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TXC晶振,石英晶振,BG晶振

TXC晶振,石英晶振,BG晶振

尺寸:5.0*7.0mm    頻率:75MHZ~700MHZ 

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選2.5V,3V3.3V以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要..

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TXC晶振,5070貼片晶振,BF晶振

TXC晶振,5070貼片晶振,BF晶振

尺寸:5.0*7.0mm    頻率:25MHZ~200MHZ 

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選2.5V,3V3.3V以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要..

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TXC晶振,有源晶振,BC晶振

TXC晶振,有源晶振,BC晶振

尺寸:5.0*7.0mm    頻率:75MHZ~700MHZ 

MD高速自動安裝和高溫回流焊設(shè)計,Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~5 V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.

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TXC晶振,差分晶振,BB晶振

TXC晶振,差分晶振,BB晶振

尺寸:5.0*7.0mm    頻率:25MHZ~200MHZ 

MD高速自動安裝和高溫回流焊設(shè)計,Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~5 V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.

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TXC晶振,5070晶振,BA晶振

TXC晶振,5070晶振,BA晶振

尺寸:5.0*7.0mm    頻率:25.000MHZ~200.000MHZ 

貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.

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TXC晶振,有源晶振,7J晶振

TXC晶振,有源晶振,7J晶振

尺寸:14*9mm    頻率:25.000MHZ~700.000MHZ 

MD高速自動安裝和高溫回流焊設(shè)計,Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.

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NSK晶振,陶瓷晶振,NRTZTT晶振

NSK晶振,陶瓷晶振,NRTZTT晶振

尺寸:10x5mm   頻率:1.8~50MHZ,

插件三腳陶瓷晶振跟貼片的區(qū)別在于SMD是編帶方式包裝,焊接方面支持表面貼裝,可對應(yīng)產(chǎn)品應(yīng)用到自動貼片機(jī)高速安裝,是指晶振內(nèi)部本身有自帶負(fù)載電容的陶瓷諧振器, “壓電陶瓷”, 與CR,LC電路不同,陶瓷振蕩子利用的是機(jī)械諧振而不是像壓電石英晶體一樣電諧振的方式起振.這意味著它基本上不受外部電路或電源電壓波動的影響.從而可以制作成無需調(diào)整的高度穩(wěn)定的振蕩電路.


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NSK晶振,貼片式陶瓷晶振,NREZTTCV晶振

NSK晶振,貼片式陶瓷晶振,NREZTTCV晶振

尺寸:3.7x3.1mm   頻率:2.0M~50MHZ,

對于貼片陶瓷晶振本身內(nèi)置帶有負(fù)載電容的,我們都稱呼為帶電容陶瓷晶振,或者是ZTT陶瓷晶振,產(chǎn)品特性具有對激勵信號頻率十分敏感的突出特點(diǎn),當(dāng)外加的交流電場的頻率和諧振器的諧振頻率發(fā)生共振時,電能和機(jī)械能的轉(zhuǎn)換會發(fā)生在諧振器的諧振頻率上.高頻諧振器內(nèi)建電容貼片 ZTTC 貼片 SMD 陶瓷諧振器的內(nèi)置電容,而 ZTAC 則不含電容.ZTTC/ZTAC(與 Murata CSAC/CSTC 系列相容)的頻率范圍在 2.0MHz 至 50.00MHz,頻率公差為 ±0.5%.


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NSK晶振,陶瓷諧振器,NREZTTCC晶振

NSK晶振,陶瓷諧振器,NREZTTCC晶振

尺寸:7.4x3.4mm   頻率:2.0M~50MHZ,

對于貼片陶瓷晶振本身內(nèi)置帶有負(fù)載電容的,我們都稱呼為帶電容陶瓷晶振,或者是ZTT陶瓷晶振,產(chǎn)品特性具有對激勵信號頻率十分敏感的突出特點(diǎn),當(dāng)外加的交流電場的頻率和諧振器的諧振頻率發(fā)生共振時,電能和機(jī)械能的轉(zhuǎn)換會發(fā)生在諧振器的諧振頻率上.高頻諧振器內(nèi)建電容貼片 ZTTC 貼片 SMD 陶瓷諧振器的內(nèi)置電容,而 ZTAC 則不含電容.ZTTC/ZTAC(與 Murata CSAC/CSTC 系列相容)的頻率范圍在 2.0MHz 至 50.00MHz,頻率公差為 ±0.5%.


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NSK晶振,陶瓷晶振,NRDZTACV晶振

NSK晶振,陶瓷晶振,NRDZTACV晶振

尺寸:3.7x3.1mm   頻率:2.0M~50MHZ,

對于貼片陶瓷晶振本身內(nèi)置帶有負(fù)載電容的,我們都稱呼為帶電容陶瓷晶振,或者是ZTT陶瓷晶振,產(chǎn)品特性具有對激勵信號頻率十分敏感的突出特點(diǎn),當(dāng)外加的交流電場的頻率和諧振器的諧振頻率發(fā)生共振時,電能和機(jī)械能的轉(zhuǎn)換會發(fā)生在諧振器的諧振頻率上.高頻諧振器內(nèi)建電容貼片 ZTTC 貼片 SMD 陶瓷諧振器的內(nèi)置電容,而 ZTAC 則不含電容.ZTTC/ZTAC(與 Murata CSAC/CSTC 系列相容)的頻率范圍在 2.0MHz 至 50.00MHz,頻率公差為 ±0.5%.


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NSK晶振,陶瓷晶振,ZTACS(MT/MX)晶振

NSK晶振,陶瓷晶振,ZTACS(MT/MX)晶振

尺寸:4.7x4.1mm   頻率:2.0M~50MHZ,

對于貼片陶瓷晶振本身內(nèi)置帶有負(fù)載電容的,我們都稱呼為帶電容陶瓷晶振,或者是ZTT陶瓷晶振,產(chǎn)品特性具有對激勵信號頻率十分敏感的突出特點(diǎn),當(dāng)外加的交流電場的頻率和諧振器的諧振頻率發(fā)生共振時,電能和機(jī)械能的轉(zhuǎn)換會發(fā)生在諧振器的諧振頻率上.高頻諧振器內(nèi)建電容貼片 ZTTC 貼片 SMD 陶瓷諧振器的內(nèi)置電容,而 ZTAC 則不含電容.ZTTC/ZTAC(與 Murata CSAC/CSTC 系列相容)的頻率范圍在 2.0MHz 至 50.00MHz,頻率公差為 ±0.5%.

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NSK晶振,陶瓷諧振器,NRDZTACC晶振

NSK晶振,陶瓷諧振器,NRDZTACC晶振

尺寸:7.4x3.4mm   頻率:2.0M~50MHZ,

使用陶瓷晶振,客戶可實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn).與CR,LC電路不同,陶瓷振蕩子利用的是機(jī)械諧振而不是電諧振.這意味著它基本上不受外部電路或電源電壓波動的影響.從而可以制作成無需調(diào)整的高度穩(wěn)定的振蕩電路.

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計時器件是數(shù)字電子產(chǎn)品的心臟

計時器件是數(shù)字電子產(chǎn)品的心臟

計時器件是數(shù)字電子產(chǎn)品的心臟

數(shù)十億個計時設(shè)備用于每天影響我們生活的電子系統(tǒng)。幾十年來,石英計時器件一直是行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。但它們體積龐大,可靠性較低,并且在環(huán)境壓力下無法正常工作。Quartz 未能跟上大規(guī)模的技術(shù)爆炸。現(xiàn)在是時候打破舊的 quartz 技術(shù)并構(gòu)建可以塑造我們未來的計時解決方案了。SiTime晶振的 MEMS 定時器件就是這樣誕生的。SiTime晶振的 MEMS 器件由硅制成(石英不是)。它使SiTime晶振能夠利用半導(dǎo)體行業(yè)的優(yōu)勢,例如更高的質(zhì)量、最新的封裝創(chuàng)新以及無需大量投資即可快速擴(kuò)展的能力。
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