直振的出口對準檢測盤上的一個孔，石英晶體片可以落入檢測盤。同時檢測盤上的下一個孔位與光學顯微鏡頭相對應。分選盤靜止位置下安裝有電磁鐵。電磁鐵通電后翻蓋打開，使該孔內的壓電石英晶片落入料盒內。（壓電石英晶片處了可以生產石英晶體振蕩器，和到石英晶體諧振器之外，音叉晶振表晶也一樣是可以生產的）

石英晶振基本技術要求與基本參數 ,一顆石英晶體生產出來的成品都包含有那些參數與溫度負載等.

1、 老化率：在規(guī)定條件下，石英晶體工作頻率隨時間而允許的相對變化。以年為時間單位衡量時稱為年老化率。

2、 調整頻差偏差：在規(guī)定條件下，基準溫度（25±2℃）時工作頻率相對于標稱頻率所允許的偏差。

3、晶振工作頻率：晶振與工作電路共同產生的頻率。

4、 動態(tài)電阻：串聯諧振頻率下的等效電阻。用R1表示。

5、 靜電容：等效電路中與串聯臂并接的電容，也叫并電容，通常用C0表示。

6、 泛音：晶體振動的機械諧波。泛音頻率與基頻頻率之比接近整數倍但不是整數倍，這是它與電氣諧波的主要區(qū)別。泛音振動有3次泛音，5次泛音，7次泛音，9次泛音等。

石英材料中的二氧化硅分子(SiO2) 在正常狀態(tài)下, 其電偶極是互相平衡的電中性.二氧化硅是以二維空間的簡化圖形.

晶振最主要的工作方式就是靠里面的石英晶體片產生振動，天然的石英水晶經過切片加工打磨形成晶體片，再利用AT切或BT切技術產生頻點，最后依靠先進的技術封裝就成了一顆完美的壓電晶體器件。那晶振波形是指什么呢？為什么會有晶振波形？其實本身水晶片就有波形輸出，只不過沒經過加工不怎么明顯。

在說石英晶體片切割問題前我們先來了解一下石英晶振的組成結構。它是由石英切片、兩個電極、底部基座、上蓋以及導電膠等共同組成，其中核心部分就是那薄薄小小的石英晶體片，這也是石英晶振與陶瓷晶振的最本質區(qū)別，在陶瓷晶振內部是由陶瓷晶體片組成的。這個石英晶體片是彈性體也是絕佳的半導體，它有固有頻率，并且能發(fā)生壓電效應，所以我們也叫它壓電晶體。當石英晶體片在進行諧振是振動幅度最大阻抗最小，當失諧時阻抗也隨之迅速增大。

一顆晶振晶體從生產過程到出廠銷售中途一定都是經過很多次檢測塞選的，這樣的情況下石英晶振一般都是保證100%的良好概率，但很多晶振采購廠家也遇上過這樣的問題，那就是買來的晶振明明好好的，上樣機后卻出現了石英晶體振蕩頻率值不在規(guī)定范圍值內，有些還出現了故障甚至不起振現象，這到底是什么原因呢？

第一種解釋石英晶振振蕩頻率值偏差的原因是：泛音貼片晶振的基頻波的3倍頻（3次諧波）與3次泛音的頻率靠得很近，選頻電路難于將其濾除，造成跳頻現象。如果可能有這種情況發(fā)生，在與深圳市冠杰電子訂貨時，應提出基頻3倍頻與3次泛音頻率的間隔要求，一般在150ppm-250ppm間，或也可在設計電路時適當減小電路增益，減低3次諧波的成分。

還有一種原因是：大多數出現這種現象都是與石英水晶振動子的寄生振動有關，有時也會和電路設計不合理有關。我們都只到石英晶體諧振器會有多個寄生響應，對厚度切變晶體來說頻率在20MHZ以上，尤其是泛音晶體更易產生寄生響應。泛音晶體的基頻諧振電阻有時會與三次泛音的諧振電阻相差較小，在不加濾波電路時有可能在基頻頻率上振蕩，因此可能時應在電路設計加上選頻回路避免該情況發(fā)生。

而無論是基頻波的3次倍頻還是3次泛音或諧振器寄生響應，都與石英晶體片的切割方式有著密切關聯，不同切割方式得到的晶體片生產出的晶振電氣特性是有非常巨大的差異的。石英晶振的的切割方式一般有AT切和BT切兩種，通常AT切晶體要比BT切晶體溫度特性更好，AT切的溫度曲線相對平滑，而且又比較容易加工，因此目前我們市場上的大多數晶體都采用AT切。BT切雖然相對在溫度特性上差一些，但晶片要厚一些，如果加工晶體的基頻（fundamental）很高，而且產品又不需要很高的溫度特性時，采用BT切比AT切更容易加工，且產品的可靠性也會好很多。

而AT切割的基頻振動模式又有三次泛音和五次泛音，晶振的封裝尺寸也會有影響，通常像2016晶振，2520晶振，3225晶振和5032晶振封裝等比較小型的，很少會用到五次泛音。貼片晶振上到40M以上的，三次泛音會比較少。舉個例子：我司冠杰電子某款石英晶體諧振器48MHz三次泛音的厚度約為0.104mm（與16MHz基本波的厚度相同），48MHz基本波產品的厚度約為0.034mm。在設計芯片厚度時，AT切的無源晶振的厚度與頻率，及振蕩模式有關，而與芯片的尺寸大小無關。做成成品后的AT切基頻產品，AT切3泛音產品與BT切產品可以通過觀察其C0/C1值，TS值，電阻值及TC特性來區(qū)分。當發(fā)現石英諧振器與電路組裝后，頻率不在要求的數值上，造成電路不能正常工作。

要滿足這些方面的要求，光是諧振器的尺寸縮小并不夠，還必須將其按照受剪力最小原則安放。舉個例子，對高振動AT-cut晶體而言，第三點裝配法可用于將晶體空白的無電端設置為晶體包。用這種方法，晶體抗振動水平能上升至100 000g。同樣地，用這種晶體結合更先進的結構工藝制造的振蕩器也能達到100 000g的抗振動性。