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: 日蝕晶振,進(jìn)口無(wú)源晶振,EA2532YA12晶振

頻率:40.000MHZ 尺寸:3.2x2.5mm

貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

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: 日蝕晶振,進(jìn)口無(wú)源晶振,EA2532XA12晶振

頻率:40.000MHZ 尺寸:3.2x2.5mm

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: 日蝕晶振,進(jìn)口無(wú)源晶振,EA2532WA12晶振

頻率:40.000MHZ 尺寸:3.2x2.5mm

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: 日蝕晶振,3225無(wú)源諧振器,EA2532UA12晶振

頻率:40.000MHZ 尺寸:3.2x2.5mm

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: 日蝕晶振,石英諧振器,EA2532TA12晶振

頻率:40.000MHZ 尺寸:3.2x2.5mm

貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

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: 日蝕晶振,石英諧振器,EA2532PA12晶振

頻率:40.000MHZ 尺寸:3.2x2.5mm

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: 日蝕晶振,貼片諧振器,EA2025SA12晶振

頻率:32.000MHZ 尺寸:2.5x2.0mm

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: 日蝕晶振,貼片諧振器,EA2025RA08晶振

頻率:32.000MHZ 尺寸:2.5x2.0mm

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: 日蝕晶振,貼片諧振器,EA2025PA12晶振

頻率:24.000MHZ 尺寸:2.5x2.0mm

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: 日蝕晶振,貼片無(wú)源諧振器,EA2025MA08晶振

頻率:20.000MHZ 尺寸:2.5x2.0mm

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: 日蝕晶振,貼片無(wú)源諧振器,EA2025LA12晶振

頻率:20.000MHZ 尺寸:2.5x2.0mm

貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

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: 日蝕晶振,2520無(wú)源諧振器,EA2025JA18晶振

頻率:16.000MHZ 尺寸:2.5x2.0mm

貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

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計(jì)時(shí)器件是數(shù)字電子產(chǎn)品的心臟: 計(jì)時(shí)器件是數(shù)字電子產(chǎn)品的心臟

數(shù)十億個(gè)計(jì)時(shí)設(shè)備用于每天影響我們生活的電子系統(tǒng)。幾十年來(lái)，石英計(jì)時(shí)器件一直是行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。但它們體積龐大，可靠性較低，并且在環(huán)境壓力下無(wú)法正常工作。Quartz 未能跟上大規(guī)模的技術(shù)爆炸?，F(xiàn)在是時(shí)候打破舊的 quartz 技術(shù)并構(gòu)建可以塑造我們未來(lái)的計(jì)時(shí)解決方案了。SiTime晶振的 MEMS 定時(shí)器件就是這樣誕生的。SiTime晶振的 MEMS 器件由硅制成（石英不是）。它使SiTime晶振能夠利用半導(dǎo)體行業(yè)的優(yōu)勢(shì)，例如更高的質(zhì)量、最新的封裝創(chuàng)新以及無(wú)需大量投資即可快速擴(kuò)展的能力。
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