Statek晶振,OSC晶振,LHTAT晶振,LHGAT晶振
Statek晶振,OSC晶振,LHTAT晶振,LHGAT晶振,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應自動高速貼片機自動焊接,及IR回流焊接(無鉛對應),為無鉛產(chǎn)品,超小型,質地輕.產(chǎn)品被廣泛應用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無線發(fā)射基站
貼片晶振晶片邊緣處理技術:貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應,在實際操作中機器運動方式設計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設計必須合理,有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定
項目
符號
規(guī)格說明
條件
輸出頻率范圍
f0
320KHz~50MHZ
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電源電壓
VCC
1.60 V to 3.63 V
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儲存溫度
T_stg
-55℃ to +125℃
裸存
工作溫度
T_use
G: -40℃ to +85℃
請聯(lián)系我們查看更多資料http://www.ljbzc.com
H: -40℃ to +105℃
J: -40℃ to +125℃
頻率穩(wěn)定度
f_tol
J: ±50 × 10-6
L: ±100 × 10-6
T: ±150 × 10-6
功耗
ICC
3.5 mA Max.
無負載條件、最大工作頻率
待機電流
I_std
3.3μA Max.
ST=GND
占空比
SYM
45 % to 55 %
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓
VOH
VCC-0.4V Min.
VOL
0.4 V Max.
輸出負載條件
L_CMOS
15 pF Max.
輸入電壓
VIH
80% VCC Max.
ST 終端
VIL
20 % VCC Max.
上升/下降時間
tr / tf
4 ns Max.
20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動時間
t_str
3 ms Max.
t=0 at 90 %
頻率老化
f_aging
±3 × 10-6 / year Max.
+25 ℃, 初年度,第一年
石英晶體振蕩器和實時時鐘模塊:
所有石英晶體振蕩器和實時時鐘模塊都以IC形式提供。
噪音
在電源或輸入端上施加執(zhí)行級別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導致會引發(fā)功能失常或擊穿的閉門或雜散現(xiàn)象。
電源線路
電源的線路阻抗應盡可能低。
輸出負載
建議將石英晶振輸出負載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方(在20 mm范圍之間)。
未用輸入終端的處理
未用針腳可能會引起噪聲響應,從而導致非正常工作。同時,當P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加;因此,請將未用輸入終端連接到VCC 或GND。
熱影響
重復的溫度巨大變化可能會降低受損害的石英晶振產(chǎn)品特性,并導致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。
安裝方向
振蕩器的不正確安裝會導致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確。
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導致無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作,Statek晶振,OSC晶振,LHTAT晶振,LHGAT晶振

Statek晶振環(huán)保理念
STATEK晶振承諾保護環(huán)境,重視員工、客戶和公眾的健康和安全.我們從事任何活動,都要以注重安全和環(huán)保方式,并考慮到生態(tài)系統(tǒng)的復雜性和相關性.
建立目標指標、監(jiān)測程序,利用最好的管理手段,應用節(jié)約成本的技術,持續(xù)改進我們的環(huán)境表現(xiàn).我們承諾采取積極的、預防性的戰(zhàn)略管理來對自然環(huán)境和地方社區(qū)的影響最小化.
STATEK晶振環(huán)保環(huán)境與發(fā)展對策:實行可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略.采取有效措施,防治工業(yè)污染.提高能源利用效率,改善能源結構.運用經(jīng)濟手段保護環(huán)境.大力推進科技進步,加強環(huán)境科學研究,積極發(fā)展環(huán)境保護產(chǎn)業(yè).健全環(huán)境法規(guī),強化環(huán)境管理.加強環(huán)境教育,不斷提高環(huán)境意識.
STATEK晶振運用ISO14001環(huán)境管理系統(tǒng)進行環(huán)境管理,盡最大可能減小晶體振蕩器, ,壓電石英晶體,石英水晶振蕩子業(yè)務活動對環(huán)境造成的負擔,并通過業(yè)務發(fā)展推進環(huán)境改善.


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晶振廠家
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- 石英晶振
- 32.768KHz
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