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Statek晶振,oscillatorcrystal,LSM晶振

頻率：30 kHz to 400 kHz 700 kHz to 2.1 MHz 尺寸：10.16*4.57mm 主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.

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產(chǎn)品相關(guān)資料

1XQJX

Statek晶振,oscillatorcrystal,LSM晶振，有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接（無鉛對(duì)應(yīng)）產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要.

有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設(shè)計(jì)匹配技術(shù)：有源晶振是高頻振蕩器研發(fā)及生產(chǎn)過程必須要解決的技術(shù)難題。在設(shè)計(jì)過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外，還有石英晶體振蕩器的電極設(shè)計(jì)等其它的特殊性，必須考慮石英晶體振蕩器的供應(yīng)電壓、起動(dòng)電壓和產(chǎn)品上升時(shí)間、下降時(shí)間等相關(guān)參數(shù) 2GGCS Statek-2

項(xiàng)目	符號(hào)	規(guī)格說明	條件
輸出頻率范圍	f₀	30 kHz to 400 kHz	請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓	V_CC	1.60 V to 3.63 V	請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃ to +85℃	請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料http://www.ljbzc.com
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無負(fù)載條件、最大工作頻率
待機(jī)電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負(fù)載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CC Max.	ST 終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 終端
上升/下降時(shí)間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動(dòng)時(shí)間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

項(xiàng)目	符號(hào)	規(guī)格說明	條件
輸出頻率范圍	f0	700 kHz to 2.1 MHz	請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓	VCC	1.60 V to 3.63 V	請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃ to +85℃	請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料http://www.ljbzc.com
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±50 × 10-6
		L: ±100 × 10-6
		T: ±150 × 10-6
功耗	ICC	3.5 mA Max.	無負(fù)載條件、最大工作頻率
待機(jī)電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	VOH	VCC-0.4V Min.
輸出電壓	VOL	0.4 V Max.
輸出負(fù)載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	VIH	80% VCC Max.	ST 終端
輸入電壓	VIL	20 % VCC Max.	ST 終端
上升/下降時(shí)間	tr / tf	4 ns Max.	20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動(dòng)時(shí)間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

3CC Statek-3

LSC 4ZYSX Statek-4 自動(dòng)安裝時(shí)的沖擊：

石英晶振自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請(qǐng)?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對(duì)晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時(shí),請(qǐng)重新檢查安裝條件。同時(shí),在安裝前后,請(qǐng)確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。

每個(gè)封裝類型的注意事項(xiàng)

陶瓷包裝晶振與SON產(chǎn)品

在焊接陶瓷封裝晶振和SON產(chǎn)品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會(huì)因機(jī)械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂（開裂）。尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進(jìn)行電路板切割時(shí),務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法。

陶瓷包裝石英晶振

在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板（環(huán)氧玻璃）上焊接陶瓷封裝石英晶振時(shí),在溫度長(zhǎng)時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性。

（2）陶瓷封裝貼片晶振
在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板（環(huán)氧玻璃）上焊接陶瓷封裝貼片晶振時(shí),在溫度長(zhǎng)時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性。

（3）柱面式產(chǎn)品
產(chǎn)品的玻璃部分直接彎曲引腳或用力拉伸引腳會(huì)導(dǎo)致在引腳根部發(fā)生密封玻璃分裂（開裂）,也可能導(dǎo)致氣密性和產(chǎn)品特性受到破壞。當(dāng)石英晶振的引腳需彎曲成下圖所示形狀時(shí),應(yīng)在這種場(chǎng)景下留出0.5mm的引腳并將其托住,以免發(fā)生分裂。當(dāng)該引腳需修復(fù)時(shí),請(qǐng)勿拉伸,托住彎曲部分進(jìn)行修正。在該密封部分上施加一定壓力,會(huì)導(dǎo)致氣密性受到損壞。所以在此處請(qǐng)不要施加壓力。另外,為避負(fù)機(jī)器共振造成引腳疲勞切斷,建議用粘著劑將產(chǎn)品固在定電路板上。Statek晶振,oscillatorcrystal,LSM晶振 5HBFZ

Statek晶振環(huán)保理念

理念落實(shí)到壓電石英晶體、溫補(bǔ)晶振,石英晶振,貼片晶振生產(chǎn)建設(shè)全過程.

帶動(dòng)各項(xiàng)安全環(huán)保工作規(guī)范化、程序化、科學(xué)化管理,加快實(shí)現(xiàn)安全環(huán)保形勢(shì)持續(xù)好轉(zhuǎn)、根本好轉(zhuǎn)的工作思路.

進(jìn)一步解放思想,學(xué)習(xí)先進(jìn),總結(jié)實(shí)踐,針對(duì)新形勢(shì)、新情況,抓好理念創(chuàng)新,促進(jìn)安全環(huán)保工作更加科學(xué)、更加有效.

STATEK晶振公司堅(jiān)持運(yùn)用,不斷完善,持續(xù)改進(jìn),更要針對(duì)新情況、新問題,不斷學(xué)習(xí)先進(jìn),總結(jié)經(jīng)驗(yàn),結(jié)合實(shí)際,及時(shí)改進(jìn)舊方法,勇于擯棄落后方法.

要積極開展安全經(jīng)驗(yàn)分享活動(dòng),讓每一個(gè)單位、每一個(gè)人的經(jīng)驗(yàn)和教訓(xùn)變成大家的經(jīng)驗(yàn),成為企業(yè)的財(cái)富. 6LXFS

聯(lián)系人：李玉龍

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手機(jī)：13828756848

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Statek晶振 oscillatorcrystal LSM晶振

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: 石英晶振,25M貼片晶體,Q-THCH晶振,QCC325R5-25MHz晶振; 石英晶振,25M貼片晶體,Q-THCH晶振,QCC325R5-25MHz晶振，進(jìn)口石英晶體，5032石英晶振，XO有源晶體，歐美石英晶振，有源晶體振蕩器，SMD石英貼片晶體，編碼為：QCC325R5-25MHz，頻率：25 MHz，頻率公差性：±25ppm，電源電壓為：1.8V，工作溫度范圍：-20℃至+70℃，小體積晶振尺寸：5.0x3.2mm，CMOS輸出晶振，低衰減有源晶振，低電源電壓石英晶振，超小體積SMD時(shí)鐘晶體振蕩器，是貼片音叉晶體。應(yīng)用于時(shí)鐘晶振，智能手機(jī)晶振和全球定位系統(tǒng)等產(chǎn)品中，因產(chǎn)品本身體積小,SMD編帶型,可應(yīng)用于高性能自動(dòng)貼片焊接，環(huán)保性能符合歐盟ROHS/無鉛標(biāo)準(zhǔn)。

: FJ4800018,2520石英晶振,臺(tái)產(chǎn)百利通亞陶晶振; FJ4800018,2520石英晶振,臺(tái)產(chǎn)百利通亞陶晶振，物料編碼為FJ4800018，型號(hào)為FJ晶振，頻率為48MHZ，輸出為L(zhǎng)VCMOS，電壓為3.3V，精度為±25ppm，工作溫度范圍為-40℃~85℃，尺寸為2.5*2.0mm，2520振蕩器，2520石英晶振，四腳貼片晶振，晶振廠家，有源晶振，臺(tái)產(chǎn)晶振，SPXO晶振，四腳晶體，LVCMOS石英晶體，SMD晶體，臺(tái)產(chǎn)百利通亞陶晶振，有源振蕩器，具有低電壓，低差損，低耗能，低相噪，應(yīng)用在藍(lán)牙耳機(jī)，藍(lán)牙音響，藍(lán)牙音箱，無線充電寶，等產(chǎn)品上。

: FJ2500009,臺(tái)產(chǎn)高頻晶振,FJ系列晶振,百利通亞陶電子; FJ2500009,臺(tái)產(chǎn)高頻晶振,HX系列晶振,百利通亞陶電子，物料編碼為FJ2500009，型號(hào)為FJ系列晶振，頻率為25MHZ，輸出為L(zhǎng)VCMOS，電壓為3.3V，精度為±25ppm，工作溫度范圍為-40℃~85℃，尺寸為2.5*2.00mm，晶振廠家，臺(tái)產(chǎn)高頻晶振，OSC晶振，貼片晶振，四腳晶體，差分晶振，LVCMOS石英晶振，石英晶體振蕩器，SMD晶振，百利通亞陶電子，2520振蕩器，2520石英晶體，有源晶體振蕩器，特點(diǎn)：低電壓，低抖動(dòng)，低耗能，低相噪，應(yīng)用在智能手機(jī)，智能電腦，智能手環(huán)，平板電腦等產(chǎn)品上。