SiTime晶振,有源晶振,SiT2019晶振,SiT2019B晶振
SiTime晶振,有源晶振,SiT2019晶振,SiT2019B晶振,硅MEMS計(jì)時(shí)裝置的性能繼續(xù)迅速改善,并超過(guò)了基于石英的定時(shí)裝置的性能.硅制造技術(shù)生產(chǎn)具有亞微米特征和納米精度的設(shè)備.
MEMS諧振器是在硅晶圓中制造的,它的改進(jìn)是由更精細(xì)的幾何圖形制成的.由于SiTime石英晶體振蕩器的體積相較于普通石英晶振,石英晶體要大,頻率范圍較廣,晶體振蕩器電源電壓更多選擇
FlexEdgeTM Rise/Fall Time |
Yes |
Frequency |
115.194001 to 137 MHz |
Frequency Stability (ppm) |
±20, ±25, ±50 |
Operating Temperature Range (°C) |
-40 to +105, -40 to +125 |
Oscillator Type |
XO-SE |
Output type |
LVCMOS |
Package Type |
SOT23(2.9x2.8) |
Phase Jitter |
1.3 ps 請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料http://www.ljbzc.com/ |
Features |
Field programmable, SOT23-5 |
Voltage Supply (V) |
1.8, 2.5 to 3.3 |
Availability |
Production |

關(guān)于沖洗晶振由于采用小型、薄型的晶振芯片,以及相對(duì)而言頻率與超音波清潔器相近,所以會(huì)由于共振而容易受到破壞,因此請(qǐng)不要用超音波清潔器來(lái)沖洗晶振。 關(guān)于機(jī)械性沖擊
(1) 從設(shè)計(jì)角度而言,即使石英晶振從高度75cm處落到硬質(zhì)木板上三次,按照設(shè)計(jì)不會(huì)發(fā)生什么問(wèn)題,但因落下時(shí)的不同條件而異,有可能導(dǎo)致石英芯片的破損。在使之落下或?qū)λ┘記_擊之時(shí),在使用之前,建議確認(rèn)一下振蕩檢查等的條件。
(2) SMD晶振與電阻以及電容器的芯片產(chǎn)品不同,由于在內(nèi)部對(duì)石英晶振晶片進(jìn)行了密封保護(hù),因此關(guān)于在自動(dòng)安裝時(shí)由于沖擊而導(dǎo)致的影響,請(qǐng)?jiān)谑褂弥埃瑧┱?qǐng)貴公司另外進(jìn)行確認(rèn)工作。
(3) 請(qǐng)盡量避免將本公司的音叉型晶振與機(jī)械性振動(dòng)源(包括超聲波振動(dòng)源)安裝到同一塊基板上,不得已要安裝到同一塊基板上時(shí),請(qǐng)確保晶振能正常工作
環(huán)保方針:
SITIME晶振環(huán)?;纠砟睿?/span>
SiTime晶振盡可能的采用無(wú)害的石英水晶振蕩子, 壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體原材料和生產(chǎn)技術(shù),避免有害物質(zhì)的產(chǎn)生,比如消耗臭氧層物質(zhì)、溫室氣體及其它污染物.集團(tuán)公司同時(shí)將致力于這些物質(zhì)的收集和回收,最小化有害原料的使用.
SiTime晶振減少污染物排放,對(duì)不可再生的資源進(jìn)行有效利用.減少?gòu)U物的產(chǎn)生,對(duì)其排放的責(zé)任進(jìn)行有效管理,有效地使用能源.通過(guò)設(shè)計(jì)工藝程序?qū)T工進(jìn)行培訓(xùn)保護(hù)環(huán)境以及人們的健康和安全.提供安全使用和廢置我們的產(chǎn)品的信息,對(duì)環(huán)境有重大健康安全和環(huán)境的運(yùn)營(yíng)現(xiàn)狀進(jìn)行糾正.SiTime晶振,有源晶振,SiT2019晶振,SiT2019B晶振
聯(lián)系人:李玉龍
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