IDT晶振,普通有源晶振,XLH晶振
IDT晶振,普通有源晶振,XLH晶振,貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛
有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設(shè)計匹配技術(shù):有源晶振是高頻振蕩器研發(fā)及生產(chǎn)過程必須要解決的技術(shù)難題。在設(shè)計過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外,還有石英晶體振蕩器的電極設(shè)計等其它的特殊性,必須考慮石英晶體振蕩器的供應(yīng)電壓、起動電壓和產(chǎn)品上升時間、下降時間等相關(guān)參數(shù)
項目 |
符號 |
規(guī)格說明 |
條件 |
輸出頻率范圍 |
f0 |
0.750MHz to 250MHz |
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電源電壓 |
VCC |
2.5 V /3.3 V |
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儲存溫度 |
T_stg |
-55℃ to +125℃ |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
請聯(lián)系我們查看更多資料http://www.ljbzc.com |
H: -40℃ to +105℃ |
|||
J: -40℃ to +125℃ |
|||
頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
|
L: ±100 × 10-6 |
|||
T: ±150 × 10-6 |
|||
功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無負載條件、最大工作頻率 |
待機電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
|
VOL |
0.4 V Max. |
|
|
輸出負載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
|
輸入電壓 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 終端 |
VIL |
20 % VCC Max. |
||
上升/下降時間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
振蕩啟動時間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |


關(guān)于沖洗清潔音叉型晶振由于采用小型、薄型的晶振芯片,以及相對而言頻率與超音波清潔器相近,所以會由于共振而容易受到破壞,因此請不要用超音波清潔器來沖洗晶振。 關(guān)于機械性沖擊
(1) 從設(shè)計角度而言,即使石英晶振從高度75cm處落到硬質(zhì)木板上三次,按照設(shè)計不會發(fā)生什么問題,但因落下時的不同條件而異,有可能導(dǎo)致石英芯片的破損。在使之落下或?qū)λ┘記_擊之時,在使用之前,建議確認一下振蕩檢查等的條件。
(2) SMD晶振與電阻以及電容器的芯片產(chǎn)品不同,由于在內(nèi)部對石英晶振晶片進行了密封保護,因此關(guān)于在自動安裝時由于沖擊而導(dǎo)致的影響,請在使用之前,懇請貴公司另外進行確認工作。
(3) 請盡量避免將本公司的音叉型晶振與機械性振動源(包括超聲波振動源)安裝到同一塊基板上,不得已要安裝到同一塊基板上時,請確保晶振能正常工作。
IDT 晶振環(huán)境影響的最小化:遵照社會的期望,改進我們的環(huán)境行為,我們將通過有效利用森林、能源以及其它資源,減少各種形式的廢物來實現(xiàn)這一承諾.
環(huán)境管理體系:在每一個運行部門,實施支持方針的系統(tǒng)的環(huán)境管理工具.我們將確保適當(dāng)?shù)娜肆Y源和充分的財力保障.每年我們都將建立可測量的環(huán)境管理以及行為改進的目標(biāo)和指標(biāo).
環(huán)境行為評價:評價我們運行以及員工的環(huán)境行為表現(xiàn),確認支撐著本方針的成績.我們將向我們的員工提供信息,以及能夠?qū)⒎结樑c各自工作職責(zé)完全結(jié)合的培訓(xùn).
聯(lián)系人:李玉龍
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