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NDK晶振,貼片晶振,NZ2016SH晶振

小型表面貼片晶振型,是標(biāo)準(zhǔn)的石英晶體諧振器,適用于寬溫范圍的電子數(shù)碼產(chǎn)品,家電電器及MP3,MP4,播放器,單片機(jī)等領(lǐng)域.可對(duì)應(yīng)8.000MHz以上的頻率,在電子數(shù)碼產(chǎn)品,以及家電相關(guān)電器領(lǐng)域里面發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線(xiàn)要求.

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產(chǎn)品相關(guān)資料

金屬面貼片晶振,石英晶體,NZ2016SH晶振

NDK晶振,貼片晶振,NZ2016SH晶振,智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無(wú)線(xiàn)通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類(lèi)移動(dòng)通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線(xiàn)要求.

石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù)：是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——溫補(bǔ)晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng)，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內(nèi)。

金屬面貼片晶振,石英晶體,NZ2016SH晶振

項(xiàng)目	符號(hào)	規(guī)格說(shuō)明	條件
輸出頻率范圍	f₀	32.768K晶振	請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓	V_CC	1.60 V to 3.63 V	請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃ to +85℃	請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料http://www.ljbzc.com
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無(wú)負(fù)載條件、最大工作頻率
待機(jī)電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負(fù)載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CC Max.	ST 終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 終端
上升/下降時(shí)間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動(dòng)時(shí)間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

金屬面貼片晶振,石英晶體,NZ2016SH晶振

請(qǐng)測(cè)量使用示波器或頻率計(jì)數(shù)器石英晶振的兩個(gè)端子的信號(hào)，如果頻率不在規(guī)定范圍內(nèi)，它的輸出波形的幅度是不夠的（例如超過(guò)+/-200ppm的），請(qǐng)按照步驟2-3步驟2-5。金屬面貼片晶振,石英晶體,NZ2016SH晶振

The formula for Capacitances versus Frequency is as following:

該公式的電容與頻率是如下：

FL = FR * (1 + C1 / 2 * (C0 + CL) ) where

該曲線(xiàn)代表電容變化與頻率變化（頻率pullability）變化的變化：

如果由頻率計(jì)數(shù)器測(cè)量的頻率比目標(biāo)頻率高，要增加貼片晶振的電容（CL，或Cd以及C 8）的值，以降低頻率到目標(biāo)頻率，反之亦然。請(qǐng)檢查波形幅度是否改善或沒(méi)有經(jīng)過(guò)我們調(diào)整頻率。如果它的改善，這表示該電路的原始設(shè)計(jì)不是調(diào)諧到最佳共振點(diǎn)為晶體的情況。該晶振應(yīng)正常后，諧振點(diǎn)的調(diào)整。如果波形幅度甚至沒(méi)有提高的頻率非常接近目標(biāo)頻率，我們可以通過(guò)以下三種方法改進(jìn)：

方法1：降低產(chǎn)品線(xiàn)路外部電容（Cd和CG）的值，并通過(guò)晶體具有較低負(fù)載電容（CL）。

方法2：采用小電阻（RR）的晶體。金屬面貼片晶振,石英晶體,NZ2016SH晶振

方法3：使用鎘和CG的不等價(jià)的設(shè)計(jì)。

我們可以增加鎘（XOUT）的負(fù)載電容和降低CG（辛）的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。我們建議您使用上面的方法來(lái)節(jié)省成本，保證安全。請(qǐng)用頻率計(jì)數(shù)器來(lái)測(cè)量所述晶體，以確保經(jīng)調(diào)整頻率仍然滿(mǎn)足原說(shuō)明書(shū)后的波形的振幅進(jìn)行了改進(jìn)。如果頻率不符合規(guī)格，請(qǐng)采用石英晶體合適的CL值為根據(jù)您的目標(biāo)頻率。請(qǐng)采用晶振具有較低的CL如果頻率比目標(biāo)頻率，反之亦然高得多系統(tǒng)不能正常工作，由于輸出頻率會(huì)偏差很大。

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日本電波工業(yè)株式已經(jīng)建立和正在推動(dòng)一項(xiàng)中期計(jì)劃的具體減排目標(biāo)，以減少二氧化碳的排放是全球變暖的原因。它也有助于減少（抑制）CO2排放量，通過(guò)使用最先進(jìn)的技術(shù)，實(shí)現(xiàn)最小化，以及減少石英晶體諧振器,石英晶體的重量和功耗，以支持社會(huì)的需要。

日本電波工業(yè)株式NDK晶振的新概念的手機(jī)貼片晶振,溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器器件。通過(guò)貼片晶振,石英晶振等產(chǎn)品生命周期提高整體節(jié)能貢獻(xiàn)和環(huán)境績(jī)效的舉措。制造-環(huán)境友好生產(chǎn)—優(yōu)化-提高性能/效率的節(jié)能貢獻(xiàn)—通過(guò)制造致密/復(fù)雜產(chǎn)品減少資源節(jié)約—環(huán)境消除/減少環(huán)境負(fù)荷物質(zhì)—石英晶體振蕩器這些是倡議的支柱。

制造業(yè)-環(huán)保生產(chǎn)—我們將介紹一些情況下，發(fā)現(xiàn)CO2排放量的產(chǎn)品生命周期使用環(huán)境LCA方法。金屬面貼片晶振,石英晶體,NZ2016SH晶振

日本電波工業(yè)株式NDK晶振所說(shuō)的LCA指的是“生命周期評(píng)估”，它包括評(píng)估產(chǎn)品的壽命。在這里，產(chǎn)品的生命不僅僅是產(chǎn)品本身的制造階段，而是包括原料組成產(chǎn)品的零件/材料的開(kāi)采階段，包括石英晶體,超小型有源晶振,差分晶振,有源晶振產(chǎn)品的制造階段，銷(xiāo)售階段，包括到產(chǎn)品交付給用戶(hù)使用的階段，包括產(chǎn)品使用由用戶(hù)和維修/維護(hù)參與它，和處置階段，通過(guò)用戶(hù)廢棄產(chǎn)品回收，回收或處置。在ISO14000系列環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)中也建立了國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。NDK晶振,貼片晶振,NZ2016SH晶振

金屬面貼片晶振,石英晶體,NZ2016SH晶振

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金屬面貼片晶振石英晶體 NZ2016SH晶振

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: NDK晶振,貼片晶振,NZ2520SJ晶振; 2520mm體積的石英晶體振蕩器有源晶振,改產(chǎn)品可驅(qū)動(dòng)2.5V的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對(duì)應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)自動(dòng)焊接,及IR回流焊接（無(wú)鉛對(duì)應(yīng)）,為無(wú)鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無(wú)線(xiàn)發(fā)射基站.