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高利奇晶振,有源晶振,MCSO2晶振,MCSO2F晶振,MCSO2E晶振

頻率:10.0kHz ~ 225MHz 尺寸:5.0*3.2mm 5032mm體積的溫補(bǔ)晶振(TCXO),是目前有源晶振中體積最小的一款,產(chǎn)品本身帶溫度補(bǔ)償作用的晶體振蕩器,該體積產(chǎn)品最適合于GPS,以及衛(wèi)星通訊系統(tǒng),智能電話等多用途的高穩(wěn)定的頻率溫度特性晶振.為對(duì)應(yīng)低電源電壓的產(chǎn)品.
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1XQJX

GL-1

  高利奇晶振,有源晶振,MCSO2晶振,MCSO2F晶振,MCSO2E晶振,5032mm體積的石英晶體振蕩器有源晶振,改產(chǎn)品可驅(qū)動(dòng)2.5V的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對(duì)應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)自動(dòng)焊接,IR回流焊接(無鉛對(duì)應(yīng)),為無鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無線發(fā)射基站.

  貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(zhǎng)短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理,有一項(xiàng)不完善都會(huì)使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定。

2GGCSGL-2

項(xiàng)目

符號(hào)

MCSO2規(guī)格說明

條件

輸出頻率范圍

f0

10.0kHz ~ 225MHz

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電源電壓

VCC

1.8V-5.0 V

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儲(chǔ)存溫度

T_stg

-55 to +125

裸存

工作溫度

T_use

G: -40 to +85

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H: -40 to +105

J: -40 to +125

頻率穩(wěn)定度

f_tol

J: ±50 × 10-6

 

L: ±100 × 10-6

T: ±150 × 10-6

功耗

ICC

3.5 mA Max.

無負(fù)載條件、最大工作頻率

待機(jī)電流

I_std

3.3μA Max.

ST=GND

占空比

SYM

45 % to 55 %

50 % VCC , L_CMOS15 pF

輸出電壓

VOH

VCC-0.4V Min.

 

VOL

0.4 V Max.

 

輸出負(fù)載條件

L_CMOS

15 pF Max.

 

輸入電壓

VIH

80% VCC Max.

ST 終端

VIL

20 % VCC Max.

上升/下降時(shí)間

tr / tf

4 ns Max.

20 % VCC to 80 % VCC , L_CMOS=15 pF

振蕩啟動(dòng)時(shí)間

t_str

3 ms Max.

t=0 at 90 %

頻率老化

f_aging

±3 × 10-6 / year Max.

+25 , 初年度,第一年

項(xiàng)目

符號(hào)

MCSO2F規(guī)格說明

條件

輸出頻率范圍

f0

10.0kHz ~ 225MHz

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電源電壓

VCC

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T: ±150 × 10-6

功耗

ICC

3.5 mA Max.

無負(fù)載條件、最大工作頻率

待機(jī)電流

I_std

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ST=GND

占空比

SYM

45 % to 55 %

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輸出電壓

VOH

VCC-0.4V Min.

 

VOL

0.4 V Max.

 

輸出負(fù)載條件

L_CMOS

15 pF Max.

 

輸入電壓

VIH

80% VCC Max.

ST 終端

VIL

20 % VCC Max.

上升/下降時(shí)間

tr / tf

4 ns Max.

20 % VCC to 80 % VCC , L_CMOS=15 pF

振蕩啟動(dòng)時(shí)間

t_str

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頻率老化

f_aging

±3 × 10-6 / year Max.

+25 初年度,第一年

項(xiàng)目

符號(hào)

MCSO2E規(guī)格說明

條件

輸出頻率范圍

f0

10.0kHz ~ 100MHz

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電源電壓

VCC

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工作溫度

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J: -40 to +125

頻率穩(wěn)定度

f_tol

J: ±50 × 10-6

 

L: ±100 × 10-6

T: ±150 × 10-6

功耗

ICC

3.5 mA Max.

無負(fù)載條件、最大工作頻率

待機(jī)電流

I_std

3.3μA Max.

ST=GND

占空比

SYM

45 % to 55 %

50 % VCC , L_CMOS15 pF

輸出電壓

VOH

VCC-0.4V Min.

 

VOL

0.4 V Max.

 

輸出負(fù)載條件

L_CMOS

15 pF Max.

 

輸入電壓

VIH

80% VCC Max.

ST 終端

VIL

20 % VCC Max.

上升/下降時(shí)間

tr / tf

4 ns Max.

20 % VCC to 80 % VCC , L_CMOS=15 pF

振蕩啟動(dòng)時(shí)間

t_str

3 ms Max.

t=0 at 90 %

頻率老化

f_aging

±3 × 10-6 / year Max.

+25 初年度,第一年

3CCGL-3

mcso2 5032 OSC

4ZYSXGL-4


  關(guān)于沖洗清潔音叉型晶振由于采用小型、薄型的晶振芯片,以及相對(duì)而言頻率與超音波清潔器相近,所以會(huì)由于共振而容易受到破壞,因此請(qǐng)不要用超音波清潔器來沖洗晶振。 關(guān)于機(jī)械性沖擊

(1) 從設(shè)計(jì)角度而言,即使石英晶振從高度75cm處落到硬質(zhì)木板上三次,按照設(shè)計(jì)不會(huì)發(fā)生什么問題,但因落下時(shí)的不同條件而異,有可能導(dǎo)致石英芯片的破損。在使之落下或?qū)λ┘記_擊之時(shí),在使用之前,建議確認(rèn)一下振蕩檢查等的條件。

(2) SMD晶振與電阻以及電容器的芯片產(chǎn)品不同,由于在內(nèi)部對(duì)石英晶振晶片進(jìn)行了密封保護(hù),因此關(guān)于在自動(dòng)安裝時(shí)由于沖擊而導(dǎo)致的影響,請(qǐng)?jiān)谑褂弥?,懇?qǐng)貴公司另外進(jìn)行確認(rèn)工作。

(3) 請(qǐng)盡量避免將本公司的音叉型晶振與機(jī)械性振動(dòng)源(包括超聲波振動(dòng)源)安裝到同一塊基板上,不得已要安裝到同一塊基板上時(shí),請(qǐng)確保晶振能正常工作。高利奇晶振,有源晶振,MCSO2晶振,MCSO2F晶振,MCSO2E晶振

5HBFZ

GL-5

高利奇晶振環(huán)保理念

  高利奇石英晶振公司深入貫徹落實(shí)科學(xué)發(fā)展觀,牢固樹立安全發(fā)展理念,強(qiáng)化責(zé)任,狠抓落實(shí),加強(qiáng)防范,堅(jiān)決遏制重特大事故發(fā)生.

  要毫不松懈地抓好32.768K晶振、壓電石英晶體、貼片晶振,有源晶體、安全環(huán)保工作,堅(jiān)持把“環(huán)保優(yōu)先、安全第一、質(zhì)量至上、以人為本”的理念落實(shí)到生產(chǎn)建設(shè)全過程.

  帶動(dòng)各項(xiàng)安全環(huán)保工作規(guī)范化、程序化、科學(xué)化管理,加快實(shí)現(xiàn)安全環(huán)保形勢(shì)持續(xù)好轉(zhuǎn)、根本好轉(zhuǎn)的工作思路.

  高利奇石英晶振公司進(jìn)一步解放思想,學(xué)習(xí)先進(jìn),總結(jié)實(shí)踐,針對(duì)新形勢(shì)、新情況,抓好理念創(chuàng)新,促進(jìn)安全環(huán)保工作更加科學(xué)、更加有效.

6LXFSGL-6

聯(lián)系人:李玉龍

電話:86-0755-27839151

手機(jī):13828756848

QQ:987260611

郵箱:guanjiedz@163.com

www.ljbzc.com

地址:深圳市寶安區(qū)中心區(qū)商都賽格電子大廈1C48

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產(chǎn)品直通車

晶振廠家
進(jìn)口晶振
臺(tái)產(chǎn)晶振
有源晶振
霧化片
32.768K晶振

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