TB512-052.0M進(jìn)口Connor-winfield振蕩器ASOF3S3-012.8M美國康納溫菲爾德有源晶振 CWX813-019.44M進(jìn)口Connor-winfield振蕩器TB512-052.0M康納溫菲爾德晶振OH100-50503CV-010.0M進(jìn)口Connor-winfield振蕩器 CWX813-024.576M康納溫菲爾德晶振TB522-080.0M石英晶體振蕩器OH100-50503CF-010.0M康納溫菲爾德晶振 CWX813-024.576M石英晶體振蕩器TB522-080.0M低電壓有源晶振OH100-61003CV-010.0M石英晶體振蕩器 CWX813-024.576M低電壓有源晶振TB522-080.0M康納溫菲爾德OSC晶振OH100-50503CF-012.8M低電壓有源晶振 CWX813-030.0M康納溫菲爾德OSC晶振TB524-100.0M美國進(jìn)口溫補(bǔ)晶振OH100-61003CF-020.0M康納溫菲爾德OSC晶振 CWX813-030.0M美國進(jìn)口高質(zhì)量晶振TB524-100.0M美國康納溫菲爾德有源晶振DOC102F-010.0M美國進(jìn)口高質(zhì)量晶振 CWX813-030.0M美國康納溫菲爾德有源晶振TB524-100.0M進(jìn)口Connor-winfield振蕩器DOC102F-010.0M美國康納溫菲爾德有源晶振 CWX813-020.0M進(jìn)口Connor-winfield振蕩器TB512-050.0M康納溫菲爾德晶振DOC102F-010.0M進(jìn)口Connor-winfield振蕩器 CWX813-020.0M康納溫菲爾德晶振TB512-050.0M石英晶體振蕩器DOC052F-012.8M康納溫菲爾德晶振 CWX813-020.0M石英晶體振蕩器TB512-050.0M低電壓有源晶振DOC052F-012.8M石英晶體振蕩器 CWX813-020.48M低電壓有源晶振TL602-024.576M康納溫菲爾德OSC晶振DOC052F-012.8M低電壓有源晶振 CWX813-020.48M康納溫菲爾德OSC晶振TL602-024.576M美國晶振ASOF3S3-010.0M康納溫菲爾德OSC晶振 CWX813-020.48M美國進(jìn)口高質(zhì)量晶振TL602-024.576M美國康納溫菲爾德有源晶振OH100-61003CF-012.8M美國進(jìn)口貼片晶振 CWX813-049.152M美國康納溫菲爾德有源晶振ML602-020.0M歐美晶振OH100-50503CV-020.0M美國康納溫菲爾德有源晶振 CWX813-049.152M進(jìn)口Connor-winfield振蕩器

ML602-020.0M康納溫菲爾德晶振V788-622.08M進(jìn)口振蕩器 CWX813-049.152M康納溫菲爾德晶振ML602-020.0M石英晶體振蕩器V788-622.08M康納溫菲爾德晶振 CWX813-050.0M石英晶體振蕩器DOT050F-012.8M低電壓有源晶振V788-622.08M石英晶體振蕩器 CWX813-050.0M低電壓有源晶振DOT050F-012.8M康納溫菲爾德OSC晶振V788-625.0M低電壓有源晶振 CWX813-050.0M康納溫菲爾德OSC晶振DOT050F-012.8M美國進(jìn)口高質(zhì)量晶振V788-625.0M康納溫菲爾德OSC晶振 CWX813-029.4912M美國進(jìn)口高質(zhì)量晶振DOT050F-019.2M美國康納溫菲爾德有源晶振V788-625.0M美國進(jìn)口高質(zhì)量晶振 CWX813-029.4912M美國康納溫菲爾德進(jìn)口晶振DOT050F-019.2M進(jìn)口Connor-winfield振蕩器DOCAT050F-010.0M美國康納溫菲爾德有源晶振 CWX813-029.4912M進(jìn)口Connor-winfield振蕩器DOT050F-019.2M康納溫菲爾德晶振DOCAT050F-010.0M進(jìn)口Connor-winfield振蕩器 CWX813-066.6666M康納溫菲爾德晶振DOT050F-019.44M石英晶體振蕩器DOCAT050F-010.0M康納溫菲爾德晶振 CWX813-066.6666M石英晶體振蕩器DOT050F-019.44M低電壓有源晶振DOCAT050F-020.0M石英晶體振蕩器 CWX813-066.6666M低電壓有源晶振DOT050F-019.44M康納溫菲爾德OSC晶振DOCAT050F-020.0M低電壓有源晶振 HSM613-060.0M康納溫菲爾德OSC晶振DOT050F-020.0M美國進(jìn)口高質(zhì)量晶振DOCAT050F-020.0M康納溫菲爾德OSC晶振 HSM613-060.0M美國進(jìn)口高質(zhì)量晶振DOT050F-020.0M美國康納溫菲爾德有源晶振DOCAT020F-010.0M美國進(jìn)口高質(zhì)量晶振 HSM613-060.0M美國康納溫菲爾德有源晶振DOT050F-020.0M進(jìn)口Connor-winfield振蕩器DOCAT020F-010.0M美國康納溫菲爾德有源晶振 HSM613-020.0M進(jìn)口Connor-winfield振蕩器DOT050V-019.44M康納溫菲爾德晶振DOCAT020F-010.0M進(jìn)口Connor-winfield振蕩器 HSM613-020.0M康納溫菲爾德晶振DOT050V-019.44M石英晶體振蕩器DOCAT020F-019.44M康納溫菲爾德晶振 HSM613-020.0M石英晶體振蕩器DOT050V-019.44M低電壓有源晶振DOCAT020F-019.44M石英晶體振蕩器 HSM613-049.152M低電壓有源晶振M602-040.0M康納溫菲爾德OSC晶振DOCAT020F-019.44M低電壓有源晶振 HSM613-049.152M康納溫菲爾德OSC晶振M602-040.0M美國進(jìn)口高質(zhì)量晶振DOCAT020F-020.0M康納溫菲爾德OSC晶振 HSM613-049.152M美國進(jìn)口高質(zhì)量晶振M602-040.0M美國康納溫菲爾德有源晶振DOCAT020F-020.0M美國進(jìn)口高質(zhì)量晶振 HSM613-050.0M美國康納溫菲爾德有源晶振M200F-024.576M進(jìn)口Connor-winfield振蕩器DOCAT020F-020.0M美國康納溫菲爾德有源晶振 HSM613-050.0M進(jìn)口Connor-winfield振蕩器M200F-024.576M康納溫菲爾德晶振DOCAT052F-010.0M進(jìn)口Connor-winfield振蕩器 HSM613-050.0M康納溫菲爾德晶振M200F-024.576M石英晶體振蕩器DOCAT052F-010.0M康納溫菲爾德晶振 HSM613-024.576M石英晶體振蕩器M100V-010.0M低電壓有源晶振DOCAT052F-010.0M石英晶體振蕩器 HSM613-024.576M低電壓有源晶振M100V-010.0M康納溫菲爾德OSC晶振DOCAT052F-019.44M低電壓有源晶振 HSM613-024.576M康納溫菲爾德OSC晶振M100V-010.0M美國進(jìn)口高質(zhì)量晶振DOCAT052F-019.44M康納溫菲爾德OSC晶振 HSM613-078.125M美國進(jìn)口高質(zhì)量晶振TB602-049.152M美國康納溫菲爾德有源晶振DOCAT052F-019.44M美國進(jìn)口高質(zhì)量晶振 HSM613-078.125M美國康納溫菲爾德有源晶振TB602-049.152M進(jìn)口Connor-winfield振蕩器DOCAT052F-020.0M美國康納溫菲爾德有源晶振 HSM613-078.125M進(jìn)口Connor-winfield振蕩器TB602-049.152M康納溫菲爾德晶振DOCAT052F-020.0M進(jìn)口Connor-winfield振蕩器

 HSM613-098.304M康納溫菲爾德晶振T200F-020.0M石英晶體振蕩器DOCAT052F-020.0M康納溫菲爾德晶振 HSM613-098.304M石英晶體振蕩器T200F-020.0M低電壓有源晶振OX400-620LF-020.0M石英晶體振蕩器 HSM613-098.304M低電壓有源晶振T200F-020.0M康納溫菲爾德OSC晶振OX400-620LF-024.576M低電壓有源晶振 HSM613-114.285M康納溫菲爾德OSC晶振M602-049.152M美國進(jìn)口高質(zhì)量晶振DOCSC022F-030.72M康納溫菲爾德OSC晶振 HSM613-114.285M美國進(jìn)口高質(zhì)量晶振M602-049.152M美國康納溫菲爾德有源晶振DOCSC022F-030.72M美國進(jìn)口高質(zhì)量晶振 HSM613-114.285M美國康納溫菲爾德有源晶振M602-049.152M進(jìn)口Connor-winfield振蕩器DOCSC022F-030.72M美國康納溫菲爾德有源晶振 HSM613-125.0M進(jìn)口Connor-winfield振蕩器T604-040.0M康納溫菲爾德晶振DOCSC012F-012.8M進(jìn)口Connor-winfield振蕩器 HSM613-125.0M康納溫菲爾德晶振T604-040.0M石英晶體振蕩器DOCSC012F-012.8M康納溫菲爾德晶振 HSM613-125.0M石英晶體振蕩器T604-040.0M低電壓有源晶振DOCSC012F-012.8M石英晶體振蕩器 CWX823-125.0M低電壓有源晶振T100V-012.8M康納溫菲爾德OSC晶振DOCSC012F-024.576M低電壓有源晶振 CWX823-125.0M康納溫菲爾德OSC晶振T100V-012.8M美國進(jìn)口高質(zhì)量晶振DOCSC012F-024.576M康納溫菲爾德OSC晶振 CWX823-125.0M美國進(jìn)口高質(zhì)量晶振T100V-012.8M美國康納溫菲爾德有源晶振DOCSC012F-024.576M美國進(jìn)口高質(zhì)量晶振 CWX823-156.25M美國康納溫菲爾德有源晶振T100V-020.0M進(jìn)口Connor-winfield振蕩器DOCSC012F-025.0M美國康納溫菲爾德有源晶振 CWX823-156.25M進(jìn)口Connor-winfield振蕩器T100V-020.0M康納溫菲爾德晶振OH300-71003SV-010.0M康納溫菲爾德晶振 CWX823-156.25M康納溫菲爾德晶振T100V-020.0M石英晶體振蕩器OH300-71003SV-010.0M石英晶體振蕩器 D32G-016.368M石英晶體振蕩器T200F-024.576M低電壓有源晶振OH300-71003SV-010.0M低電壓有源晶振 D32G-016.368M低電壓有源晶振T200F-024.576M康納溫菲爾德OSC晶振OH300-50503CV-020.0M康納溫菲爾德OSC晶振 D32G-016.368M康納溫菲爾德OSC晶振T200F-024.576M美國進(jìn)口高質(zhì)量晶振OH300-50503CV-020.0M美國進(jìn)口高質(zhì)量晶振 D32G-026.0M美國進(jìn)口高質(zhì)量晶振M200F-020.0M美國康納溫菲爾德有源晶振OH300-50503CV-020.0M美國康納溫菲爾德有源晶振 D32G-026.0M美國康納溫菲爾德有源晶振M200F-020.0M進(jìn)口Connor-winfield振蕩器OX9143S3-020.0M進(jìn)口Connor-winfield振蕩器 D32G-026.0M進(jìn)口Connor-winfield振蕩器M200F-020.0M康納溫菲爾德晶振OX9143S3-020.0M康納溫菲爾德晶振 D32G-019.2M康納溫菲爾德晶振T200F-010.0M石英晶體振蕩器OX9143S3-020.0M石英晶體振蕩器 D32G-019.2M石英晶體振蕩器T200F-010.0M低電壓有源晶振DGOF5S3-020.0M低電壓有源晶振 D32G-019.2M低電壓有源晶振T200F-010.0M康納溫菲爾德OSC晶振DOC020F-020.0M康納溫菲爾德OSC晶振 HSM93-032.0M康納溫菲爾德OSC晶振DOC100V-020.0M美國進(jìn)口高質(zhì)量晶振DOC020F-020.0M美國進(jìn)口高質(zhì)量晶振 HSM93-016.0M美國進(jìn)口高質(zhì)量晶振DOC100V-020.0M美國康納溫菲爾德晶振DOC020F-020.0M美國康納溫菲爾德有源晶振 HSM93-020.0M美國康納溫菲爾德有源晶振DOC100V-020.0M進(jìn)口Connor-winfield振蕩器DGOF5S3-010.0M進(jìn)口Connor-winfield振蕩器 HSM93-025.0M進(jìn)口Connor-winfield振蕩器ML602-024.576M康納溫菲爾德晶振CWX823-010.0M康納溫菲爾德晶振 PB223-156.25M康納溫菲爾德晶振ML602-024.576M石英晶體振蕩器CWX823-010.0M石英晶體振蕩器 PB223-156.25M石英晶體振蕩器ML602-024.576M低電壓有源晶振CWX823-010.0M低電壓有源晶振

中國智造體現(xiàn)的不止是以上方面，在更高的電磁科學(xué)、高超音速飛行器和大飛機(jī)等領(lǐng)域，也取得了重大成果。像是這樣的高等的產(chǎn)品，普通的無源晶振已經(jīng)無法滿足其需求了，要用比較高級(jí)的溫補(bǔ)晶振、壓控晶振甚至是壓控溫補(bǔ)晶振，這三類晶體振蕩器是有源晶振中的高級(jí)晶振，擁有獨(dú)特的性能，溫補(bǔ)晶振本身是帶有溫度補(bǔ)償功能的，壓控晶振則是自帶有電壓控制功能，壓控晶振VC-TCXO則是將兩都結(jié)合為一體。

我們將石英晶體振蕩器分為溫補(bǔ)振蕩器、恒溫晶體振蕩器、壓控晶體振蕩器、簡(jiǎn)單封裝晶體振蕩器以及頻率控制晶體振蕩器等幾類，而溫補(bǔ)晶體振蕩器的應(yīng)用范圍從我們身邊的移動(dòng)電話到翱翔太空的人造衛(wèi)星，無處不見它的身影，像衛(wèi)星這等高要求的通信設(shè)備，在選擇晶體振蕩器方面也是非常非常之嚴(yán)格的，一般只有軍工企業(yè)才能提供，是屬于軍工產(chǎn)品，不過即使如此在選用方面還是要特別注意的。那么如何在相互關(guān)聯(lián)的性能指標(biāo)中選擇合適的晶體振蕩器呢？

壓電石英水晶在經(jīng)過加工成元件之后，分為很多種元件，比如有石英晶體諧振器和到石英晶體振蕩器，諧振器和到振蕩器焊接方面又要所不同，石英晶體振蕩器也有分為很多種，比如普通的帶電壓的有源晶振,有VCXO壓控振蕩器，恒溫晶體，TCXO溫補(bǔ)晶振等系列。

固體可以分為結(jié)晶體(晶體)與非結(jié)晶體(非晶體)兩大類。晶體中有外形高度對(duì)稱的單晶體(如石英晶體)和由許多微細(xì)晶體組成的多晶體(如各種金屬)。晶體的主要特性是原子和分子的有規(guī)則排列,這種排列反映在宏觀上是外形的對(duì)稱性,而非晶體就不具備這種特性,例如石英玻璃,它的成份與石英晶振晶體一樣是SiO2,但不屬于晶體。

石英晶體可以是天然的,也可以由人工培養(yǎng)。晶態(tài)物質(zhì)在適當(dāng)條件下,能自發(fā)地發(fā)展成為一個(gè)凸多面體形的單晶體。圍成這樣一個(gè)多面體的面稱為晶面;晶面的交線稱為晶棱;晶棱的會(huì)集點(diǎn)稱為頂點(diǎn)。發(fā)育良好的單晶體,外形上最顯著的特征是晶面有規(guī)則的配置,屬于同一品種的晶體,兩個(gè)對(duì)應(yīng)晶面(或晶棱)間的夾角恒定不變。圖1.1.1給出了理想石英晶體的外形。石英晶振晶體的晶面共30個(gè),分為五組,六個(gè)m面(柱面),六個(gè)R面(大棱面),六個(gè)r面(小棱面)六個(gè)s面(三方雙錐面),六個(gè)x面(三方偏方面),相鄰m面的夾角為60°相鄰m面和R面的夾角與相鄰m面和r面的夾角都等于38°13,相鄰s面與x面的夾角等于25°57。由于外界條件能使某一個(gè)或某一組晶面相對(duì)地變小或完全隱沒,所以實(shí)際見到的石英晶體很少如圖1.1.1所示,就是人造石英晶體的外形也只是接近理想情況.

(a)右旋石英晶體 (b)左旋石英晶體

圖1.1.1石英晶體的理想外形

晶體內(nèi)部結(jié)構(gòu)的規(guī)律性,造成了它在外形上的對(duì)稱性。例如:晶體可以有對(duì)稱軸、對(duì)稱中心、對(duì)稱面等對(duì)稱元素。石英晶體存在一個(gè)三次對(duì)稱軸(或三次軸即晶體繞該軸旋360°3后能夠復(fù)原)和三個(gè)互成120°的二次軸,如圖1.1.2中的a、b、d軸

圖1.1.2石英晶體的對(duì)稱軸和直角坐標(biāo)系

在結(jié)晶學(xué)中,晶體的內(nèi)部結(jié)構(gòu)可以概括為是由一些“點(diǎn)子”在空間有規(guī)則地作周期的無限分布:“點(diǎn)子”代表原子、離子、分子或其集團(tuán)的重心。這些“點(diǎn)子”的總體稱為點(diǎn)陣,構(gòu)成石英晶體的是二氧化硅分子,而二氧化硅分子的重心又正好與硅離子重合,因此硅離子的點(diǎn)陣就可以反映出石英晶體的內(nèi)部結(jié)構(gòu)

石英晶體的各層硅離子若按右手螺旋規(guī)則分布,則稱為右旋石英晶體;若按左手螺旋規(guī)則分布,稱為左旋石英晶體。從外形上看,右旋石英晶體振蕩器,石英晶體的s面在R面的右下方或m面的左上方,左旋石英晶體的s面在R面的左下方或m面的右上方(見圖1.1.1),它們互為鏡象對(duì)稱。

晶體物理性質(zhì)的各向異性和晶體外形的對(duì)稱性有關(guān),因此討論石英晶體的物理性質(zhì)時(shí),采用為圖1.1.2所示的直角坐標(biāo)系較為方便。選c軸為z軸,a(或b、d)軸為x軸,與x軸、z軸垂直的軸為y軸。其指向按1949年IRE標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定對(duì)左、右旋石英晶體均采用右手直角坐標(biāo)系。

在外力作用下,物體的大小和形狀都要發(fā)生變化,通常稱之為形變。如果外力撤消后,物體能恢復(fù)原狀,則這種性質(zhì)稱為物體的彈性;如果外力撤消后,物體不能恢復(fù)原狀,則這種性質(zhì)就稱為物體的塑性。自然界既不存在完全彈性的物體,也不存在完全塑性的物體。對(duì)于任何物體,當(dāng)外力小時(shí),形變也小,外力撤消后,物體可完全復(fù)原;當(dāng)外力大時(shí),形變也大。若外力過大,形變超過一定限度,物體就不會(huì)復(fù)原了。這就說明,物體有一定的彈性限度,超過這個(gè)限度就變成塑性。與壓電有關(guān)的問題,都屬于彈性限度范圍內(nèi)的問題。因此,這里僅討論石英晶振晶體的彈性性質(zhì)。

一、應(yīng)力

選兩根長(zhǎng)度相等,粗細(xì)不同的橡皮繩,當(dāng)這兩根橡皮繩受到相同的拉力作用時(shí),顯然,細(xì)橡皮繩比粗橡皮繩拉得長(zhǎng)一些。為什么在相同的外力作用下,它們的伸長(zhǎng)量不一樣呢?這是因?yàn)閮筛鹌だK的粗細(xì)不一樣,也就是橫截面的大小不樣。由此可見,在拉力的作用下,物體的伸長(zhǎng)量不僅與力的大小有關(guān),而且還與石英晶振,貼片晶振等物體的橫截面的大小有關(guān)。為了計(jì)入橫截面大小的影響,引入單位面積的作用力(即應(yīng)力)這個(gè)概念,它的數(shù)學(xué)表達(dá)式為:

式中,T為應(yīng)力,F為作用力,A為橫截面(即力的作用面積)。通常規(guī)定作用力為拉力時(shí),T>0,作用力為壓力時(shí),T<0。

二、應(yīng)變

選擇兩根長(zhǎng)度不等,但粗細(xì)相同的橡皮繩,當(dāng)這兩根橡皮繩受到相同的拉力作用時(shí),它們的應(yīng)力相同,而伸長(zhǎng)量不同,即長(zhǎng)橡皮繩比短橡皮繩拉得長(zhǎng)一些。由此可見,石英晶體振蕩器,石英晶振,物體的伸長(zhǎng)量不僅與應(yīng)力有關(guān),而且還與原來的長(zhǎng)度有關(guān)。為了計(jì)入長(zhǎng)度的影響,引入單位長(zhǎng)度的伸長(zhǎng)量(即應(yīng)變)這個(gè)概念。它的數(shù)學(xué)表達(dá)式為

式中,S為應(yīng)變,l為原長(zhǎng),△l為伸長(zhǎng)量,△l為單位長(zhǎng)度的伸長(zhǎng)量(或相對(duì)伸長(zhǎng)量)。

三、正應(yīng)力與正應(yīng)變

如圖2.2.1(a)所示的小方片,當(dāng)它受到x方向的應(yīng)力作用時(shí),除在x方向產(chǎn)生伸長(zhǎng)外,同時(shí)在y方向也產(chǎn)生收縮,如圖2.2.1(b)所示。同樣,當(dāng)小方片受到y方向的應(yīng)力作用時(shí),除了在y方向產(chǎn)生伸長(zhǎng)外,同時(shí)在x方向也產(chǎn)生收縮.如圖2.2.1(c)所示。上述

 (a)未受力情況(b)沿x方向受力時(shí)的形變情況(c)沿y方向受力時(shí)的形變情況

圖2.2.1小方片應(yīng)力、應(yīng)變示意圖

沿x方向應(yīng)力和y方向應(yīng)力的特點(diǎn)是,石英晶振力的方向與作用面垂直(或力的方向與作用面的法線方向平行)。為了反應(yīng)這兩個(gè)方向在應(yīng)力符號(hào)上要附加兩個(gè)足標(biāo),例如Tx和Ty。應(yīng)力的第一個(gè)足標(biāo)表示力的方向,第二個(gè)足標(biāo)表示作用面的法線方向。同理,石英貼片晶振應(yīng)變也有兩個(gè)足標(biāo),例如Sx和Sy應(yīng)變的第一個(gè)足標(biāo)表示原長(zhǎng)度的方向,第二個(gè)足標(biāo)表示伸長(zhǎng)量的方向,Tx、Ty又稱正應(yīng)力(或伸縮應(yīng)力),Sx、Sy又稱為正應(yīng)變(或伸縮應(yīng)變)為了簡(jiǎn)便,通常將足標(biāo)中的(x,y,z)用(1,2,3)表示,而且將雙足標(biāo)簡(jiǎn)化為單足標(biāo),雙足標(biāo)與單足標(biāo)的關(guān)系如表2.2.1所示。

四、切應(yīng)力與切應(yīng)變

形變前為一正方形的薄片,在形變后變?yōu)榱庑?/span>,這樣的形變稱為切變,如圖22.2所示。從圖中看出,切變的特點(diǎn)是形變前、后四個(gè)邊之間的夾角發(fā)生了變化,一個(gè)對(duì)角線被拉長(zhǎng),另一個(gè)對(duì)角線被壓縮。而且角度6xy和eyx的變化越大,切變?cè)酱蟆Ｒ虼饲袘?yīng)變與這兩個(gè)角度之間的關(guān)系為：

顯然,S6這種切應(yīng)變,在如圖2.2.3所示的兩對(duì)應(yīng)力(Tyx,Tyx和Txy,Tyx)的作用下產(chǎn)生的,而這兩對(duì)應(yīng)力稱為切應(yīng)力。石英晶振切應(yīng)力的特點(diǎn)是:力的方向與作用面平行,它可以使物體產(chǎn)生切變,而不能使物體產(chǎn)生轉(zhuǎn)動(dòng),故有:

Tyx= Txy = T21 = T12 =T6

石英晶振還有一個(gè)重要的特性——溫度漂移。所有的石英晶體材料做成的頻率器件，均有一定的溫漂。溫漂成為影響石英晶體諧振器及石英晶體振蕩器頻率精度的重要因素。溫補(bǔ)晶振（TCXO），恒溫晶體振蕩器（OCXO），都是針對(duì)晶體的頻率溫度特性做相應(yīng)的補(bǔ)償，頻率精度TCXO小于±2.5ppm,OCXO小于±10ppb（1ppb=10-3ppm），甚至更高。所以溫度補(bǔ)償成為彌補(bǔ)石英晶體溫漂的重要手段。然而，市面上針對(duì)KHZ級(jí)別的溫補(bǔ)晶振少之又少，其原因，我可以從晶體的切型方面分析。石英晶片的切型大致可以分為AT切、BT切、CT切、DT切等。

隨著石英晶振的被廣泛應(yīng)用到各種高端設(shè)備中，對(duì)其要求也越來越高，壓控晶體振蕩器(VCXO),溫補(bǔ)晶體振蕩器（TCXO）及恒溫晶體振蕩器（OCXO）的需求逐步上升。VCXO是可以利用電壓變化來調(diào)整輸出頻率。（VT-TCXO壓控溫補(bǔ)振蕩器）TCXO是包含一個(gè)溫度感應(yīng)電路，在溫度發(fā)生變化是調(diào)整輸出頻率，是輸出的頻率隨溫度變化的偏差降低了，從而使其在一定的溫度范圍內(nèi)保持較高的頻率穩(wěn)定度，一般精度要求在0-3PPM之內(nèi)的做成這種。OCXO具有更高的穩(wěn)定性，而且有更低的相位噪聲，精度更高，它是通過內(nèi)部的恒溫槽維持晶體溫度的穩(wěn)定。

關(guān)于陶瓷面石英晶振確實(shí)有很多，國產(chǎn)的5032晶振中就有很多陶瓷面兩腳石英貼片晶振存在，但你要問最常見到的進(jìn)口晶振中的陶瓷石英晶振有誰，相信首先必須得說的是日本大真空KDS晶振中的DSX321G晶振，這顆晶振可以說是進(jìn)口3225貼片晶振中銷量最好的一顆，尤其是這個(gè)型號(hào)里的8M用的人極為多，也被人稱作是機(jī)器人晶振無人機(jī)晶振，大多情況下都是被用在人工智能等高科技電子產(chǎn)品中。而另一種常用的陶瓷面封裝石英晶振尺寸為5030mm貼片晶振，這個(gè)除了KDS晶振比較突出外還有另一個(gè)日本晶振品牌也比較熱銷這種類型SMD晶振。

所以那些高性能、耐高溫或耐低溫，甚至恒溫的晶振開始不斷出現(xiàn)，而在有源晶振中就有兩類石英晶振的功能直接與溫度掛鉤，它們分別是恒溫晶體振蕩器OCXO晶振和溫度補(bǔ)償晶振TCXO振蕩器。今天要給大家?guī)淼氖菧囟妊a(bǔ)償晶振TCXO振蕩器在手機(jī)中的運(yùn)用，和它最新超小體積的KSS晶振品牌中貼片晶振詳細(xì)資料，為什么是京瓷晶振，你接著往下看就會(huì)明白的。

在有源晶振中有一類VC-TCXO晶振,全稱是壓控溫補(bǔ)晶體振蕩器，很多人認(rèn)為它是有亞空晶振和溫補(bǔ)晶振結(jié)合而得來的，那到底是不是呢？壓控晶振和溫補(bǔ)晶振是兩種不同的石英晶體振蕩器，要理解VC-TCXO晶振是否有他們的來先要來具體了解一下它們的工作方式和原理。

在2017年也就是今年，北斗三步走的最后一步，”北斗三號(hào)”衛(wèi)星在年中完成發(fā)射。如果成功發(fā)射了”北斗三號(hào)”衛(wèi)星，那么沉靜了幾年的北斗導(dǎo)航系統(tǒng)，很有可能會(huì)重新出現(xiàn)在人們的口中，這距離2004年發(fā)射的”北斗二號(hào)”過去了第13個(gè)年頭。國內(nèi)導(dǎo)航定位系統(tǒng)一直被美國的GPS壟斷，讓北斗導(dǎo)航施展不開，才造成如今只認(rèn)GPS不識(shí)北斗的局面。隨著這即將來臨的最后一步，國內(nèi)華為、小米、魅族等三大手機(jī)領(lǐng)頭企業(yè)紛紛響應(yīng)國家號(hào)召，支持北斗定位導(dǎo)航功能，目前搭載北斗系統(tǒng)的手機(jī)總共達(dá)到了759款。