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TXC晶振,有源晶振,BC晶振

TXC晶振,有源晶振,BC晶振

尺寸:5.0*7.0mm    頻率:75MHZ~700MHZ 

MD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.

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TXC晶振,差分晶振,BB晶振

TXC晶振,差分晶振,BB晶振

尺寸:5.0*7.0mm    頻率:25MHZ~200MHZ 

MD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.

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TXC晶振,5070晶振,BA晶振

TXC晶振,5070晶振,BA晶振

尺寸:5.0*7.0mm    頻率:25.000MHZ~200.000MHZ 

貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動(dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.

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TXC晶振,有源晶振,7J晶振

TXC晶振,有源晶振,7J晶振

尺寸:14*9mm    頻率:25.000MHZ~700.000MHZ 

MD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.

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西鐵城晶振,OSC晶振,SSX-750P晶振,SSX-750PBC66000000T

西鐵城晶振,OSC晶振,SSX-750P晶振,SSX-750PBC66000000T

尺寸:5.0*7.0mm   頻率:1~125MHZ 貼片式石英晶體振蕩器,“SSX-750PBC66000000T”低電壓啟動(dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.

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西鐵城晶振,貼片晶振,CSX-750V晶振,CSX750VCB4.096M-UT

西鐵城晶振,貼片晶振,CSX-750V晶振,CSX750VCB4.096M-UT

尺寸:5.0*7.0mm   頻率:2~40MHZ 

貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動(dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,“CSX750VCB4.096M-UT”比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.

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西鐵城晶振,5070貼片晶振,CSX-750P晶振,CSX750PCC8.0000MT

西鐵城晶振,5070貼片晶振,CSX-750P晶振,CSX750PCC8.0000MT

尺寸:5.0*7.0mm   頻率:1~125MHZ 

貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動(dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,“CSX750PCC8.0000MT”,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.

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西鐵城晶振,貼片晶振,CSX-750F晶振,CSX750FCC16000000T

西鐵城晶振,貼片晶振,CSX-750F晶振,CSX750FCC16000000T

尺寸:5.0*7.0mm   頻率:1.8432MHZ~80.000MHZ 

貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動(dòng)功率,“CSX750FCC16000000T”并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.

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西鐵城晶振,貼片晶振,CSX-532T晶振,CSX532T26.000M2-UT10

西鐵城晶振,貼片晶振,CSX-532T晶振,CSX532T26.000M2-UT10

尺寸:5.0*3.2mm   頻率:12.8~26MHZ

貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動(dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,“CSX532T26.000M2-UT10”,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.

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西鐵城晶振,3225貼片晶振,CSX-325T晶振,CSX325T16.000M2-UT10

西鐵城晶振,3225貼片晶振,CSX-325T晶振,CSX325T16.000M2-UT10

尺寸:3.2*2.5mm   頻率:13~52MHZ

貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動(dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,“CSX325T16.000M2-UT10”,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.

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西鐵城晶振,有源晶振,CSX-252F晶振

西鐵城晶振,有源晶振,CSX-252F晶振

尺寸:2.5*2.0mm   頻率:32.768KHZ,2~60MHZ

小體積有源石英晶體振蕩器,在生產(chǎn)時(shí)需要在完全凈化車間,在密封的機(jī)器設(shè)備中測良,封裝等技術(shù)1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生;2.使組件在真空下電阻減小;3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶體元器必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。

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百利通亞陶晶振,貼片晶振,UX321晶振

百利通亞陶晶振,貼片晶振,UX321晶振

3225mm小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.

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計(jì)時(shí)器件是數(shù)字電子產(chǎn)品的心臟

計(jì)時(shí)器件是數(shù)字電子產(chǎn)品的心臟

計(jì)時(shí)器件是數(shù)字電子產(chǎn)品的心臟

數(shù)十億個(gè)計(jì)時(shí)設(shè)備用于每天影響我們生活的電子系統(tǒng)。幾十年來,石英計(jì)時(shí)器件一直是行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。但它們體積龐大,可靠性較低,并且在環(huán)境壓力下無法正常工作。Quartz 未能跟上大規(guī)模的技術(shù)爆炸?,F(xiàn)在是時(shí)候打破舊的 quartz 技術(shù)并構(gòu)建可以塑造我們未來的計(jì)時(shí)解決方案了。SiTime晶振的 MEMS 定時(shí)器件就是這樣誕生的。SiTime晶振的 MEMS 器件由硅制成(石英不是)。它使SiTime晶振能夠利用半導(dǎo)體行業(yè)的優(yōu)勢,例如更高的質(zhì)量、最新的封裝創(chuàng)新以及無需大量投資即可快速擴(kuò)展的能力。
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