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NDK晶振,貼片晶振,NT2016SD晶振

2016mm體積貼片晶振適用于汽車(chē)電子領(lǐng)域的表面貼片型石英晶振,本產(chǎn)品已被確定的高信賴(lài)性最適合用于汽車(chē)電子部件,晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,晶振本身具有耐熱,耐振,耐沖擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線(xiàn)要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).

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產(chǎn)品相關(guān)資料

智能手機(jī)晶振,表面貼片型石英晶振,NT2016SD晶振

NDK晶振,貼片晶振,NT2016SD晶振,貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因?yàn)榫д癖旧硇⌒突枨蟮氖袌?chǎng)領(lǐng)域,小型?薄型是對(duì)應(yīng)陶瓷諧振器（偏差大）和普通的石英晶體諧振器（偏差?。┑闹虚g領(lǐng)域的一種性?xún)r(jià)比較出色的產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛用于筆記本電腦,無(wú)線(xiàn)電話(huà),衛(wèi)星導(dǎo)航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合無(wú)鉛焊接的高溫回流焊曲線(xiàn)特性.

石英晶振的切割設(shè)計(jì)：用不同角度對(duì)晶振的石英晶棒進(jìn)行切割，可獲得不同特性的石英晶片，通常我們把晶振的石英晶片對(duì)晶棒坐標(biāo)軸某種方位（角度）的切割稱(chēng)為石英晶片的切型。不同切型的石英晶片，因其彈性性質(zhì)，壓電性質(zhì)，溫度性質(zhì)不同，其電特性也各異，石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。其它切型還有 CT、DT、GT、NT 等。超小型石英貼片晶振晶片的設(shè)計(jì)：石英晶片的長(zhǎng)寬尺寸已要求在±0.00２mm內(nèi)，由于貼片晶振晶片很小導(dǎo)致晶體的各類(lèi)寄生波(如長(zhǎng)度伸縮振動(dòng)，面切變振動(dòng))與主振動(dòng)(厚度切變振動(dòng))的耦合加強(qiáng)，從而造成如若石英晶振晶片的長(zhǎng)度或?qū)挾瘸叽缭O(shè)計(jì)不正確、使得振動(dòng)強(qiáng)烈耦合導(dǎo)致石英晶振的晶片不能正常工作，從而導(dǎo)致產(chǎn)品在客戶(hù)端不能正常使用，晶振的研發(fā)及生產(chǎn)超小型石英晶振完成晶片的設(shè)計(jì)特別是外形尺寸的設(shè)計(jì)是首要需解決的技術(shù)問(wèn)題，公司在此方面通過(guò)理論與實(shí)踐相結(jié)合，模擬出一整套此石英晶振晶片設(shè)計(jì)的計(jì)算機(jī)程序，該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應(yīng)用并取得很好的效果。智能手機(jī)晶振,表面貼片型石英晶振,NT2016SD晶振

智能手機(jī)晶振,表面貼片型石英晶振,NT2016SD晶振

項(xiàng)目	符號(hào)	規(guī)格說(shuō)明	條件
輸出頻率范圍	f₀	10-52MHZ	請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓	V_CC	1.60 V to 3.63 V	請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃ to +85℃	請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料http://www.ljbzc.com
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無(wú)負(fù)載條件、最大工作頻率
待機(jī)電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負(fù)載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CC Max.	ST 終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 終端
上升/下降時(shí)間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動(dòng)時(shí)間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

智能手機(jī)晶振,表面貼片型石英晶振,NT2016SD晶振

1：抗沖擊

抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。因?yàn)闊o(wú)論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響。

2：輻射

將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽(yáng)光長(zhǎng)時(shí)間的照射。

3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境

請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。

4：粘合劑

請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致有源晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。）

5：鹵化合物

請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂。智能手機(jī)晶振,表面貼片型石英晶振,NT2016SD晶振

6：靜電

過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。

NDK晶振,貼片晶振,NT2016SD晶振

日本電波工業(yè)株式已經(jīng)建立和正在推動(dòng)一項(xiàng)中期計(jì)劃的具體減排目標(biāo)，以減少二氧化碳的排放是全球變暖的原因。它也有助于減少（抑制）CO2排放量，通過(guò)使用最先進(jìn)的技術(shù)，實(shí)現(xiàn)最小化，以及減少石英晶體諧振器,石英晶體的重量和功耗，以支持社會(huì)的需要。

日本電波工業(yè)株式NDK晶振的新概念的智能手機(jī)晶振,溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器器件。通過(guò)貼片晶振,石英晶振等產(chǎn)品生命周期提高整體節(jié)能貢獻(xiàn)和環(huán)境績(jī)效的舉措。制造-環(huán)境友好生產(chǎn)—優(yōu)化-提高性能/效率的節(jié)能貢獻(xiàn)—通過(guò)制造致密/復(fù)雜產(chǎn)品減少資源節(jié)約—環(huán)境消除/減少環(huán)境負(fù)荷物質(zhì)—2016溫補(bǔ)晶振這些是倡議的支柱。

制造業(yè)-環(huán)保生產(chǎn)—我們將介紹一些情況下，發(fā)現(xiàn)CO2排放量的產(chǎn)品生命周期使用環(huán)境LCA方法。智能手機(jī)晶振,表面貼片型石英晶振,NT2016SD晶振

日本電波工業(yè)株式NDK晶振所說(shuō)的LCA指的是“生命周期評(píng)估”，它包括評(píng)估產(chǎn)品的壽命。在這里，產(chǎn)品的生命不僅僅是產(chǎn)品本身的制造階段，而是包括原料組成產(chǎn)品的零件/材料的開(kāi)采階段，包括石英晶體,高穩(wěn)定性晶振,差分晶振,有源晶振產(chǎn)品的制造階段，銷(xiāo)售階段，包括到產(chǎn)品交付給用戶(hù)使用的階段，包括產(chǎn)品使用由用戶(hù)和維修/維護(hù)參與它，和處置階段，通過(guò)用戶(hù)廢棄產(chǎn)品回收，回收或處置。在ISO14000系列環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)中也建立了國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。NDK晶振,貼片晶振,NT2016SD晶振

聯(lián)系人：李玉龍

電話(huà)：86-0755-27839151

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智能手機(jī)晶振表面貼片型石英晶振 NT2016SD晶振

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