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NDK晶振,貼片晶振,NV13M08YN晶振

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應）產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.

訂購熱線：0755-27839151

產品相關資料

超小型晶振,低消耗晶振,NV13M08YN晶振

NDK晶振,貼片晶振,NV13M08YN晶振,13.8*8.9mm體積的石英晶體振蕩器有源晶振,改產品可驅動2.5V的溫補晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應自動高速貼片機自動焊接,及IR回流焊接（無鉛對應）,為無鉛產品,超小型,質地輕.產品被廣泛應用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無線發(fā)射基站.

有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設計匹配技術：石英晶振是高頻振蕩器研發(fā)及生產過程必須要解決的技術難題。在設計過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外，還有石英晶體振蕩器的電極設計等其它的特殊性，必須考慮石英晶體振蕩器的供應電壓、起動電壓和產品上升時間、下降時間等相關參數。

超小型晶振,低消耗晶振,NV13M08YN晶振

項目	符號	規(guī)格說明	條件
輸出頻率范圍	f₀	1600-2200MHZ	請聯系我們以便獲取其它可用頻率的相關信息
電源電壓	V_CC	1.60 V to 3.63 V	請聯系我們以了解更多相關信息
儲存溫度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃ to +85℃	請聯系我們查看更多資料http://www.ljbzc.com
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無負載條件、最大工作頻率
待機電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CC Max.	ST 終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 終端
上升/下降時間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動時間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

超小型晶振,低消耗晶振,NV13M08YN晶振

所有石英晶體振蕩器和實時時鐘模塊都以IC形式提供。

噪音

在電源或輸入端上施加執(zhí)行級別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導致會引發(fā)功能失?；驌舸┑拈]門或雜散現象。

電源線路

電源的線路阻抗應盡可能低。超小型晶振,低消耗晶振,NV13M08YN晶振

輸出負載

建議將石英晶振輸出負載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方（在20 mm范圍之間）。

未用輸入終端的處理

未用針腳可能會引起噪聲響應,從而導致非正常工作。同時,當P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加；因此,請將未用輸入終端連接到VCC 或GND。超小型晶振,低消耗晶振,NV13M08YN晶振

熱影響

重復的溫度巨大變化可能會降低受損害的石英晶振產品特性,并導致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。

安裝方向

振蕩器的不正確安裝會導致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確。

通電

不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導致無法產生振蕩和/或非正常工作。

NDK晶振,貼片晶振,NV13M08YN晶振

日本電波工業(yè)株式已經建立和正在推動一項中期計劃的具體減排目標，以減少二氧化碳的排放是全球變暖的原因。它也有助于減少（抑制）CO2排放量，通過使用最先進的技術，實現最小化，以及減少石英晶體諧振器,石英晶體的重量和功耗，以支持社會的需要。

日本電波工業(yè)株式NDK晶振的新概念的石英晶振,溫補晶振,石英晶體振蕩器器件。通過貼片晶振,石英晶振等產品生命周期提高整體節(jié)能貢獻和環(huán)境績效的舉措。制造-環(huán)境友好生產—優(yōu)化-提高性能/效率的節(jié)能貢獻—通過制造致密/復雜產品減少資源節(jié)約—環(huán)境消除/減少環(huán)境負荷物質—低抖動晶振這些是倡議的支柱。

制造業(yè)-環(huán)保生產—我們將介紹一些情況下，發(fā)現CO2排放量的產品生命周期使用環(huán)境LCA方法。超小型晶振,低消耗晶振,NV13M08YN晶振

日本電波工業(yè)株式NDK晶振所說的LCA指的是“生命周期評估”，它包括評估產品的壽命。在這里，產品的生命不僅僅是產品本身的制造階段，而是包括原料組成產品的零件/材料的開采階段，包括石英晶體,NDK壓控晶振,差分晶振,有源晶振產品的制造階段，銷售階段，包括到產品交付給用戶使用的階段，包括產品使用由用戶和維修/維護參與它，和處置階段，通過用戶廢棄產品回收，回收或處置。在ISO14000系列環(huán)境標準中也建立了國際標準。NDK晶振,貼片晶振,NV13M08YN晶振

低電壓晶振,石英水晶振子,NV13M08YM晶振

聯系人：李玉龍

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超小型晶振低消耗晶振 NV13M08YN晶振

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