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NSK晶振,石英晶振,HC-49U晶振,HC-49UM-1晶振,HC-49UM-5晶振

尺寸:11.05x4.85mm 頻率： NSK引腳焊接型石英晶體元件.工廠倉庫長時間大量庫存常用頻點,.高精度的頻率和晶振本身更低的等效串聯(lián)電阻.常用負載電容,49/U石英晶振,因插件型鏡頭成本更低和更高的批量生產能力.主要應用于電視,機頂盒,LCDM和游戲機家用常規(guī)電器數(shù)碼產品等的最佳選擇.符合RoHS/無鉛.

訂購熱線：0755-27839151

產品相關資料

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NSK-1

NSK晶振,石英晶振,HC-49U晶振,HC-49UM-1晶振,HC-49UM-5晶振,插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領域中也能使產品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時鐘信號發(fā)生源部分,好比時鐘單片機上的石英晶振,在極端嚴酷的環(huán)境條件下,晶振也能正常工作,具有穩(wěn)定的起振特性,高耐熱性,耐熱循環(huán)性和耐振性等的高可靠性能.

臺灣津綻NSK晶體科技是專業(yè)的石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器,陶瓷晶振,聲表面諧振器,貼片晶振制作商,公司創(chuàng)于臺灣1996年成立,創(chuàng)建品牌為【NSK】1997年在香港成立分公司,1998年在深圳成立分部,2001年到廣東省東莞市投資建廠,主要生產石英晶體諧振器,無源晶振,與石英晶體振蕩器,有源晶振,東冠生產線主要生產小尺寸SMD晶體系列.

NSK臺產晶振真空退火技術：晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產生的應力及輕微表面缺陷.在PLC控制程序中輸入已設計好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設定曲線對晶體組件進行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性.

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NSK-2

NSK晶振規(guī)格	單位	HC-49U晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	1.5M~160MHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標準溫度
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標準), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關的信息http://www.ljbzc.com
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負載電容	CL	7pF ～ ∞	超出標準說明,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

NSK晶振規(guī)格	單位	HC-49UM-1晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	3.5M~160MHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標準溫度
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標準), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關的信息http://www.ljbzc.com
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負載電容	CL	7pF ～ ∞	超出標準說明,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

NSK晶振規(guī)格	單位	HC-49UM-5晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	10M~160MHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標準溫度
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標準), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關的信息http://www.ljbzc.com
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負載電容	CL	7pF ～ ∞	超出標準說明,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

3CC

NSK-3

HC-49U晶振尺寸圖：

NXU HC-49U DIP 11.05-4.85

HC-49UM-1晶振尺寸圖：

NXA UM-1 DIP 8.0-3.2

HC-49UM-5晶振尺寸圖：

NXB UM-5 DIP 8.0-3.2

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NSK-4

在使用NSK晶振時應該要注意的事項：

1：抗沖擊

抗沖擊是指晶振產品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊.如果產品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.

2：輻射

將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導致產品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射.

3：化學制劑 / pH值環(huán)境

請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產品.

4：粘合劑

請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能.）

5：鹵化合物

請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.

6：靜電

過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作.NSK晶振,石英晶振,HC-49U晶振,HC-49UM-1晶振,HC-49UM-5晶振

5HBFZ

臺灣津綻晶振NSK晶體科技股份有限公司,依據(jù)‘ISO 14001環(huán)境/OHSAS-18001安衛(wèi)管理系統(tǒng)’要求制定本‘環(huán)境/安衛(wèi)手冊’,以界定本公司環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)之范圍,包括任何排除之細節(jié)及調整,并指引環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)與各書面、辦法書之對應關系,包含在環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)內之流程順序及交互作用的描述.NSK晶振公司環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)之適用范圍包含公司所有的活動、產品及服務.

臺灣津綻NSK晶振科技股份有限公司藉由環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)的推動執(zhí)行,以整合內部資源,奠定經營管理的基礎.藉執(zhí)行環(huán)境考量面/安衛(wèi)危害鑒別作業(yè),環(huán)境/安衛(wèi)管理方案和內部稽核為手段,合理化推動環(huán)境/安衛(wèi)管理,落實環(huán)境/安衛(wèi)系統(tǒng)有效實施.并不斷透過教育訓練灌輸員工環(huán)境/安衛(wèi)觀念及意識,藉由改善公司制程以達到污染預防、工業(yè)減廢、安全與衛(wèi)生、符合法規(guī)要求使企業(yè)永續(xù)發(fā)展減少環(huán)境/安衛(wèi)負擔,并滿足客戶需求,獲得客戶的信賴而努力.

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NSK-6

聯(lián)系人：李玉龍

電話：86-0755-27839151

手機：13828756848

QQ:987260611

郵箱：guanjiedz@163.com

www.ljbzc.com

地址：深圳市寶安區(qū)中心區(qū)商都賽格電子大廈1C48

NSK插件晶振石英晶體 HC-49U晶振

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: XIHEELAANF-4.000000,低頻晶振,泰藝進口插件晶振; XIHEELAANF-4.000000,低頻晶振,泰藝進口插件晶振，物料編碼為XIHEELAANF-4.000000，型號為XI，頻率為4MHz，精度為±30ppm，負載電容為20pF，工作溫度為：-40℃~85℃，尺寸為10.8*4.5mm，無源晶振，石英晶體，低頻晶振，晶振廠家，臺產晶振，二腳插件晶振，泰藝進口插件晶振，廣泛應用在衛(wèi)星發(fā)射站，潛艇，海上游輪，紅綠燈，智能玩具。

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