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E1SB55E0X0002E,臺(tái)灣鴻星晶振,2016mm晶振

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E1SB55E0X0002E,臺(tái)灣鴻星晶振,2016mm晶振,物料編碼E1SB55E0X0002E,型號(hào)E1SB系列晶振,頻率55.2MHz,精度±10ppm,負(fù)載10PF,工作溫度范圍:-30℃~85℃,尺寸為2..0*1.6mm,石英晶振,貼片晶振,石英晶體諧振器,2016mm晶振,晶振廠家,無源晶振。鴻星晶振,鴻星晶體諧振器,2016諧振器,廣泛應(yīng)用在藍(lán)牙耳機(jī),無線路由器,無線網(wǎng)卡,藍(lán)牙音響。

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E1SB26E007902E,E1SB系列晶振,2016石英諧振器

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E1SB26E007902E,E1SB系列晶振,2016石英諧振器,物料編碼E1SB26E007902E,型號(hào)E1SB系列晶振,頻率26MHz,精度±15ppm,負(fù)載9PF,工作溫度范圍:-40℃~85℃,尺寸為2..0*1.6mm,石英晶振,貼片晶振,石英晶體諧振器,2016mm晶振,晶振廠家,無源晶振。鴻星晶振,鴻星晶體諧振器,2016諧振器,廣泛應(yīng)用在電子產(chǎn)品,如智能計(jì)算機(jī),智能電腦,智能手機(jī),智能手表。

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7Q-40.000MCG-T,臺(tái)產(chǎn)TXC晶技晶振,TCXO振蕩器

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7Q-40.000MCG-T,臺(tái)產(chǎn)TXC晶技晶振,TCXO振蕩器,物料編碼為7Q-40.000MCG-T,臺(tái)產(chǎn)TXC晶技晶振,TCXO振蕩器,頻率為40MHz,型號(hào)為7Q,精度為±500ppb,電壓為2.5V,輸出為Clipped Sine Wave,工作溫度范圍為-30-85℃,TCXO晶振,四腳晶振,石英晶振,石英晶體振蕩器,3225石英晶體,特點(diǎn):低電壓,低電平,低抖動(dòng),低耗能,被應(yīng)用在數(shù)控機(jī)床,切割機(jī)床,工業(yè)設(shè)備機(jī)器。

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7X-12.000MBA-T,TXC晶技高品質(zhì)晶振,石英晶體振蕩器

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7X-12.000MBA-T,TXC晶技高品質(zhì)晶振,石英晶體振蕩器,物料編碼為7X-12.000MBA-T,頻率為12MHz,輸出CMOS,電壓3.3V,精度為±25ppm,工作溫度范圍-10℃-70℃,尺寸為3.2*2.5mm,四腳晶振,貼片晶振,石英晶振,SPXO晶振,CMOS振蕩器,石英晶體振蕩器,TXC晶振,晶振廠家,特點(diǎn):低電壓,高精度,輕型,小型,薄型,被廣泛應(yīng)用在指紋打開機(jī),藍(lán)牙音響,5G模塊網(wǎng),衛(wèi)星基站等。

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7X-50.000MBB-T,TXC高性能晶振,智能家居晶振

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7X-50.000MBB-T,TXC高性能晶振,智能家居晶振,物料編碼為7X-50.000MBB-T,型號(hào)為7X系列晶振,頻率為50MHz,輸出CMOS晶振,電壓為3.3V,精度為±50ppm,工作溫度范圍:-10℃~70℃,尺寸為  3.2*2.5mm,TXC高性能晶振,智能家居晶振,四腳晶振,石英晶振,貼片晶振,有源晶體振蕩器,SMD晶振,CMOS晶振,晶振廠家,XO晶振,特點(diǎn):低電源電壓,低電壓,低抖動(dòng),低差損。廣泛應(yīng)用在數(shù)碼相機(jī),數(shù)碼游戲機(jī),智能相機(jī),dvd,機(jī)頂盒。


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7X-30.000MBE-T,7X系列晶振,TXC臺(tái)產(chǎn)進(jìn)口晶振

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7X-30.000MBE-T,7X系列晶振,TXC臺(tái)產(chǎn)進(jìn)口晶振,物料編碼7X-30.000MBE-T,型號(hào)為7X系列晶振,頻率30MHz,精度為±50ppm,電壓為3.3V,輸出CMOS,工作溫度范圍:-40℃~85℃,尺寸為3.2*2.5mm,SMD晶振,CMOS振蕩器,SPXO晶振,石英晶振,貼片晶振,3225mm晶振,TXC晶振,特點(diǎn):輕小薄,高溫度,高精度等,廣泛應(yīng)用在汽車零件,比如車載顯示系統(tǒng),車載操作系統(tǒng),車載遙控系統(tǒng)等。

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8W-60.000MBB-T,高頻晶振,智能玩具晶振,石英晶體振蕩器

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8W-60.000MBB-T,高頻晶振,智能玩具晶振,石英晶體振蕩器,物料編碼為8W-60.000MBB-T,頻率為60MHz,型號(hào)為8W,輸出CMOS,電壓為3.3V,精度為±50ppm,工作溫度范圍:-10℃~70℃,尺寸為2.5*2.0mm,普通有源晶振,高頻晶振,智能玩具晶振,CMOS晶振,石英晶體振蕩器,四腳貼片晶振,2520振蕩器,2520mm晶振,特點(diǎn):低電壓,高精度,高溫度,高性能。被廣泛應(yīng)用在智能洗碗機(jī),智能晾衣架,電梯,遙控器,CPU處理器。

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8W-25.000MDB-T,SMD晶體振蕩器,臺(tái)產(chǎn)進(jìn)口TXC晶技晶振

8W-25.000MDB-T,SMD晶體振蕩器,臺(tái)產(chǎn)進(jìn)口TXC晶技晶振

8W-25.000MDB-T,SMD晶體振蕩器,臺(tái)產(chǎn)進(jìn)口TXC晶技晶振,物料編碼為8W-25.000MBD-T,SMD晶體振蕩器,臺(tái)產(chǎn)晶口TXC晶技晶振,輸出CMOS,電壓為1.8V,頻率為25MHz,精度為±50ppm,工作溫度為-10℃~70℃,尺寸為2.5*2.0mm,OSC晶振,CMOS振蕩器,四腳晶振,貼片晶振,石英晶振,有源晶體振蕩器,TXC晶振,特點(diǎn):低電壓,低電源電壓,低電平,低相控。廣泛應(yīng)用在智能錄音盒,無線網(wǎng)卡,無線路由器,USB轉(zhuǎn)接器。

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8W-12.000MBD-T,8W系列晶振,CMOS晶體振蕩器

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8W-12.000MBD-T,8W系列晶振,CMOS晶體振蕩器,物料編碼8W-12.000MBD-T,型號(hào)為8W系列晶振,頻率為12MHZ,精度為±25ppm,輸出CMOS,電壓為3.3V,工作溫度范圍為-40℃~-85℃,尺寸為2.5*2.0mm,TXC晶振,CMOS晶體振蕩器,四腳貼片晶振,石英晶振,有源晶體振蕩器,SMD晶振,2520振蕩器,晶振廠家,特點(diǎn):低相噪,低相控,低電源電壓,低電平。廣泛應(yīng)用智能平衡車,智能錄音機(jī),智能錄像機(jī),攝像頭。

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8P-38.400MCS-T,1612石英晶振,TXC電子晶振廠家

8P-38.400MCS-T,1612石英晶振,TXC電子晶振廠家

8P-38.400MCS-T,1612石英晶振,TXC電子晶振廠家,物料編碼8P-38.400MCS-T,頻率38.4MHz,輸出Clipped Sine Wave,型號(hào)為8P,電壓為2.5V,精度為±2ppm,工作溫度范圍:-30℃~85℃,尺寸為1.6*1.2mm,VC-TCXO晶振,有源晶體振蕩器,1612壓控溫補(bǔ)晶振,石英晶振,貼片晶振,四腳晶振,特點(diǎn):低電壓,低電源電壓,低抖動(dòng),低電平。廣泛應(yīng)用mp3,mp4,mp5,藍(lán)牙耳機(jī),無線耳機(jī)。

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8P-52.000MBS-T,8P系列晶振,TXC晶技晶振,52MHZ振蕩器

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8P-52.000MBS-T,型號(hào)8P系列晶振,頻率為52MHz,物料編碼8P-52.0000MHZ,輸出Clipped Sine Wave,電壓為3.3V,精度為±2ppm,工作溫度范圍:-30℃~85℃,尺寸為1.6*1.2mm,TXC晶技晶振,52MHz振蕩器,VC-TCXO晶振,有源晶振,壓控溫補(bǔ)振蕩器,四腳貼片晶振,石英晶體振蕩器,1612振蕩器,特點(diǎn):低相控,低衰減,低相噪,低電壓,廣泛應(yīng)用車載音響,車載導(dǎo)航,車載行車記錄儀,車載安全系統(tǒng)。

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7C-100.000MDE-T,臺(tái)產(chǎn)TXC高品質(zhì)晶振,石英晶體振蕩器

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7C-100.000MDE-T,臺(tái)產(chǎn)TXC高品質(zhì)晶振,石英晶體振蕩器,物料編碼為7C-100.000MDE-T,頻率為100MHz,輸出CMOS,電壓為1.8V,精度為±50ppm,工作溫度為:-40℃~85℃,尺寸為5.0*3.2mm,臺(tái)產(chǎn)TXC高品質(zhì)晶振,石英晶體振蕩器,四腳貼片晶振,SMD晶振,晶振廠家,石英晶振,5032有源晶振,特點(diǎn):高精度,高溫度,高性能,廣泛而應(yīng)用在智能體重秤,智能溫度計(jì),智能激光機(jī),X光,B超。

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計(jì)時(shí)器件是數(shù)字電子產(chǎn)品的心臟

計(jì)時(shí)器件是數(shù)字電子產(chǎn)品的心臟

計(jì)時(shí)器件是數(shù)字電子產(chǎn)品的心臟

數(shù)十億個(gè)計(jì)時(shí)設(shè)備用于每天影響我們生活的電子系統(tǒng)。幾十年來,石英計(jì)時(shí)器件一直是行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。但它們體積龐大,可靠性較低,并且在環(huán)境壓力下無法正常工作。Quartz 未能跟上大規(guī)模的技術(shù)爆炸?,F(xiàn)在是時(shí)候打破舊的 quartz 技術(shù)并構(gòu)建可以塑造我們未來的計(jì)時(shí)解決方案了。SiTime晶振的 MEMS 定時(shí)器件就是這樣誕生的。SiTime晶振的 MEMS 器件由硅制成(石英不是)。它使SiTime晶振能夠利用半導(dǎo)體行業(yè)的優(yōu)勢(shì),例如更高的質(zhì)量、最新的封裝創(chuàng)新以及無需大量投資即可快速擴(kuò)展的能力。
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