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高利奇晶振,有源晶振,GXO-U108晶振,GXO-U109晶振

頻率：1.8 ~ 160MHz 尺寸：7.5*5.0mm 小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn)

訂購(gòu)熱線：0755-27839151

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高利奇晶振,有源晶振,GXO-U108晶振,GXO-U109晶振,SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本WLAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.

超小型石英貼片晶振晶片的設(shè)計(jì)：石英晶片的長(zhǎng)寬尺寸已要求在±0.00２mm內(nèi)，由于貼片晶振晶片很小導(dǎo)致晶體的各類寄生波(如長(zhǎng)度伸縮振動(dòng)，面切變振動(dòng))與主振動(dòng)(厚度切變振動(dòng))的耦合加強(qiáng)，從而造成如若石英晶振晶片的長(zhǎng)度或?qū)挾瘸叽缭O(shè)計(jì)不正確、使得振動(dòng)強(qiáng)烈耦合導(dǎo)致石英晶振的晶片不能正常工作，從而導(dǎo)致產(chǎn)品在客戶端不能正常使用，晶振的研發(fā)及生產(chǎn)超小型石英晶振完成晶片的設(shè)計(jì)特別是外形尺寸的設(shè)計(jì)是首要需解決的技術(shù)問題，公司在此方面通過理論與實(shí)踐相結(jié)合，模擬出一整套此石英晶振晶片設(shè)計(jì)的計(jì)算機(jī)程序，該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應(yīng)用并取得很好的效果。

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項(xiàng)目	符號(hào)	GXO-U108規(guī)格說明	條件
輸出頻率范圍	f₀	1.8 ~ 80.0MHz 12.0kHz ~ 170MHz	請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓	V_CC	3.3V.5.0V	請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃ to +85℃	請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料http://www.ljbzc.com
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無負(fù)載條件、最大工作頻率
待機(jī)電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負(fù)載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CC Max.	ST 終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 終端
上升/下降時(shí)間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動(dòng)時(shí)間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

項(xiàng)目	符號(hào)	GXO-U109規(guī)格說明	條件
輸出頻率范圍	f0	1.8 ~ 160MHz	請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓	VCC	1.8V-2.8V	請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃ to +85℃	請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料http://www.ljbzc.com
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±50 × 10-6
		L: ±100 × 10-6
		T: ±150 × 10-6
功耗	ICC	3.5 mA Max.	無負(fù)載條件、最大工作頻率
待機(jī)電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	VOH	VCC-0.4V Min.
輸出電壓	VOL	0.4 V Max.
輸出負(fù)載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	VIH	80% VCC Max.	ST 終端
輸入電壓	VIL	20 % VCC Max.	ST 終端
上升/下降時(shí)間	tr / tf	4 ns Max.	20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動(dòng)時(shí)間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

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如果由頻率計(jì)數(shù)器測(cè)量的頻率比目標(biāo)頻率高，要增加石英晶振的電容（CL，或Cd以及C 8）的值，以降低頻率到目標(biāo)頻率，反之亦然。請(qǐng)檢查波形幅度是否改善或沒有經(jīng)過我們調(diào)整頻率。如果它的改善，這表示該電路的原始設(shè)計(jì)不是調(diào)諧到最佳共振點(diǎn)為晶體的情況。該晶振應(yīng)正常后，諧振點(diǎn)的調(diào)整。如果波形幅度甚至沒有提高的頻率非常接近目標(biāo)頻率，我們可以通過以下三種方法改進(jìn)：
方法1：降低產(chǎn)品線路外部電容（Cd和CG）的值，并通過石英晶體具有較低負(fù)載電容（CL）。
方法2：采用小電阻（RR）的晶體。
方法3：使用鎘和CG的不等價(jià)的設(shè)計(jì)。

我們可以增加鎘（XOUT）的負(fù)載電容和降低CG（辛）的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。我們建議您使用上面的方法來節(jié)省成本，保證安全。請(qǐng)用頻率計(jì)數(shù)器來測(cè)量所述晶體，以確保經(jīng)調(diào)整頻率仍然滿足原說明書后的波形的振幅進(jìn)行了改進(jìn)。如果頻率不符合規(guī)格，請(qǐng)采用晶體合適的CL值為根據(jù)您的目標(biāo)頻率。請(qǐng)采用晶振具有較低的CL如果頻率比目標(biāo)頻率，反之亦然高得多系統(tǒng)不能正常工作，由于輸出頻率會(huì)偏差很大。

高利奇晶振環(huán)保理念

高利奇石英晶振公司通過BSI質(zhì)量保證,獲得了ISO 9001:2015的認(rèn)證.BSI是世界領(lǐng)先的認(rèn)證機(jī)構(gòu)之一.自我們于1996年在ISO 9002 - 1994的原始認(rèn)證以來,每一項(xiàng)評(píng)估都顯示出一份清潔的健康法案,沒有不一致的情況.

作為世界領(lǐng)先的石英晶振,32.768K晶振, 石英晶體諧振器,石英晶體供應(yīng)商,高利奇晶振公司敏銳地意識(shí)到我們的責(zé)任,確保我們的產(chǎn)品不受有害物質(zhì)和高度關(guān)注的物質(zhì)的影響,而且所有的部件材料都是由無沖突地區(qū)負(fù)責(zé)的.

高利奇石英晶振公司認(rèn)真對(duì)待環(huán)境,管理環(huán)境管理系統(tǒng),并將其重新編碼到ISO14001.我們的環(huán)境政策,作為我們不斷改進(jìn)的動(dòng)力的一部分,我們也鼓勵(lì)員工在生活的各個(gè)方面都意識(shí)到他們對(duì)環(huán)境的影響.

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聯(lián)系人：李玉龍

電話：86-0755-27839151

手機(jī)：13828756848

QQ:987260611

郵箱：guanjiedz@163.com

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地址：深圳市寶安區(qū)中心區(qū)商都賽格電子大廈1C48

金屬面有源晶振高利奇石英晶體振蕩器 GXO-U108晶振

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跟此產(chǎn)品相關(guān)的產(chǎn)品 / Related Products

: NDK車載晶振,日本進(jìn)口貼片,2016石英振蕩器,NZ2016SHA,CMOS輸出晶振; NDK車載晶振,日本進(jìn)口貼片,2016石英振蕩器,NZ2016SHA,CMOS輸出晶振，NDK 晶振也用于此類高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）中，它們可以承受劇烈的沖擊和振動(dòng)，即使在劇烈的溫度變化下也能繼續(xù)準(zhǔn)確振蕩頻率，從而從底部支持安全性。NDK車載晶振NZ2016SHA的工作溫度范圍廣零下-40 -125攝氏度，能在極端惡劣的環(huán)境條件下具有穩(wěn)定的啟動(dòng)特性。該石英晶體振蕩器適合于安全類車載用途的高品質(zhì)，高信賴性設(shè)計(jì)，尺寸2.0×1.6mm，高度0.7mm，重量0.01g，超小型，量輕。低相位抖動(dòng)，可對(duì)應(yīng)CMOS輸出，纏帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接（無鉛對(duì)應(yīng)），為無鉛產(chǎn)品，符合AEC-Q100/Q200 標(biāo)準(zhǔn)。2016有源晶振，CMOS輸出晶振，日本進(jìn)口貼片晶振，汽車電子晶振。

: 低抖動(dòng)晶振,1XXB16368MAA,TCXO溫補(bǔ)晶振,進(jìn)口有源貼片,DSB221SDN; 低抖動(dòng)晶振,1XXB16368MAA,TCXO溫補(bǔ)晶振,進(jìn)口有源貼片,DSB221SDN 2520溫補(bǔ)晶振被廣泛應(yīng)用到一些比較高端的數(shù)碼通訊產(chǎn)品領(lǐng)域,GPS全球定位系統(tǒng),智能手機(jī),WiMAX和蜂窩和無線通信等產(chǎn)品,符合RoHS/無鉛。DSB221SDN系列晶振就是一款尺寸為2.5*2.0mm的溫補(bǔ)晶振，1XXB16368MAA支持低電壓，低相位噪聲，單體結(jié)構(gòu)，用于手機(jī)、GPS/GNSS、工業(yè)用無線通信設(shè)備等。低抖動(dòng)晶振，進(jìn)口有源貼片，2520貼片晶振，TCXO溫補(bǔ)晶振，日本大真空晶振，進(jìn)口KDS振蕩器，石英晶體振蕩器，數(shù)碼電子晶振，智能手機(jī)晶振。

: 石英晶振,25M貼片晶體,Q-THCH晶振,QCC325R5-25MHz晶振; 石英晶振,25M貼片晶體,Q-THCH晶振,QCC325R5-25MHz晶振，進(jìn)口石英晶體，5032石英晶振，XO有源晶體，歐美石英晶振，有源晶體振蕩器，SMD石英貼片晶體，編碼為：QCC325R5-25MHz，頻率：25 MHz，頻率公差性：±25ppm，電源電壓為：1.8V，工作溫度范圍：-20℃至+70℃，小體積晶振尺寸：5.0x3.2mm，CMOS輸出晶振，低衰減有源晶振，低電源電壓石英晶振，超小體積SMD時(shí)鐘晶體振蕩器，是貼片音叉晶體。應(yīng)用于時(shí)鐘晶振，智能手機(jī)晶振和全球定位系統(tǒng)等產(chǎn)品中，因產(chǎn)品本身體積小,SMD編帶型,可應(yīng)用于高性能自動(dòng)貼片焊接，環(huán)保性能符合歐盟ROHS/無鉛標(biāo)準(zhǔn)。