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510ABA106M250BAGR Silicon芯科晶振 6G電信晶振 Si510差分振蕩器
510ABA106M250BAGR Silicon芯科晶振 6G電信晶振 Si510差分振蕩器,尺寸5.0*3.2mm,頻率106.25MHZ，輸出邏輯LVPECL,電壓3.3V,頻率穩(wěn)定性25ppm,XO時(shí)鐘振蕩器（標(biāo)準(zhǔn)），LV-PECL輸出晶振，有源差分晶振，差分晶體振蕩器，6GWIFI差分晶振，低電壓差分振蕩器，低抖動(dòng)差分晶振，低耗能差分晶振，高性能差分晶振，儀器設(shè)備差分晶振，6G光模塊差分晶振，無線網(wǎng)絡(luò)差分振蕩器，網(wǎng)絡(luò)設(shè)備專用差分晶振，OSC差分晶振，有源差分晶振，貼片型差分振蕩器.
差分晶振產(chǎn)品具有低抖動(dòng)低電壓的特點(diǎn)，主要應(yīng)用范圍SONET/SDH/OTN網(wǎng)絡(luò)，千兆以太網(wǎng)，光纖通道/SAS/SATA，PCI Express總線，3G-SDI/HD-SDI/SDI，電信，交換機(jī)/路由器，F(xiàn)PGA/ASIC時(shí)鐘生成等領(lǐng)域.510ABA106M250BAGR Silicon芯科晶振 6G電信晶振 Si510差分振蕩器.
510ABA106M250BAGR Silicon芯科晶振 6G電信晶振 Si510差分振蕩器,尺寸5.0*3.2mm,頻率106.25MHZ，輸出邏輯LVPECL,電壓3.3V,頻率穩(wěn)定性25ppm,XO時(shí)鐘振蕩器（標(biāo)準(zhǔn)），LV-PECL輸出晶振，有源差分晶振，差分晶體振蕩器，6GWIFI差分晶振，低電壓差分振蕩器，低抖動(dòng)差分晶振，低耗能差分晶振，高性能差分晶振，儀器設(shè)備差分晶振，6G光模塊差分晶振，無線網(wǎng)絡(luò)差分振蕩器，網(wǎng)絡(luò)設(shè)備專用差分晶振，OSC差分晶振，有源差分晶振，貼片型差分振蕩器.
差分晶振產(chǎn)品具有低抖動(dòng)低電壓的特點(diǎn)，主要應(yīng)用范圍SONET/SDH/OTN網(wǎng)絡(luò)，千兆以太網(wǎng)，光纖通道/SAS/SATA，PCI Express總線，3G-SDI/HD-SDI/SDI，電信，交換機(jī)/路由器，F(xiàn)PGA/ASIC時(shí)鐘生成等領(lǐng)域.510ABA106M250BAGR Silicon芯科晶振 6G電信晶振 Si510差分振蕩器.
510ABA106M250BAGR Silicon芯科晶振 6G電信晶振 Si510差分振蕩器 參數(shù)表
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Supply Voltage
V DD
3.3 V option
2.97
3.3
3.63
V
2.5 V option
2.25
2.5
2.75
V
1.8 V option
1.71
1.8
1.89
V
Supply Current
IDD
CMOS, 100 MHz,
single-ended
—
21
26
mA
LVDS
(output enabled)
—
19
23
mA
LVPECL
(output enabled)
—
39
43
mA
HCSL
(output enabled)
—
41
44
mA
Tristate
(output disabled)
—
—
18
mA
OE "1" Setting
VIH
See Note
0.80 x V DD
—
—
V
OE "0" Setting
VIL
See Note
—
—
0.20 x V DD
V
OE Internal Pull-Up/Pull-
Down Resistor*
RI
—
45
—
kΩ
Operating Temperature
TA
–40
—
85
oC
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Nominal Frequency
FO
CMOS, Dual CMOS
0.1
—
212.5
MHz
FO
LVDS/LVPECL/HCSL
0.1
—
250
MHz
Total Stability*
Frequency Stability Grade C
–30
—
+30
ppm
Frequency Stability Grade B
–50
—
+50
ppm
Frequency Stability Grade A
–100
—
+100
ppm
Temperature Stability
Frequency Stability Grade C
–20
—
+20
ppm
Frequency Stability Grade B
–25
—
+25
ppm
Frequency Stability Grade A
–50
—
+50
ppm
Startup Time
TSU
Minimum V DD until output
frequency (FO) within specification
—
—
10
ms
Disable Time
TD
FO> 10 MHz
—
—
5
µs
FO< 10 MHz
—
—
40
µs
Enable Time
TE
FO> 10 MHz
—
—
20
µs
FO< 10 MHz
—
—
60
µs
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
CMOS Output Logic
High
V OH
0.85 x V DD
—
—
V
CMOS Output Logic
Low
VOL
—
—
0.15 x V DD
V
CMOS Output Logic
High Drive
I OH
3.3 V
–8
—
—
mA
2.5 V
–6
—
—
mA
1.8 V
–4
—
—
mA
CMOS Output Logic
Low Drive
I OL
3.3 V
8
—
—
mA
2.5 V
6
—
—
mA
1.8 V
4
—
—
mA
CMOS Output Rise/Fall
Time
(20 to 80% V DD)
TR/T F
0.1 to 212.5 MHz,
CL = 15 pF
0.45
0.8
1.2
ns
0.1 to 212.5 MHz,
CL = no load
0.3
0.6
0.9
ns
LVPECL Output
Rise/Fall Time
(20 to 80% VDD)
TR/T F
100
—
565
ps
HCSL Output Rise/Fall
Time (20 to 80% VDD)
TR/T F
100
—
470
ps
LVDS Output Rise/Fall
Time (20 to 80% VDD)
TR/T F
350
—
800
ps
LVPECL Output
Common Mode
VOC
50 Ω to V DD – 2 V,
single-ended
—
V DD –
1.4 V
—
V
LVPECL Output Swing
VO
50 Ω to V DD – 2 V,
single-ended
0.55
0.8
0.90
VPPSE
LVDS Output Common
Mode
VOC
100 Ω line-line
V DD= 3.3/2.5 V
1.13
1.23
1.33
V
100 Ω line-line, V DD= 1.8 V
0.83
0.92
1.00
V
LVDS Output Swing
VO
Single-ended, 100 Ω differential
termination
0.25
0.35
0.45
VPPSE
HCSL Output Common
Mode
VOC
50 Ω to ground
0.35
0.38
0.42
V
HCSL Output Swing
VO
Single-ended
0.58
0.73
0.85
VPPSE
Duty Cycle
DC
All formats
48
50
52
%
510ABA106M250BAGR Silicon芯科晶振 6G電信晶振 Si510差分振蕩器 尺寸圖
SMD振蕩器產(chǎn)品特性：
支持以下任何頻率
100kHz至250MHz
DLD 片內(nèi)LDO電源調(diào)節(jié)器
電源噪聲濾波 3.3、2.5或1.8 V工作電壓
差異(LVPECL，LVDS， HCSL)或CMOS輸出選項(xiàng) 可選集成1:2 CMOS
扇出緩沖器
OE上的不良抑制和通電
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)5 x 7、3.2 x 5、 和2.5 x 3.2毫米封裝
無鉛，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
–40至85攝氏度操作
更多相關(guān)Silicon晶振型號(hào)
| Manufacturer Part Number原廠代碼 | Manufacturer品牌 | Series型號(hào) | Frequency 頻率 | Voltage - Supply電壓 | Frequency Stability頻率穩(wěn)定度 |
| 510GBA100M000AAG | Silicon Labs | * | - | - | - |
| 510GBA125M000AAG | Silicon Labs | * | - | - | - |
| 510ABA100M000BAGR | Silicon Labs | Si510 | 100MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 510ABA125M000BAGR | Silicon Labs | Si510 | 125MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 510BBA100M000BAGR | Silicon Labs | Si510 | 100MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 510BBA125M000BAGR | Silicon Labs | Si510 | 125MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 510FBA100M000BAGR | Silicon Labs | Si510 | 100MHz | 2.5V | ±25ppm |
| 510FBA125M000BAGR | Silicon Labs | Si510 | 125MHz | 2.5V | ±25ppm |
| 511ABA100M000BAGR | Silicon Labs | Si511 | 100MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511ABA125M000BAGR | Silicon Labs | Si511 | 125MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511BBA100M000BAGR | Silicon Labs | Si511 | 100MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511BBA125M000BAGR | Silicon Labs | Si511 | 125MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511FBA100M000BAGR | Silicon Labs | Si511 | 100MHz | 2.5V | ±25ppm |
| 511FBA125M000BAGR | Silicon Labs | Si511 | 125MHz | 2.5V | ±25ppm |
| 510ABA106M250BAGR | Silicon Labs | Si510 | 106.25MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 510BBA106M250BAGR | Silicon Labs | Si510 | 106.25MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511ABA106M250BAGR | Silicon Labs | Si511 | 106.25MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511BBA106M250BAGR | Silicon Labs | Si511 | 106.25MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511FBA106M250BAGR | Silicon Labs | Si511 | 106.25MHz | 2.5V | ±25ppm |
| 510ABA000149BAGR | Silicon Labs | Si510 | 74.175824MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 510ABA74M2500BAGR | Silicon Labs | Si510 | 74.25MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 510BBA000149BAGR | Silicon Labs | Si510 | 74.175824MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 510BBA74M2500BAGR | Silicon Labs | Si510 | 74.25MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 510FBA000149BAGR | Silicon Labs | Si510 | 74.175824MHz | 2.5V | ±25ppm |
| 510FBA74M2500BAGR | Silicon Labs | Si510 | 74.25MHz | 2.5V | ±25ppm |
| 511ABA000149BAGR | Silicon Labs | Si511 | 74.175824MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511ABA74M2500BAGR | Silicon Labs | Si511 | 74.25MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511BBA000149BAGR | Silicon Labs | Si511 | 74.175824MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511BBA74M2500BAGR | Silicon Labs | Si511 | 74.25MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511FBA000149BAGR | Silicon Labs | Si511 | 74.175824MHz | 2.5V | ±25ppm |
| 511FBA74M2500BAGR | Silicon Labs | Si511 | 74.25MHz | 2.5V | ±25ppm |
| 510CBA156M250BAG | Silicon Labs | * | - | - | - |
| 510GBA156M250BAG | Silicon Labs | * | - | - | - |
| 510CBA156M250AAG | Silicon Labs | * | - | - | - |
| 510GBA156M250AAG | SiliconCrystal | * | - | - | - |
| 510ABA100M000AAGR | Silicon Labs | Si510 | 100MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 510ABA125M000AAGR | Silicon Labs | Si510 | 125MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 510BBA100M000AAGR | Silicon Labs | Si510 | 100MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 510BBA125M000AAGR | Silicon Labs | Si510 | 125MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 510FBA100M000AAGR | Silicon Labs | Si510 | 100MHz | 2.5V | ±25ppm |
| 510FBA125M000AAGR | Silicon Labs | Si510 | 125MHz | 2.5V | ±25ppm |
| 511ABA100M000AAGR | Silicon Labs | Si511 | 100MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511ABA125M000AAGR | Silicon Labs | Si511 | 125MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511BBA100M000AAGR | Silicon Labs | Si511 | 100MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511BBA125M000AAGR | Silicon Labs | Si511 | 125MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511FBA100M000AAGR | Silicon Labs | Si511 | 100MHz | 2.5V | ±25ppm |
| 511FBA125M000AAGR | Silicon Labs | Si511 | 125MHz | 2.5V | ±25ppm |
聯(lián)系人：李玉龍
電話：86-0755-27839151
手機(jī)：13828756848
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- AXE3225P‐33‐50-4F-100.000MHz,3225mm,3.3V,AXTAL差分晶振,歐美進(jìn)口晶振,100MHZ有源晶振,六腳差分晶振,SPXO有源晶振,LV-PECL輸出晶振,3225mm小體積振蕩器,石英差分晶振,尺寸3.2*2.5mm,頻率100MHZ,電壓3.3V,輸出LVPECL,低電壓晶振,低相位晶振,低功耗晶振,無線局域網(wǎng)晶振,智能家居晶振,物聯(lián)網(wǎng)晶振,多媒體設(shè)備晶振,移動(dòng)應(yīng)用晶振.
- XG-2121CA貼片差分晶振,X1M0003110022,愛普生娛樂設(shè)備晶振
XG-2121CA貼片差分晶振,X1M0003110022,愛普生娛樂設(shè)備晶振，尺寸7.0*5.0mm,頻率100MHZ，輸出邏輯LV-PECL，日本EPSON晶振，日本有源晶振，六腳差分晶振，LV-PECL輸出晶振，LV-PECL差分晶體振蕩器，7050mm差分晶振，有源差分振蕩器，石英差分晶振，貼片差分晶振，娛樂設(shè)備差分晶振，室外基站差分晶振，衛(wèi)星定位差分晶振，智能家居差分晶振，無線模塊差分晶振，測(cè)試設(shè)備差分晶振，低抖動(dòng)差分晶振，低耗能差分晶振，低耗能差分晶振，低電壓差分晶振，低相位差分晶振，低相噪差分晶振，具有低耗能低相位相噪的特點(diǎn)。
SMD振蕩器產(chǎn)品比較常用各大應(yīng)用程序之中，比較適用于娛樂設(shè)備，室外基站，衛(wèi)星定位，智能家居，無線模塊，測(cè)試設(shè)備等應(yīng)用。XG-2121CA貼片差分晶振,X1M0003110022,愛普生娛樂設(shè)備晶振.
- X1M0003210001,EPSON差分振蕩器,XG-2103CA無線路由器晶振
X1M0003210001,EPSON差分振蕩器,XG-2103CA無線路由器晶振，尺寸7.0*5.0mm,頻率132.8125MHZ，輸出邏輯LV-PECL，日本進(jìn)口差分晶振，日本愛普生晶振，貼片差分振蕩器，有源差分晶振，差分晶體振蕩器，LV-PECL輸出晶振，7050mm差分晶振，OSC差分振蕩器，石英差分晶振，低抖動(dòng)差分晶振，低耗能差分晶振，低電壓差分晶振，低耗能差分晶振，高質(zhì)量差分晶振，高性能差分晶振，無線路由器差分晶振，通信模塊差分晶振，儀器設(shè)備差分晶振，測(cè)試測(cè)量差分晶振，通信基站差分晶振，航空通信差分晶振，具有低抖動(dòng)低電壓的特點(diǎn)。
有源晶振產(chǎn)品廣泛應(yīng)用各大應(yīng)用程序之中，尤其適合用于無線路由器，通信模塊，儀器設(shè)備，測(cè)試測(cè)量，通信基站差，航空通信等應(yīng)用。X1M0003210001,EPSON差分振蕩器,XG-2103CA無線路由器晶振.
晶振廠家
- 陶瓷諧振器
- 陶瓷濾波器
- 石英晶振
- 32.768KHz
- 貼片晶振
- 聲表面濾波器
- 5070貼片晶振
- 6035貼片晶振
- 5032貼片晶振
- 3225貼片晶振
- 2520貼片晶振
- 2016貼片晶振
- 1612貼片晶振
- 1210貼片晶振
- 8045貼片晶振
進(jìn)口晶振
- KDS晶振
- 愛普生晶振
- 精工晶振
- 西鐵城晶振
- 村田晶振
- 京瓷晶振
- NDK晶振
- 大河晶振
- 美國(guó)CTS晶振
- IDT晶振
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- 美國(guó)ECS晶振
- 美國(guó)日蝕晶振
- 美國(guó)拉隆晶振
- 美國(guó)格林雷工業(yè)晶振
- 美國(guó)SiTime晶振
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臺(tái)產(chǎn)晶振
有源晶振
霧化片
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電話：86-0755-27839151
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