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NSK晶振,有源晶振,32.768K晶振,NAOH晶振

尺寸：5.0x3.2mm 頻率:32.768KHZ, NSK津綻5032mm體積的石英晶體振蕩器有源晶振,該產(chǎn)品可驅(qū)動2.5V的溫補晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應(yīng)自動高速貼片機自動焊接,及IR回流焊接（無鉛對應(yīng)）,為無鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無線發(fā)射基站.

訂購熱線：0755-27839151

產(chǎn)品相關(guān)資料

1XQJX

NSK-1

NSK晶振,有源晶振,32.768K晶振,NAOH晶振,貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設(shè)計匹配技術(shù)：有源晶振是高頻振蕩器研發(fā)及生產(chǎn)過程必須要解決的技術(shù)難題.在設(shè)計過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外,還有石英晶體振蕩器的電極設(shè)計等其它的特殊性,必須考慮石英晶體振蕩器的供應(yīng)電壓、起動電壓和產(chǎn)品上升時間、下降時間等相關(guān)參數(shù).

臺灣津綻晶振NSK晶體科技股份有限公司擁有超過 10 年以上的生產(chǎn)經(jīng)驗,秉持著持續(xù)開發(fā)與專業(yè)技術(shù)支持,提供使用者最佳的解決方案及最好的服務(wù)品質(zhì).NSK是津綻石英科技股份有限公司於全球的銷售品牌,具有良好競爭性的價格及靈活快速的交貨管理.

2GGCS

NSK-2

項目	符號	規(guī)格說明	條件
輸出頻率范圍	f₀	32.768KHZ	請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓	V_CC	1.60 V to 3.63 V	請聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息
儲存溫度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃ to +85℃	請聯(lián)系我們查看更多資料http://www.ljbzc.com
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無負(fù)載條件、最大工作頻率
待機電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負(fù)載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CC Max.	ST 終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 終端
上升/下降時間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動時間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

NAOH 53 5032 32.768k OSC

4ZYSX

NSK-4

以下是NSK石英晶振電路設(shè)計匹配問題：
一般來說,微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下：
鎘和CG是外部負(fù)載電容,其中已建成的芯片組. （請參閱芯片組的規(guī)格）
Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻.它的內(nèi)置芯片一般設(shè)置.
Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?.這個阻力是沒有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路.
一個穩(wěn)定的振蕩電路需要的負(fù)電阻,其值應(yīng)是晶振阻力的至少五倍.它可寫為|-R|>5的Rr.
例如,為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中,IC的負(fù)電阻的值必須小于？200Ω時的晶振電阻值是40Ω.負(fù)阻“的標(biāo)準(zhǔn)來評估一個振蕩電路的質(zhì)量.在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的.因此,這是非常重要的衡量負(fù)電阻（-R）以下說明：
線路連接的電阻（R）與晶體串聯(lián)
（2）從起點到振蕩的停止點調(diào)整R的值.
（3）振蕩期間測量R的值.
（4）你將能夠獲得負(fù)電阻的值,|?R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力.
附：所連接的電路的雜散電容,可能會影響測定值.
如果晶振的參數(shù)是正常的,但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅(qū)動電路.如果是這樣的話,我們有三種方法來改善這樣的情況：
降低外部電容（Cd和CG）的值,并采用其他晶振具有較低負(fù)載電容（CL）.
采用具有較低電阻（RR）的晶振.NSK晶振,有源晶振,32.768K晶振,NAOH晶振
使用光盤和CG的不等價的設(shè)計.我們可以增加鎘（XOUT）的負(fù)載電容和降低CG（辛）的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出.
當(dāng)有信號輸出從XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情況下 - 電極后端電路是極其巨大的.我們可以添加一個緩沖電路的輸出和它的后電極之間,以驅(qū)動后端電路.
但1-5的方法上面提到的,你也可以按照步驟1-4-4的三種方法.如有不明白請聯(lián)系我公司晶振的應(yīng)用工程師和IC制造商尋求進(jìn)一步的幫助,如果你的問題不能得到解決.系統(tǒng)無法運行,因為晶體沒有足夠的輸出波形振幅.

5HBFZ

NSK-5

臺灣津綻NSK CRYSTAL科技股份有限公司藉由環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)的推動執(zhí)行,以整合內(nèi)部資源,奠定經(jīng)營管理的基礎(chǔ).藉執(zhí)行環(huán)境考量面/安衛(wèi)危害鑒別作業(yè),環(huán)境/安衛(wèi)管理方案和內(nèi)部稽核為手段,合理化推動環(huán)境/安衛(wèi)管理,落實環(huán)境/安衛(wèi)系統(tǒng)有效實施.并不斷透過教育訓(xùn)練灌輸員工環(huán)境/安衛(wèi)觀念及意識,藉由改善公司制程以達(dá)到污染預(yù)防、工業(yè)減廢、安全與衛(wèi)生、符合法規(guī)要求使企業(yè)永續(xù)發(fā)展減少環(huán)境/安衛(wèi)負(fù)擔(dān),并滿足客戶需求,獲得客戶的信賴而努力.

臺灣NSK石英晶振環(huán)?；纠砟睿?/span>

1.作為良好的企業(yè)市民,遵循本公司的行動方針,充分關(guān)心維護(hù)地球環(huán)境.遵守國內(nèi)外的有關(guān)環(huán)保法規(guī).

2.保護(hù)自然環(huán)境,充分關(guān)注自然生態(tài)等方面的環(huán)境保護(hù),維持和保全生物多樣性.

3.有效利用資源和能源,認(rèn)識到資源和能源的有限性,努力進(jìn)行有效利用.

4為構(gòu)建循環(huán)型社會做出貢獻(xiàn),致力于減少石英晶振,貼片晶振,有源晶振,石英晶體振蕩器,NSK石英體廢棄物及廢棄物的再利用核再生循環(huán),努力構(gòu)建循環(huán)型社會.

5.推進(jìn)環(huán)保型業(yè)務(wù),充分發(fā)揮綜合實力,推進(jìn)環(huán)保型業(yè)務(wù),為減輕社會的環(huán)境負(fù)荷做出貢獻(xiàn).

6.建立環(huán)境管理系統(tǒng),充分運用環(huán)境管理系統(tǒng),設(shè)定環(huán)境目的和目標(biāo),定期修正,不斷改善,努力預(yù)防環(huán)境污染.

NSK晶振環(huán)保環(huán)境與發(fā)展對策：實行可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略.采取有效措施,防治工業(yè)污染.提高石英晶振,有源晶體振蕩器,OSC晶振材料的+能源利用效率,改善能源結(jié)構(gòu).運用經(jīng)濟手段保護(hù)環(huán)境.大力推進(jìn)科技進(jìn)步,加強環(huán)境科學(xué)研究,積極發(fā)展環(huán)境保護(hù)產(chǎn)業(yè).健全環(huán)境法規(guī),強化環(huán)境管理.加強環(huán)境教育,不斷提高環(huán)境意識.

6LXFS

NSK-6

聯(lián)系人：李玉龍

電話：86-0755-27839151

手機：13828756848

QQ:987260611

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SMD有源晶體 NAOH晶振 32.768K晶振

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: AXE5032P-50-25-0C-100.000MHz,5032mm,AXTAL基站晶振,100MHZ; AXE5032P-50-25-0C-100.000MHz,5032mm,HCMOS,AXTAL基站晶振,100MHZ,歐美進(jìn)口晶振,AXTAL有源晶振,時鐘振蕩器,有源晶體振蕩器,可編程晶體振蕩器,100MHZ貼片晶振,HCMOS輸出晶振,5032mm小體積晶振,SPXO振蕩器,尺寸5.0*3.2mm,頻率16MHZ,輸出HCMOS,高性能晶振,高品質(zhì)晶振,低電壓晶振,低相位晶振,微波通信晶振,空中雷達(dá)晶振,便攜式設(shè)備晶振,智能家電晶振.

GED以太網(wǎng)晶振,SMD600.3C(E/D)-32.000MHz,6035mm,3.3V

GED以太網(wǎng)晶振,SMD600.3C(E/D)-32.000MHz,6035mm,3.3V,美國GED振蕩器,有源貼片晶振,有源晶體振蕩器,OSC貼片晶振,6035mm有源晶振,時鐘有源晶振,32M晶體振蕩器,貼片有源晶振,尺寸6.0*3.5mm,頻率32MHZ,電壓3.3V,輸出HCMOS,低老化晶振,低電壓晶振,低功耗晶振,高品質(zhì)晶振,低相位晶振,測試設(shè)備晶振,智能手機晶振,數(shù)字音頻晶振,無線局域網(wǎng)晶振,以太網(wǎng)晶振,視聽設(shè)備晶振.