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NSK晶振,貼片晶振,NXH-53晶振

尺寸:5.0x3.2mm 頻率:10M~125MHZ, 貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因為晶振本身小型化需求的市場領(lǐng)域,小型?薄型是對應(yīng)陶瓷諧振器(偏差大)和普通的石英晶體諧振器(偏差小)的中間領(lǐng)域的一種性價比較出色的產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛用于筆記本電腦,無線電話,衛(wèi)星導(dǎo)航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.
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1XQJX

NSK-1

NSK晶振,貼片晶振,NXH-53晶振,5032石英貼片晶振分為四個焊接腳和兩個焊接腳,兩個焊接腳的陶瓷面封裝晶振歸類于我們前面介紹晶振的文章中所說過的壓電石英晶體諧振器。在不同環(huán)境下的多功能產(chǎn)品中具有高可靠性特點,不含鉛汞符合歐盟要求的環(huán)保要求。貼片晶振相較于插件晶振能夠應(yīng)用于高速自動貼片機焊接,5032封裝石英表貼式晶體諧振器小型設(shè)計,是筆記本、數(shù)碼相機、智能手機、USB接口等智能設(shè)備優(yōu)先選用的貼片晶振型號。

NSK石英晶振真空退火技術(shù):晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷.在PLC控制程序中輸入已設(shè)計好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對晶體組件進行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性.

2011年臺灣津綻晶振在東莞的生產(chǎn)基地,東莞創(chuàng)群石英晶體有限公司導(dǎo)入ISO/TS16949:2009體系,主要生產(chǎn)石英晶振,貼片晶振,NDK晶體振蕩器,壓電水晶,石英晶體等元件.

201012月東莞創(chuàng)群石英晶體有限公司取得中華人民共和國全國重點企業(yè)質(zhì)量信用AAA等級證書

臺灣津綻NSK晶體的石英水晶振蕩子,陶瓷振動子,32.768K,時鐘晶體,壓電石英晶體產(chǎn)品被廣泛地運用在個人計算機、安全系統(tǒng)、通訊、無線應(yīng)用、遙控單元和消費性電子產(chǎn)品等,並已陸續(xù)獲得國內(nèi)外電腦及通訊大廠認(rèn)可及使用.

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NSK-2

NSK晶振規(guī)格

單位

NXH-53貼片晶振頻率范圍

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

10MHZ~125MHZ

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲存溫度

T_stg

-40°C +125°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C +85°C

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵功率

DL

200μW Max.

推薦:1μW 100μW

頻率公差

f_— l

±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)),
(±15 × 10-6 
±50 × 10-6 可用)

+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息, http://www.ljbzc.com

頻率溫度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C +70°C

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

8pF ,10PF,12PF,20PF

超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

頻率老化

f_age

±5 × 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

3CC

NSK-3

NXH-53 5032

4ZYSX

NSK-4

以下是臺灣津綻NSK石英晶振電路設(shè)計匹配問題:
一般來說,微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下:
鎘和CG是外部負(fù)載電容,其中已建成的芯片組. (請參閱芯片組的規(guī)格)
Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻.它的內(nèi)置芯片一般設(shè)置.
Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?.這個阻力是沒有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路.
一個穩(wěn)定的振蕩電路需要的負(fù)電阻,其值應(yīng)是晶振阻力的至少五倍.它可寫為|-R|>5的Rr.
例如,為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中,IC的負(fù)電阻的值必須小于?200Ω時的晶振電阻值是40Ω.負(fù)阻“的標(biāo)準(zhǔn)來評估一個振蕩電路的質(zhì)量.在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的.因此,這是非常重要的衡量負(fù)電阻(-R)以下說明:
線路連接的電阻(R)與晶體串聯(lián)
(2)從起點到振蕩的停止點調(diào)整R的值.
(3)振蕩期間測量R的值.
(4)你將能夠獲得負(fù)電阻的值,|•R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力.
附:所連接的電路的雜散電容,可能會影響測定值.
如果晶振的參數(shù)是正常的,但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅(qū)動電路.如果是這樣的話,我們有三種方法來改善這樣的情況:
降低外部電容(Cd和CG)的值,并采用其他晶振具有較低負(fù)載電容(CL).
 采用具有較低電阻(RR)的晶振.
 使用光盤和CG的不等價的設(shè)計.我們可以增加鎘(XOUT)的負(fù)載電容和降低CG(辛)的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出.
當(dāng)有信號輸出從XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情況下 - 電極后端電路是極其巨大的.我們可以添加一個緩沖電路的輸出和它的后電極之間,以驅(qū)動后端電路.NSK晶振,貼片晶振,NXH-53晶振
但1-5的方法上面提到的,你也可以按照步驟1-4-4的三種方法.如有不明白請聯(lián)系我公司晶振的應(yīng)用工程師和IC制造商尋求進一步的幫助,如果你的問題不能得到解決.系統(tǒng)無法運行,因為晶體沒有足夠的輸出波形振幅.
5HBFZ

NSK-5

臺灣NSK晶振環(huán)?;纠砟睿?/span>

1.作為良好的企業(yè)市民,遵循本公司的行動方針,充分關(guān)心維護地球環(huán)境.遵守國內(nèi)外的有關(guān)環(huán)保法規(guī).

2.保護自然環(huán)境,充分關(guān)注自然生態(tài)等方面的環(huán)境保護,維持和保全生物多樣性.

3.有效利用資源和能源,認(rèn)識到資源和能源的有限性,努力進行有效利用.

4為構(gòu)建循環(huán)型社會做出貢獻,致力于減少石英晶振,貼片晶振,有源晶振,石英晶體振蕩器,NSK石英體廢棄物及廢棄物的再利用核再生循環(huán),努力構(gòu)建循環(huán)型社會.

5.推進環(huán)保型業(yè)務(wù),充分發(fā)揮綜合實力,推進環(huán)保型業(yè)務(wù),為減輕社會的環(huán)境負(fù)荷做出貢獻.

6.建立環(huán)境管理系統(tǒng),充分運用環(huán)境管理系統(tǒng),設(shè)定環(huán)境目的和目標(biāo),定期修正,不斷改善,努力預(yù)防環(huán)境污染.

NSK晶振環(huán)保環(huán)境與發(fā)展對策:實行可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略.采取有效措施,防治工業(yè)污染.提高石英晶振,有源晶體振蕩器,OSC晶振材料的+能源利用效率,改善能源結(jié)構(gòu).運用經(jīng)濟手段保護環(huán)境.大力推進科技進步,加強環(huán)境科學(xué)研究,積極發(fā)展環(huán)境保護產(chǎn)業(yè).健全環(huán)境法規(guī),強化環(huán)境管理.加強環(huán)境教育,不斷提高環(huán)境意識.

6LXFS

NSK-6

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