也鼓勵(lì)員工在生活的各個(gè)方面都意識(shí)到他們對(duì)環(huán)境的影響.

6LXFSGL-6

聯(lián)系人:李玉龍

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地址:深圳市寶安區(qū)中心區(qū)商都賽格電子大廈1C48

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ODEMDLVTNF-200.000000,臺(tái)灣泰藝晶振,7050石英晶體,物料編碼為ODEMDLVTNF-200.000000,型號(hào)為OD-M系列晶振,頻率為200MHz,輸出為L(zhǎng)VDS,電壓為3.3V,精度為±25ppm,工作溫度為-40℃~85℃,尺寸為7.0*5.0mm晶振,7050石英晶振,有源晶體,SMD晶振,LVDS差分晶振,貼片晶振,石英晶體振蕩器,晶振廠家,OSC晶振,八腳晶振,7050振蕩器,臺(tái)灣泰藝晶振,特點(diǎn):高精度,高溫度,高質(zhì)量,低抖動(dòng),低電源電壓等,應(yīng)用在飛機(jī)部分零件,飛機(jī)安全系統(tǒng)和飛機(jī)顯示系統(tǒng)等產(chǎn)品。


OCKTGLJANF-30.000000,四腳貼片晶振,臺(tái)產(chǎn)泰藝晶振
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OCETDLJANF-25.000000,SPXO晶振,臺(tái)灣泰藝晶振
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