希華晶振,貼片晶振,SX-1210晶振,無(wú)源晶振
希華晶振,貼片晶振,SX-1210晶振,無(wú)源晶振,希華晶體承諾所有的運(yùn)作皆遵守本地國(guó)家的法律,并符合國(guó)際上所共同認(rèn)知環(huán)保與社會(huì)責(zé)任的標(biāo)準(zhǔn),成為一個(gè)創(chuàng)造股東最大權(quán)益、照顧員工、善盡社會(huì)責(zé)任的好公司。導(dǎo)入先進(jìn)微機(jī)電制程創(chuàng)新研發(fā)技術(shù)敏銳地掌握電子產(chǎn)品輕薄短小化、快速光電寬頻傳輸與高頻通訊的發(fā)展主流,致力于開(kāi)發(fā)小型化、高頻與光電領(lǐng)域等產(chǎn)品,與日本同業(yè)并駕齊驅(qū)。且深耕微機(jī)電(MEMS)技術(shù)領(lǐng)域,加速導(dǎo)入TF SMD Crystal的量產(chǎn),藉以擴(kuò)大公司營(yíng)收規(guī)模并且提升獲利空間。
貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
石英晶體高精度晶片的拋光技術(shù):貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值。從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作。使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測(cè)晶片表面的狀態(tài)。石英SMD晶體諧振器,耐高溫回流晶振,SX-1210晶振
希華晶振規(guī)格 |
單位 |
SX-1210晶振 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
24~54MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +90°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-20°C ~ +70°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
10~50μW Max. |
推薦:10μW ~ 50μW |
頻率公差 |
f_— l |
±15× 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±15× 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
8PF |
超出標(biāo)準(zhǔn)說(shuō)明,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
所有石英晶體諧振器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊都以IC形式提供。噪音:在電源或輸入端上施加執(zhí)行級(jí)別(過(guò)高)的不相干(外部的)噪音,可能導(dǎo)致會(huì)引發(fā)功能失?;驌舸┑拈]門(mén)或雜散現(xiàn)象。電源線路:電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低。輸出負(fù)載:建議將石英晶振輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方(在20 mm范圍之間)。希華晶振,貼片晶振,SX-1210晶振,無(wú)源晶振
未用輸入終端的處理:未用針腳可能會(huì)引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作。同時(shí),當(dāng)P通道和N通道都處于打開(kāi)時(shí),電源功率消耗也會(huì)增加;因此,請(qǐng)將未用輸入終端連接到VCC 或GND。熱影響:重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的石英進(jìn)口晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。安裝方向:振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請(qǐng)檢查安裝方向是否正確。通電:不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會(huì)導(dǎo)致無(wú)法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作。
耐焊性:將SMD無(wú)源晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。石英SMD晶體諧振器,耐高溫回流晶振,SX-1210晶振
公司產(chǎn)出事業(yè)廢棄物先實(shí)施分類(lèi)、暫存管理,依法委托合格業(yè)者清除、處理并上網(wǎng)申報(bào)。事業(yè)廢棄物清理以回收、再利用之處理方式優(yōu)先考量,無(wú)法回收再利用者以焚燒、掩埋方式處理。可回收再利用廢棄物比例自2008年32%提升到2011年8月止53%,有效降低1210mm貼片晶振環(huán)境負(fù)荷。針對(duì)公司制程所需使用危險(xiǎn)物及有害物,評(píng)估使用低毒性物質(zhì)(自2006年起已完全停用環(huán)保列管毒性化學(xué)物質(zhì));化學(xué)原物料依照危害特性分類(lèi)存放,貯存設(shè)施符合法規(guī)要求;危害物質(zhì)標(biāo)示符合法規(guī)及GHS要求,作業(yè)場(chǎng)所備有物質(zhì)安全資料表(MSDS);作業(yè)環(huán)境加強(qiáng)抽風(fēng)換氣依法實(shí)施作業(yè)環(huán)境測(cè)定;操作人員定期實(shí)施危害物訓(xùn)練,作業(yè)時(shí)確實(shí)穿著防護(hù)具并配置緊急處置器材。希華晶振,貼片晶振,SX-1210晶振,無(wú)源晶振
希華晶體科技股份有限公司,依據(jù)‘ISO 14001環(huán)境/OHSAS-18001安衛(wèi)管理系統(tǒng)’要求制定本1210諧振器‘環(huán)境/安衛(wèi)手冊(cè)’,以界定本公司環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)之范圍,包括任何排除之細(xì)節(jié)及調(diào)整,并指引環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)與各書(shū)面、辦法書(shū)之對(duì)應(yīng)關(guān)系,包含在環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)內(nèi)之流程順序及交互作用的描述。本公司環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)之適用范圍包含公司所有的活動(dòng)、產(chǎn)品及服務(wù)。
希華晶體科技股份有限公司藉由環(huán)境/安衛(wèi)管理1210手機(jī)晶振系統(tǒng)的推動(dòng)執(zhí)行,以整合內(nèi)部資源,奠定經(jīng)營(yíng)管理的基礎(chǔ)。藉執(zhí)行環(huán)境考量面/安衛(wèi)危害鑒別作業(yè),環(huán)境/安衛(wèi)管理方案和內(nèi)部稽核為手段,合理化推動(dòng)環(huán)境/安衛(wèi)管理,落實(shí)環(huán)境/安衛(wèi)系統(tǒng)有效實(shí)施。并不斷透過(guò)教育訓(xùn)練灌輸員工環(huán)境/安衛(wèi)觀念及意識(shí),藉由改善公司制程以達(dá)到污染預(yù)防、工業(yè)減廢、安全與衛(wèi)生、符合法規(guī)要求使企業(yè)永續(xù)發(fā)展減少環(huán)境/安衛(wèi)負(fù)擔(dān),并滿(mǎn)足客戶(hù)需求,獲得客戶(hù)的信賴(lài)而努力。石英SMD晶體諧振器,耐高溫回流晶振,SX-1210晶振
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