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NDK晶振,貼片晶振,NZ2520SD晶振

貼片石英晶振最適合用于車(chē)載電子領(lǐng)域的小型表面貼片石英晶體諧振器.也可對(duì)應(yīng)有高可靠性要求的引擎控制用CPU的時(shí)鐘部分簡(jiǎn)稱為時(shí)鐘晶體振蕩器,在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).

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產(chǎn)品相關(guān)資料

SMD晶振,2520晶振,NZ2520SD晶振

NDK晶振,貼片晶振,NZ2520SD晶振,普通貼片石英晶振外觀使用金屬材料封裝的,具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,晶振外觀本身使用金屬封裝,充分的密封性能,可確保其高可靠性,采用編帶包裝,外包裝采用朔膠盤(pán),可在自動(dòng)貼片機(jī)上對(duì)應(yīng)自動(dòng)貼裝等優(yōu)勢(shì).

石英晶振真空退火技術(shù)：32.768KHZ晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過(guò)程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設(shè)計(jì)好的溫度曲線，使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對(duì)晶體組件進(jìn)行退火，石英晶振通過(guò)合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性，以及提高石英晶振的年老化特性。

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項(xiàng)目	符號(hào)	規(guī)格說(shuō)明	條件
輸出頻率范圍	f₀	1.5-80MHZ	請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓	V_CC	1.60 V to 3.63 V	請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃ to +85℃	請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料http://www.ljbzc.com
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無(wú)負(fù)載條件、最大工作頻率
待機(jī)電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負(fù)載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CC Max.	ST 終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 終端
上升/下降時(shí)間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動(dòng)時(shí)間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

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我們可以改善的頻率輸出的偏差超過(guò)范圍由以下幾個(gè)方法：

調(diào)整外部電容，Cd和CG的值。

如果由頻率計(jì)數(shù)器測(cè)量頻率比目標(biāo)頻率高，要增加外部電容CL（或Cd以及C 8的值），以降低頻率到我們的目標(biāo)頻率，反之亦然。

可以采用不同負(fù)載電容（CL）的晶振試用。SMD晶振,2520晶振,NZ2520SD晶振

試用晶振具有較低電容若頻率比目標(biāo)頻率超高很多的話。

請(qǐng)檢查波形幅度是否是正常或不使用示波器，正確的電容是通過(guò)和頻率調(diào)節(jié)到目標(biāo)之后。根據(jù)該波形振幅收縮，由于增加外部電容，請(qǐng)使用方法2調(diào)整頻率（較低的外部電容，并采用低電容的晶體）的情況。

頻率輸出頻率的目標(biāo)只有三分之一。SMD晶振,2520晶振,NZ2520SD晶振

下面的曲線表示晶體的電阻的特征：

SMD晶振具有多種振動(dòng)模式，如基頻， 3次泛音，5次泛音等等。當(dāng)基頻模式應(yīng)用時(shí)，晶振的電阻是最低的，這意味著它是最簡(jiǎn)單的石英晶體振蕩器。當(dāng)?shù)谌{(diào)模式被應(yīng)用，一個(gè)放大電路必須被利用以降低基本模式的頻率反饋到所述延伸小于所述第三音調(diào)模式。因此，如果頻率是只有三分之一的目標(biāo)頻率時(shí)，要檢查是否放大處理電路被施加或它的設(shè)定值就足夠了，因?yàn)殡娐返沫h(huán)境適合于基本模式，而不是第三次泛音調(diào)模式。

該電路可能不振蕩，如果放大電路不施加或它的設(shè)定值是不足夠的。

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日本電波工業(yè)株式NDK晶振超低電壓驅(qū)動(dòng)的CO2排放量（0.8V ~）型時(shí)鐘振蕩器（nz2520sf）采用最先進(jìn)的技術(shù)和傳統(tǒng)的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)（2700系列）是由環(huán)境LCA技術(shù)相比。二氧化碳排放量的計(jì)算量的部分制造，產(chǎn)品制造和我們的產(chǎn)品納入筆記本電腦的功耗，以及產(chǎn)品運(yùn)輸?shù)娜剂舷牧?。所采用的分析方法?ldquo;現(xiàn)場(chǎng)類(lèi)型”，研究工廠和生產(chǎn)線單位的功耗，然后從產(chǎn)品的總金額，每產(chǎn)品的功耗。

日本電波工業(yè)株式NDK晶振的新概念的智能手機(jī)晶振,溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器器件。通過(guò)貼片晶振,石英晶振等產(chǎn)品生命周期提高整體節(jié)能貢獻(xiàn)和環(huán)境績(jī)效的舉措。制造-環(huán)境友好生產(chǎn)—優(yōu)化-提高性能/效率的節(jié)能貢獻(xiàn)—通過(guò)制造致密/復(fù)雜產(chǎn)品減少資源節(jié)約—環(huán)境消除/減少環(huán)境負(fù)荷物質(zhì)—日本進(jìn)口NDK晶振這些是倡議的支柱。

制造業(yè)-環(huán)保生產(chǎn)—我們將介紹一些情況下，發(fā)現(xiàn)CO2排放量的產(chǎn)品生命周期使用環(huán)境LCA方法。SMD晶振,2520晶振,NZ2520SD晶振

日本電波工業(yè)株式NDK晶振所說(shuō)的LCA指的是“生命周期評(píng)估”，它包括評(píng)估產(chǎn)品的壽命。在這里，產(chǎn)品的生命不僅僅是產(chǎn)品本身的制造階段，而是包括原料組成產(chǎn)品的零件/材料的開(kāi)采階段，包括石英晶體,2520晶體振蕩器,差分晶振,有源晶振產(chǎn)品的制造階段，銷(xiāo)售階段，包括到產(chǎn)品交付給用戶使用的階段，包括產(chǎn)品使用由用戶和維修/維護(hù)參與它，和處置階段，通過(guò)用戶廢棄產(chǎn)品回收，回收或處置。在ISO14000系列環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)中也建立了國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。NDK晶振,貼片晶振,NZ2520SD晶振

金屬面晶振,壓電石英晶振,NZ2016SJ晶振

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SMD晶振 2520晶振 NZ2520SD晶振

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