希華晶振,壓控溫補(bǔ)晶振,STV-2520晶振,進(jìn)口SMD晶振
希華晶振,壓控溫補(bǔ)晶振,STV-2520晶振,進(jìn)口SMD晶振,希華晶體產(chǎn)品應(yīng)用范圍包含行動電話、平板電腦、衛(wèi)星通訊、車載系統(tǒng)、全球定位系統(tǒng)、個人電腦、無線通信及家用產(chǎn)品等,扮演基本信號源產(chǎn)生、傳遞、濾波等功能。持續(xù)致力于技術(shù)研究開發(fā)及品質(zhì)落實(shí)扎根,營運(yùn)據(jù)點(diǎn)遍布臺灣、中國大陸、日本、新加坡、美國及歐洲等世界各地,使希華得以提供服務(wù)予世界電子大廠。
2520mm體積的晶振,可以說是目前小型數(shù)碼產(chǎn)品的福音,目前超小型的智能手機(jī)里面所應(yīng)用的就是小型的石英晶振,該產(chǎn)品最適用于無線通訊系統(tǒng),無線局域網(wǎng),已實(shí)現(xiàn)低相位噪聲,低電壓,低消費(fèi)電流和高穩(wěn)定度,超小型,質(zhì)量輕等產(chǎn)品特點(diǎn),產(chǎn)品本身編帶包裝方式,可對應(yīng)自動高速貼片機(jī)應(yīng)用,以及高溫回流焊接(產(chǎn)品無鉛對應(yīng)),為無鉛產(chǎn)品.
晶振高精密點(diǎn)膠技術(shù):石英晶振晶片膠點(diǎn)的位置、大?。何恢脺?zhǔn)確度以及膠點(diǎn)大小一致性,通過圖像識別及高精密度數(shù)字定位系統(tǒng)的運(yùn)用、使石英晶振晶片的點(diǎn)膠的精度在±0.02mm之內(nèi)。將被上銀電極的晶片裝在彈簧支架上,點(diǎn)上導(dǎo)電膠,并高溫固化,通過彈簧即可引出電信號。晶振的真空封裝技術(shù):是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝。1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生;2.使晶振組件在真空下電阻減小;3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。MHZ低電壓振蕩器,2520壓控溫補(bǔ)晶振,STV-2520晶振
希華晶振規(guī)格 |
單位 |
STV-2520晶振 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
16~52MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +85°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-30°C ~ +75°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
電源電壓 |
Vdd |
1.8V~3.3V |
|
頻率穩(wěn)定度 |
f_— l |
±2.0,±0.2,±1.0× 10-6 |
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±2.5× 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
15PF |
超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請聯(lián)系我們. |
輸出電平 |
|
C-MOS |
|
頻率老化 |
f_age |
±1 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
一般來說,有源晶振微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下:鎘和CG是外部負(fù)載電容,其中已建成的芯片組。 (請參閱芯片組的規(guī)格)Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻。它的內(nèi)置芯片一般設(shè)置。Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?。這個阻力是沒有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路。希華晶振,壓控溫補(bǔ)晶振,STV-2520晶振,進(jìn)口SMD晶振
一個穩(wěn)定的振蕩電路需要的負(fù)電阻,其值應(yīng)是進(jìn)口OSC晶振阻力的至少五倍。它可寫為|-R|>5的Rr。例如,為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中,IC的負(fù)電阻的值必須小于?200Ω時的晶振電阻值是40Ω。負(fù)阻“的標(biāo)準(zhǔn)來評估一個振蕩電路的質(zhì)量。在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的。因此,這是非常重要的衡量負(fù)電阻(-R)以下說明:
線路連接的電阻(R)與晶體串聯(lián)(2)從起點(diǎn)到振蕩的停止點(diǎn)調(diào)整R的值。(3)振蕩期間測量R的值。(4)你將能夠獲得負(fù)電阻的值,|•R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力。附:所連接的電路的雜散電容,可能會影響測定值。如果SDM石英晶振的參數(shù)是正常的,但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅(qū)動電路。如果是這樣的話,我們有三種方法來改善這樣的情況:降低外部電容(Cd和CG)的值,并采用其他晶振具有較低負(fù)載電容(CL)。采用具有較低電阻(RR)的晶振。使用光盤和CG的不等價的設(shè)計。我們可以增加鎘(XOUT)的負(fù)載電容和降低CG(辛)的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。MHZ低電壓振蕩器,2520壓控溫補(bǔ)晶振,STV-2520晶振
2003年通過ISO14001環(huán)境管理系統(tǒng)驗(yàn)證,秉持“污染預(yù)防、持續(xù)改善”之原則,公司事業(yè)廢棄物產(chǎn)出量逐年降低,可回收、再利用之廢棄物比例逐年提高,2520有源晶振各項排放檢測數(shù)據(jù)符合政府法規(guī)要求。并由原材料管控禁用或限用環(huán)境危害物質(zhì)與國際大廠對于綠色生產(chǎn)及綠色產(chǎn)品的要求相符,于2004年通過SONY 綠色伙伴(Green Partner)驗(yàn)證。希華晶振,壓控溫補(bǔ)晶振,STV-2520晶振,進(jìn)口SMD晶振
希華晶體科技本于‘善盡企業(yè)責(zé)任、降低環(huán)境沖擊、提升員工健康’的理念,執(zhí)行各項環(huán)境及職業(yè)安全衛(wèi)生管理工作;落實(shí)公司環(huán)安衛(wèi)政策要求使環(huán)境暨安全衛(wèi)生管理成效日益顯著,溫補(bǔ)晶體振蕩器不僅符合國內(nèi)環(huán)保、勞安法令要求,同時也能達(dá)到國際環(huán)保、安全衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn)。廢水處理設(shè)施采廢水分流處理,提升處理效率,并設(shè)置監(jiān)測儀器;定期抽測放流水質(zhì),確保放流水水質(zhì)各項污染物濃度低于法規(guī)限值標(biāo)準(zhǔn)。
針對公司制程所需使用危險物及有害物,評估使用低毒性物質(zhì)(自2006年起已完全停用環(huán)保列管毒性化學(xué)物質(zhì));化學(xué)原物料依照危害特性分類存放,四腳小型貼片晶振貯存設(shè)施符合法規(guī)要求;危害物質(zhì)標(biāo)示符合法規(guī)及GHS要求,作業(yè)場所備有物質(zhì)安全資料表(MSDS);作業(yè)環(huán)境加強(qiáng)抽風(fēng)換氣依法實(shí)施作業(yè)環(huán)境測定;操作人員定期實(shí)施危害物訓(xùn)練,作業(yè)時確實(shí)穿著防護(hù)具并配置緊急處置器材。MHZ低電壓振蕩器,2520壓控溫補(bǔ)晶振,STV-2520晶振
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