EPSON晶振,基頻模式振蕩器,SG-210SEH晶振
EPSON晶振,基頻模式振蕩器,SG-210SEH晶振,愛(ài)普生晶振公司已經(jīng)建立了一個(gè)原始的垂直整合制造模型的最佳手段持續(xù)為客戶(hù)創(chuàng)造新的價(jià)值,并決定使用這個(gè)模型來(lái)驅(qū)動(dòng)前面提到的四個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域的創(chuàng)新.這意味著從頭開(kāi)始創(chuàng)建產(chǎn)品:創(chuàng)建我們自己的獨(dú)特的核心技術(shù)和設(shè)備,使用這些作為基地的規(guī)劃和設(shè)計(jì)提供獨(dú)特價(jià)值的產(chǎn)品,生產(chǎn)或制造的藝術(shù)和科學(xué),我們積累了多年的專(zhuān)業(yè)知識(shí),然后生產(chǎn)晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 32.768K鐘表晶振,溫補(bǔ)晶振等出售給我們的客戶(hù).
愛(ài)普生晶振公司加強(qiáng)人力資源的全功能,技術(shù),生產(chǎn),銷(xiāo)售和支持和環(huán)境問(wèn)題,利用信息技術(shù),推進(jìn)我們的原始制造模式尋求實(shí)現(xiàn)我們的愿景.視野下就像我提到的,我們的目標(biāo)是使用我們的技術(shù)來(lái)創(chuàng)建一個(gè)新的連接人的時(shí)代,事物和信息,這樣我相信我們可以成為不可或缺的公司為我們的客戶(hù)和社會(huì).
石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等)。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng),貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi)。
愛(ài)普生晶振規(guī)格 |
單位 |
MHZ晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
80.0~170.0 MHz |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
7pF ~ ∞ |
超出標(biāo)準(zhǔn)說(shuō)明,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)EPSON晶振,基頻模式振蕩器,SG-210SEH晶振
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用.因?yàn)闊o(wú)論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響.
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽(yáng)光長(zhǎng)時(shí)間的照射.
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂.
過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件.請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作.
愛(ài)普生株式會(huì)社EPSON晶振不僅遵守與環(huán)保相關(guān)的法規(guī)、條例及其他本公司贊同的要求事項(xiàng),也根據(jù)需要自主性的制定基準(zhǔn),通過(guò)持續(xù)性的展開(kāi)環(huán)保活動(dòng)來(lái)預(yù)防污染。EPSON晶振,基頻模式振蕩器,SG-210SEH晶振
在設(shè)定環(huán)保目的與目標(biāo)展開(kāi)活動(dòng)的同時(shí),定期重審環(huán)境管理體系,努力提高環(huán)保活動(dòng)的水平。
愛(ài)普生株式會(huì)社EPSON晶振通過(guò)與地區(qū)的交流及社會(huì)貢獻(xiàn)活動(dòng),為地區(qū)的環(huán)保做貢獻(xiàn)。
將環(huán)?;顒?dòng)的信息向公司內(nèi)外公開(kāi),積極努力的與地區(qū)社會(huì)及相關(guān)人員建立信賴(lài)關(guān)系,為社會(huì)的發(fā)展做出貢獻(xiàn)。
通過(guò)此方針的公文化,在向公司員工及從事本事業(yè)領(lǐng)域業(yè)務(wù)的所有相關(guān)人員徹底傳達(dá)的同時(shí),也向公司外部公開(kāi)。
愛(ài)普生晶振集團(tuán)將建立可行的技術(shù)及經(jīng)濟(jì)性環(huán)境目標(biāo),并確保其環(huán)境保護(hù)活動(dòng)的質(zhì)量。
愛(ài)普生晶振集團(tuán)公司將關(guān)注所有環(huán)境適用的法律、法規(guī)和協(xié)議的遵守情況。另外為更有效的進(jìn)行環(huán)境保護(hù),將建立自己的特有的環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)。
聯(lián)系人:李玉龍
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地址:深圳市寶安區(qū)中心區(qū)商都賽格電子大廈1C48
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有源晶振產(chǎn)品廣泛應(yīng)用各大應(yīng)用程序之中,尤其適合用于無(wú)線路由器,通信模塊,儀器設(shè)備,測(cè)試測(cè)量,通信基站差,航空通信等應(yīng)用。X1M0003210001,EPSON差分振蕩器,XG-2103CA無(wú)線路由器晶振.
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SG2520EHN石英晶體振蕩器是非常受歡迎的SG3225EN系列的下一代,提供相同的具有寬可用頻率范圍、低抖動(dòng)和改進(jìn)的頻率容限的功能組合由于在較小的封裝中使用具有溫度補(bǔ)償?shù)膬?nèi)部設(shè)計(jì)的IC,因此具有良好的性能。產(chǎn)品超級(jí)適合用于網(wǎng)絡(luò)設(shè)備(路由器、交換機(jī)、光模塊等),數(shù)據(jù)中心,測(cè)試和測(cè)量設(shè)備,工廠自動(dòng)化,高速轉(zhuǎn)換器(ADC和DAC).愛(ài)普生LV-PECL晶振,SG2520EHN路由器晶振,X1G0059210001.
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