EPSON晶振,VCXO振蕩器,VG-4231CE晶振
EPSON晶振,VCXO振蕩器,VG-4231CE晶振,貼片式石英晶體振蕩器、小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應用領域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本WLAN,藍牙,數碼相機,DSL和其他IT產品的晶振應用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數碼領域,符合RoHS/無鉛.
貼片晶振晶片邊緣處理技術:貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應,在實際操作中機器運動方式設計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設計必須合理,有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定。
愛普生晶振規(guī)格 |
單位 |
MHZ晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
3.0~60.0MHz |
72標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標準), |
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標準的規(guī)格請聯系我們. |
負載電容 |
CL |
7pF ~ ∞ |
超出標準說明,請聯系我們. |
串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
EPSON晶振,VCXO振蕩器,VG-4231CE晶振晶振產品使用每種產品時,請在石英晶振規(guī)格說明或產品目錄規(guī)定使用條件下使用.因很多種晶振產品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項也有所不同,比如焊接模式,運輸模式,保存模式等等,都會有所差別.
晶振產品的設計和生產直到出廠,都會經過嚴格的測試檢測來滿足它的規(guī)格要求.通過嚴格的出廠前可靠性測試以提供高質量高的可靠性的石英晶振.但是為了石英晶振的品質和可靠性,必須在適當的條件下存儲,安 裝,運輸.請注意以下的注意事項并在最佳的條件下使用產品,我們將對于客戶按自己的判斷而使用石英晶振所導致的不良不負任何責任.
機械振動的影響
當晶振產品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如:壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響.這種現象對通信器材通信質量有影響.盡管晶振產品設計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作.
EPSON晶振,VCXO振蕩器,VG-4231CE晶振愛普生株式會社EPSON晶振通過追求以QMEMS 技術為核心的“省、小、精”技術,來推動具有領先性的環(huán)?;顒?把降低 環(huán)境負荷作為一種顧客價值提供給顧客。
創(chuàng)造并提供專研了“省、小、精”的32.768K鐘表晶振,溫補晶振晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器等水晶元器件及其關聯產品;并且構筑和革新既可以降低 環(huán)境負荷又可以提高生產性的生產流程的活動。
愛普生株式會社EPSON晶振不僅遵守與環(huán)保相關的法規(guī)、條例及其他本公司贊同的要求事項,也根據需要自主性的制定基準,通過持續(xù)性的展開環(huán)?;顒觼眍A防污染。
在設定環(huán)保目的與目標展開活動的同時,定期重審環(huán)境管理體系,努力提高環(huán)保活動的水平。
愛普生株式會社貼片晶振通過與地區(qū)的交流及社會貢獻活動,為地區(qū)的環(huán)保做貢獻。
聯系人:李玉龍
電話:86-0755-27839151
手機:13828756848
QQ:987260611
地址:深圳市寶安區(qū)中心區(qū)商都賽格電子大廈1C48
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