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NDK晶振,貼片晶振,NZ2016SD晶振

2016mm體積貼片晶振適用于汽車(chē)電子領(lǐng)域的表面貼片型石英晶振,本產(chǎn)品已被確定的高信賴(lài)性最適合用于汽車(chē)電子部件,晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,晶振本身具有耐熱,耐振,耐沖擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).

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產(chǎn)品相關(guān)資料

超小型晶振,低消耗晶振,NZ2016SD晶振

NDK晶振,貼片晶振,NZ2016SD晶振,貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因?yàn)榫д癖旧硇⌒突枨蟮氖袌?chǎng)領(lǐng)域,小型?薄型是對(duì)應(yīng)陶瓷諧振器（偏差大）和普通的石英晶體諧振器（偏差?。┑闹虚g領(lǐng)域的一種性?xún)r(jià)比較出色的產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛用于筆記本電腦,無(wú)線電話,衛(wèi)星導(dǎo)航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合無(wú)鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.

貼片晶振的切割設(shè)計(jì)：用不同角度對(duì)晶振的石英晶棒進(jìn)行切割，可獲得不同特性的石英晶片，通常我們把晶振的石英晶片對(duì)晶棒坐標(biāo)軸某種方位（角度）的切割稱(chēng)為石英晶片的切型。不同切型的石英晶片，因其彈性性質(zhì)，壓電性質(zhì)，溫度性質(zhì)不同，其電特性也各異，石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。其它切型還有 CT、DT、GT、NT 等。超小型石英貼片晶振晶片的設(shè)計(jì)：石英晶片的長(zhǎng)寬尺寸已要求在±0.00２mm內(nèi)，由于貼片晶振晶片很小導(dǎo)致晶體的各類(lèi)寄生波(如長(zhǎng)度伸縮振動(dòng)，面切變振動(dòng))與主振動(dòng)(厚度切變振動(dòng))的耦合加強(qiáng)，從而造成如若石英晶振晶片的長(zhǎng)度或?qū)挾瘸叽缭O(shè)計(jì)不正確、使得振動(dòng)強(qiáng)烈耦合導(dǎo)致石英晶振的晶片不能正常工作，從而導(dǎo)致產(chǎn)品在客戶端不能正常使用，晶振的研發(fā)及生產(chǎn)超小型石英晶振完成晶片的設(shè)計(jì)特別是外形尺寸的設(shè)計(jì)是首要需解決的技術(shù)問(wèn)題，公司在此方面通過(guò)理論與實(shí)踐相結(jié)合，模擬出一整套此石英晶振晶片設(shè)計(jì)的計(jì)算機(jī)程序，該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應(yīng)用并取得很好的效果。

超小型晶振,低消耗晶振,NZ2016SD晶振

項(xiàng)目	符號(hào)	規(guī)格說(shuō)明	條件
輸出頻率范圍	f₀	1.5-60MHZ	請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓	V_CC	1.60 V to 3.63 V	請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃ to +85℃	請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料http://www.ljbzc.com
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無(wú)負(fù)載條件、最大工作頻率
待機(jī)電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負(fù)載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CC Max.	ST 終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 終端
上升/下降時(shí)間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動(dòng)時(shí)間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

超小型晶振,低消耗晶振,NZ2016SD晶振

一般來(lái)說(shuō)，微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下：

鎘和CG是外部負(fù)載電容，其中已建成的芯片組。（請(qǐng)參閱芯片組的規(guī)格）

Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻。它的內(nèi)置芯片一般設(shè)置石英晶振。

Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?。這個(gè)阻力是沒(méi)有必要的公共電路，但僅用于具有高電源電路。超小型晶振,低消耗晶振,NZ2016SD晶振

一個(gè)穩(wěn)定的振蕩電路需要的負(fù)電阻，其值應(yīng)是晶振阻力的至少五倍。它可寫(xiě)為|-R|>5的Rr。

例如，為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中，IC的負(fù)電阻的值必須小于？200Ω時(shí)的晶振電阻值是40Ω。負(fù)阻“的標(biāo)準(zhǔn)來(lái)評(píng)估一個(gè)振蕩電路的質(zhì)量。在某些情況下，例如老化，熱變化，電壓變化，以及等等，電路可能不會(huì)產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的。因此，這是非常重要的衡量負(fù)電阻（-R）以下說(shuō)明：

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線路連接的電阻（R）與晶體串聯(lián)

（2）從起點(diǎn)到振蕩的停止點(diǎn)調(diào)整R的值。

（3）振蕩期間測(cè)量R的值。

（4）你將能夠獲得負(fù)電阻的值，|·R|= R +的Rr，和RR =晶振的阻力。超小型晶振,低消耗晶振,NZ2016SD晶振

附：所連接的電路的雜散電容，可能會(huì)影響測(cè)定值。

如果有源晶振的參數(shù)是正常的，但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中，我們將不得不找出IC的電阻值是否過(guò)低驅(qū)動(dòng)電路。如果是這樣的話，我們有三種方法來(lái)改善這樣的情況：

降低外部電容（Cd和CG）的值，并采用其他晶振具有較低負(fù)載電容（CL）。

采用具有較低電阻（RR）的晶振。

使用光盤(pán)和CG的不等價(jià)的設(shè)計(jì)。我們可以增加鎘（XOUT）的貼片晶振負(fù)載電容和降低CG（辛）的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。

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日本電波工業(yè)株式NDK晶振超低電壓驅(qū)動(dòng)的CO2排放量（0.8V ~）型時(shí)鐘振蕩器（nz2520sf）采用最先進(jìn)的技術(shù)和傳統(tǒng)的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)（2700系列）是由環(huán)境LCA技術(shù)相比。二氧化碳排放量的計(jì)算量的部分制造，產(chǎn)品制造和我們的產(chǎn)品納入筆記本電腦的功耗，以及產(chǎn)品運(yùn)輸?shù)娜剂舷牧?。所采用的分析方法?ldquo;現(xiàn)場(chǎng)類(lèi)型”，研究工廠和生產(chǎn)線單位的功耗，然后從產(chǎn)品的總金額，每產(chǎn)品的功耗。

日本電波工業(yè)株式NDK晶振的新概念的貼片晶振,溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器器件。通過(guò)貼片晶振,石英晶振等產(chǎn)品生命周期提高整體節(jié)能貢獻(xiàn)和環(huán)境績(jī)效的舉措。制造-環(huán)境友好生產(chǎn)—優(yōu)化-提高性能/效率的節(jié)能貢獻(xiàn)—通過(guò)制造致密/復(fù)雜產(chǎn)品減少資源節(jié)約—環(huán)境消除/減少環(huán)境負(fù)荷物質(zhì)—2016有源晶振這些是倡議的支柱。

制造業(yè)-環(huán)保生產(chǎn)—我們將介紹一些情況下，發(fā)現(xiàn)CO2排放量的產(chǎn)品生命周期使用環(huán)境LCA方法。超小型晶振,低消耗晶振,NZ2016SD晶振

日本電波工業(yè)株式NDK晶振所說(shuō)的LCA指的是“生命周期評(píng)估”，它包括評(píng)估產(chǎn)品的壽命。在這里，產(chǎn)品的生命不僅僅是產(chǎn)品本身的制造階段，而是包括原料組成產(chǎn)品的零件/材料的開(kāi)采階段，包括石英晶體,2016超小型有源晶振,差分晶振,有源晶振產(chǎn)品的制造階段，銷(xiāo)售階段，包括到產(chǎn)品交付給用戶使用的階段，包括產(chǎn)品使用由用戶和維修/維護(hù)參與它，和處置階段，通過(guò)用戶廢棄產(chǎn)品回收，回收或處置。在ISO14000系列環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)中也建立了國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。NDK晶振,貼片晶振,NZ2016SD晶振

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